H[DEHP]从不同介质中萃取稀土（III）(Sc、Y、Ho、Er、Yb、Lu)及Fe(III)、Zn(II)的机理

本文分另研究了H[DEHP]从不同酸性介质中萃取稀土（III）(Sc、Y、Ho、Er、yb、Lu)及Fe(III)、Zn(II)的机理及性能。一、H[DEHP]从 H_2SO_4介质中萃取Sc(III)的机理 1. H[DEHP]萃取H_2SO_4及其机理 2. H[DEHP]萃取Sc(III)的机理，用斜率法和饱和法确定了H[DEHP]的正庚烷溶液从H_2SO_4溶液中萃取Sc_2(SO_4)_3的机理及萃合物组成。研究表明，H[DEHP]萃取Sc(III)在高、低两种酸度范围内存在着两种不同的萃取机理。二、H[DEHP]从HCl介质中萃取Ln(III)和Fe(III)的性能及H[DEHP]萃取Ln(III)的机理研究了H[DEHP]的正庚烷溶液从HCl介质中萃取稀土（III）(Sc、Y、Ho、Er、Yb、Lu)和Fe(III)的性能，得出H[DEHP]在相同条件下萃取以上各金属离子的顺序是：Sc(III)>Fe(III)>Lu(III)>Yb(III)>Er(III)>Y(III)>Ho(III), 并计算了各金属离子之间的分离因素（β）。文中还讨论了Sc(III)、Fe(III)、Lu(III)之间的分离以及重稀土离子间的萃取分离，同时与相同实验条件下HEH[EHP]的萃取性能进行了比较，为新的萃取体系提供了一些参数。三、H[DEHP]从不同介质中萃取Fe(III)的机理，研究了H[DEHP]的正率烷溶液从Hcl介质中和H[DEHP]的正庚烷溶液从H_2SO_4介质中萃取Fe(III)的平衡规律；用斜率法、饱和法以及IR和NMR谱等讨论了低酸度下的萃取机理。四、H[DEHP]萃取Zn(II)的机理，研究了H[DEHP]的正率烷溶液从Hcl介中萃取Zn(II)的平衡，利用斜率法、饱和法及SR、NMR谱等讨论了低Hcl浓度下的萃取机理。

Photoluminescence spectroscopy of sputtering Er-doped silicon-rich silicon nitride films

Er-doped silicon-rich silicon nitride (SRN) films were deposited on silicon substrate by an RF magnetron reaction sputtering system. After high temperature annealing, the films show intense photoluminescence in both the visible and infrared regions. Besides broad-band luminescence centered at 780 nm which originates from silicon nanocrystals, resolved peaks due to transitions from all high energy levels up to ~2H_(11/2) to the ground state of Er~(3+) are observed. Raman spectra and HRTEM measurements have been performed to investigate the structure of the films, and possible excitation processes are discussed.

掺Er光纤宽带光源的研究和应用

简述了近年来国内外掺Er光纤（EDF）光源的最新发展，详细分析了EDF光源的工作原理；介绍了EDF的基本结构，并概述了其各自的特点；总结了当前几种重要的EDF光源及其研究状况；指出了未来EDF光源发展方向。

掺Er/Er+O的GaN薄膜光学性质的研究

利用Raman散射谱研究了GaN注Er以及Er+O共注样品的振动模，并讨论了共注入O对Er离子发光的影响. 在Raman散射谱中，对于注Er的GaN样品出现了300 cm~(-1)和670 cm~(-1)两个新的Raman峰，而对于Er+O共注样品，除了上述两个峰外，在360 cm~(-1)处出现了另外一个新的峰，其中300 cm~(-1)峰可以用disorder-activated Raman scattering (DARS)来解释，670 cm~(-1)峰是由于与N空位相关的缺陷引起的，而360 cm~(-1)峰是由O注入引起的缺陷络合物产生的. 由于360 cm~(-1)模的缺陷出现，从而导致Er+O共注入GaN薄膜红外光致发光(PL)强度的下降

掺Er／Pr的GaN薄膜深能级的研究

利用深能级瞬态谱（DLTS）、傅里叶变换红外光谱（FT-IR）对GaN以及GaN掺Er／Pr的样品进行了电学和光学特性分析．研究发现未掺杂的GaN样品只在导带下0．270eV处有一个深能级；GaN注入Er经900℃，30min退火后的样品出现了四个深能级，能级位置位于导带下0．300eV，0．188eV，0．600eV和0．410eV；GaN注入Pr经1050℃，30min退火后的样品同样出现了四个深能级。能级位置位于导带下0．280eV，0．190eV，0．610eV和0．390eV；对每一个深能级的来源进行了讨论．光谱研究表明，掺Er的GaN样品经900℃，30min退火后，可以观察到Er的1538nm处的发光。而且对能量输运和发光过程进行了讨论．

LiNbO3电光调制器的小信号功率测试法研究

阐述了小信号功率测试法测量LiNbO3电光调制器频率响应的原理，对传统的小信号功率测试法加以改进，在以网络分析仪（VNA）为主的常用扫频测试系统基础上建立起一套简单可靠的新型测试系统，实现了计算机控制自动测量。改进的测试方法考虑了测试系统中微波器件固有频响对测试结果的影响，并通过对器件进行校准加以消除。通过实验表明该方法的准确性。

脊形结构LiNbO3光波导调制器的扩展点匹配法分析

将点匹配法扩展应用于脊形结构LiNbO3光波导调制器电极的准静态分析中.将调制器各区域的势函数表示为该区域中满足Laplace方程的一系列基函数的级数,匹配边界上有限个点的边界条件以确定出级数项的系数.通过势函数得到脊形结构LiNbO3光波导调制器结构中电场分布的解析表达式,利用求得的电场可以得到调制器特性阻抗及有效折射率.所得的特性阻抗和有效折射率与采用有限元法得到的结果十分吻合.这一分析方法简便快捷,精度高,能够处理电极有一定厚度的多层光波导调制器结构.

掺铒nc-Si/SiO_2薄膜中nc-Si和Er~(3+)与非辐射复合缺陷间相互作用对薄膜发光特性的影响

对nc-Si/SiO_2薄膜中纳米硅(nc-Si)、Er~(3+)和非辐射复合缺陷三者间的关系作了研究.在514.5 nm光激发下,nc-Si/SiO_2薄膜在750nm和1.54μm处存在较强的发光,前者与薄膜中的nc-Si有关,后者对应于Er~(3+)从第一激发态4I13/2到基态4I15/2的辐射跃迁.随薄膜中Er3+含量的提高,1.54μm处的发光强度明显增强,750 nm处的发光强度却降低.H处理可以明显增强薄膜的发光强度,但是对不同退火温度样品,处理效果却有所不同.根据以上实验结果,可得如下结论:在nc-Si颗粒附近的Er~(3+)和其他的缺陷组成了nc-Si颗粒内产生的束缚激子的非辐射复合中心,束缚激子通过Er~(3+)的非辐射复合,激发Er~(3+)产生1.54μm处的发光,同时降低了750nm处的发光强度.nc-Si颗粒附近其他非辐射复合中心的存在会降低Er~(3+)被激发的概率,引起1.54μm处的发光强度降低.

注铒a-SiO_x:H中Er~(3+)发光与薄膜微观结构的关系

采用光致发光（PL）谱和傅里叶变换红外（FTIR）谱研究了掺铒a-SiO_x:H(a-SiO_x:H)薄膜在不同退火温度下光学性质和微观结构的变化。PL谱的测量结果表明：薄膜在1.54μm的Er~(3+)发光和750nm处的可风发光随退火温度有相同的变化趋势，这种变化和薄膜在退火过程中微观结构的变化有着密切关系。FTIR谱的分析表明：a-SiO_x:H薄膜是一种两相结构，富硅相镶嵌在富氧相中。两者的成分可近似用a-SiO_(x≈0.3):H和a-SiO_(x≈1.5):H表示，前者性质接近于氢化非晶硅（a-Si:H），后者性质接近于a-SiO_2。富硅相在退火中的变化对Er~(3+)的发光强度有重要影响。

单晶硅中铒点缺陷及Er-O复合缺陷电子结构的EHMO计算

本文采用集团模型和推广的Hucket分子轨道理论(EHMO)计算c-Si中Er点缺陷及Er-O复合缺陷的原子构型及电子结构。计算结果符合实验及一些文献的第一性原理计算结果,解释了Er有c-Si中的发光特性。

a-SiCx∶H和β-SiC中Er缺陷结构及其1.54μm发光探索

材料科学开放实验室基金,光学信息技术科学教育部开放实验室基金

掺Er凝胶玻璃中Er离子发光性质的研究

用溶胶－凝胶方法合成了掺铒（掺杂浓度10~20/cm~3）的二氧化硅玻璃。在室温下可产生1.45μm波长的红外荧光。实验结果表明

稀土（Er）和氧（O）双掺杂GaAs和Si的高效发光的研究

用光致发光谱(PL)、傅里叶变换红外吸收谱(FTIR)和X射线衍射谱(XRD)等研究了稀土(Er)和氧(O)双离子注入GaAs和Si的发光特性和高效发光机理。测量并分析了该材料的FTIR和XRD谱;对该材料的高效发光机制作了较深入地探讨和澄清。

Crystal-Field Symmetry of Luminescence Center in Er-Implanted Silicon

于2010-11-23批量导入