掺Er／Pr的GaN薄膜深能级的研究
| Data(s) |
2006
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|---|---|
| Resumo |
利用深能级瞬态谱（DLTS）、傅里叶变换红外光谱（FT-IR）对GaN以及GaN掺Er／Pr的样品进行了电学和光学特性分析．研究发现未掺杂的GaN样品只在导带下0．270eV处有一个深能级；GaN注入Er经900℃，30min退火后的样品出现了四个深能级，能级位置位于导带下0．300eV，0．188eV，0．600eV和0．410eV；GaN注入Pr经1050℃，30min退火后的样品同样出现了四个深能级。能级位置位于导带下0．280eV，0．190eV，0．610eV和0．390eV；对每一个深能级的来源进行了讨论．光谱研究表明，掺Er的GaN样品经900℃，30min退火后，可以观察到Er的1538nm处的发光。而且对能量输运和发光过程进行了讨论． 国家自然科学基金,国家重点基础研究发展计划项目（973计划）,中国博士后科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
宋淑芳;陈维德;许振嘉;徐叙瑢.掺Er／Pr的GaN薄膜深能级的研究,物理学报,2006,55(3):1407-1412 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
