单晶硅中铒点缺陷及Er-O复合缺陷电子结构的EHMO计算
| Data(s) |
1999
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| Resumo |
本文采用集团模型和推广的Hucket分子轨道理论(EHMO)计算c-Si中Er点缺陷及Er-O复合缺陷的原子构型及电子结构。计算结果符合实验及一些文献的第一性原理计算结果,解释了Er有c-Si中的发光特性。 本文采用集团模型和推广的Hucket分子轨道理论(EHMO)计算c-Si中Er点缺陷及Er-O复合缺陷的原子构型及电子结构。计算结果符合实验及一些文献的第一性原理计算结果,解释了Er有c-Si中的发光特性。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:09:55导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:09:55Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5300.pdf: 397579 bytes, checksum: b8582e60d3725aba4bb3877b3d48d063 (MD5) Previous issue date: 1999 南开大学光电子薄膜器件与技术所;中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
薛俊明;刘志钢;孙钟林;周伟;赵颖;吴春亚;李桂华.单晶硅中铒点缺陷及Er-O复合缺陷电子结构的EHMO计算,光电子·激光,1999,10(5):419 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
