掺Er/Er+O的GaN薄膜光学性质的研究
| Data(s) |
2007
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|---|---|
| Resumo |
利用Raman散射谱研究了GaN注Er以及Er+O共注样品的振动模，并讨论了共注入O对Er离子发光的影响. 在Raman散射谱中，对于注Er的GaN样品出现了300 cm~(-1)和670 cm~(-1)两个新的Raman峰，而对于Er+O共注样品，除了上述两个峰外，在360 cm~(-1)处出现了另外一个新的峰，其中300 cm~(-1)峰可以用disorder-activated Raman scattering (DARS)来解释，670 cm~(-1)峰是由于与N空位相关的缺陷引起的，而360 cm~(-1)峰是由O注入引起的缺陷络合物产生的. 由于360 cm~(-1)模的缺陷出现，从而导致Er+O共注入GaN薄膜红外光致发光(PL)强度的下降 国家自然科学基金,国家重点基础研究发展计划项目(973计划),中国博士后科学基金资助课题资助的课题 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
宋淑芳;陈维德;许振嘉;徐叙瑢.掺Er/Er+O的GaN薄膜光学性质的研究,物理学报,2007,56(3):1621-1626 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
