黄土丘陵区不同植被恢复模式对土壤酶活性的影响

为了解侵蚀环境下植被恢复对土壤酶活性的影响,以典型侵蚀环境黄土丘陵区纸坊沟流域生态恢复30a植被长期定位试验点为研究对象,选取坡耕地为参照,分析了植被恢复过程中土壤脲酶、磷酸酶、蔗糖酶、淀粉酶、纤维素酶、过氧化氢酶、多酚氧化酶及理化性质的演变特征。结果表明,黄土丘陵区的坡耕地由于不合理的人为干扰,土壤理化性质和酶活性较弱,通过植被恢复可以有效的改善土壤肥力,不同恢复模式对土壤酶活性和肥力的改善作用不同,恢复30a,脲酶活性增加33%～213%,磷酸酶活性增加275%～394%,蔗糖酶活性增加70%～210%,纤维素酶活性增加24%～48%,过氧化氢酶增加32%～96%,多酚氧化酶降低23%～29%,淀粉酶变化规律不同。不同植被恢复模式其生物特性不同,对土壤酶活性影响也不同。相关性分析说明磷酸酶、蔗糖酶、纤维素酶和多酚氧化酶与其它因子相关性相对较强,可以作为评价土壤质量的生物学指标。

耐热Mg-Gd基合金的研究和应用

本研究从二元Mg-Gd体系出发，研究了添加不同稀土元素对Mg-Gd基合金的组织、时效行为和力学性能的影响。优化出多种力学性能优异、加工性能良好和耐热性突出的新型Mg-Gd-RE-Zn-Zr系合金。在探讨Mg-Gd基合金强化机理的同时，提出了强化模型，并进行了定量分析。 在Mg-Gd二元体系中，通过对不同Gd含量的合金组织，时效行为和力学性能的研究，发现Gd不仅可以细化晶粒，还可以细化枝晶。合金中Gd的含量大于8 wt.%开始表现出时效硬化现象，Gd含量超过12wt.％时效硬化效果显著。在二元体系研究结果的基础上，选用Mg-8Gd基合金，研究了不同轻稀土元素LRE(La, Ce和Nd)和重稀土元素HRE (Y, Dy, Ho 和Er)对合金组织和性能的影响。结果表明，轻稀土中Nd的作用效果最好，其次为Ce和La。重稀土中Y和Dy的作用效果较好，其次为Ho和Er。将轻、重稀土综合考虑，在Mg-8Gd-3RE(Nd+Y)-Zr合金中，变化Nd和Y的添加量，发现Nd和Y的添加量分别为1 和2或2和1时，能够明显改善合金的综合力学性能。 研究了Mg-8Gd-2Y-1Nd-0.3Zn和Mg-8Gd-1Dy-0.3Zn压铸合金的组织和性能。研究表明，两种合金的铸造性能好，而且具有优异的抗拉性能和蠕变性能，可以满足在250℃~275℃环境下使用。进一步研究了挤压变形Mg-8Gd-2Y-1Nd-0.3Zn合金。合金成形性能好，抗拉强度和伸长率明显提高，而且改善了合金的高温抗蠕变性能，比压铸合金提高了近一个数量级。 发明了一种新型的分步固溶处理方法——振荡热处理方法，这种方法比传统的T6热处理方法更加有效，振荡热处理的主要作用是改变了凝固过程中析出相的尺寸和分布。 研究了Mg-Gd基合金凝固过程中的相析出和相转变。在合金的凝固过程中，容易生成块状的化学组成为Mg5RE（fcc结构）的共晶相；加入Zn后，凝固中容易出现片状的Mg3RE（14H型）沉淀；时效强化的主要原因是在过饱和固溶体时效过程中析出针状的50 nm~100 nm的Mg15RE3相，它与基体具有半共格的位相关系，能够有效阻止位错滑移。但随着时效时间的延长，针状析出相长大，共格关系被破坏，导致强化作用降低。而对于压铸和挤压变形合金，合金析出相的种类不变，主要的不同是挤压变形合金析出化合物的分布更加均匀，尺寸更小。 开发了高强度耐热Mg-12Gd-4Y-2Nd-0.4Zn-0.6Zr合金，这种合金经过热处理后，力学性能优良，热稳定性突出。在300 ℃的抗拉强度约为300 MPa，400 ℃的抗拉强度在100 MPa以上。本合金流动性能良好，适合于砂型铸造，在具有高温、高强度要求的镁合金制品方面极具潜力。 从金属材料强化原理出发，建立了Mg-Gd基合金的强化模型，并进行了定量分析。结果表明，析出强化是Mg-Gd基合金的主要强化方式，但实际试验值和理论值略有偏差，分析认为主要是由于β'相体积分数的变化区间较宽，且合金制备过程中不可避免地产生一些微观缺陷所致。 采用新型合金制备出了一些工业用品部件，探索了该类合金在机械、汽车和高技术等工业领域中的潜在应用

磷酸盐催化剂上气相选择氧化的研究

有机化合物的选择氧化反应，特别是烃类的选择氧化，在石油化工中占有极其重要的地位。由于目标产物通常具有较高的活泼性，所以很难在高转化率条件下获得高选择性的氧化产物。因此对于催化研究者来说，如何控制深度氧化，提高目的产物的选择性始终是选择氧化，特别是烃类选择氧化研究中最具挑战性的技术难题。磷酸盐具有高度热稳定性，制备条件简单方便，原料价格低廉，而且其催化活性位区域易于与大分子反应等优点。其中磷酸钒、磷酸铁及其它过渡金属磷酸盐既具有氧化一还原性又有良好的表面酸性，在烃类等选择氧化反应中已表现出良好的催化性能，因而，研究磷酸钒、磷酸铁等磷酸盐催化剂在选择氧化中的催化作用具有重要的学术意义和应用前景。本论文主要在几个方面的工作研究了磷酸盐催化剂在气相选择氧化中的催化作用。探讨了过渡金属对层状磷酸钒的修饰，并以它们为催化剂前驱体，以甲苯气相选择氧化为探针反应，研究了过渡金属修饰对磷酸钒催化性能的影响。利用简单的方法直接合成了一个新的乙酞丙酮铜插层的层状磷酸钒，并用XRD、FTIR、ICP-MS、TGA和HRTEM对其进行了表征，确定合成的化合物分子式为：［Cu（acac）」0.5?VOH0.5PO4?0.5H2O。利用十二烷基胺通过简单直接的方法合成了中孔层状磷酸钒，并用XRD、FTIR?ICP一MS和TGA对其进行了表征，确定所合成的化合物主体磷酸钒为VOHPO4，十二烷基胺在VOHPo4的结构中通过与主体HPo4中的一H形成RNH3＋和与VoHPO4层内的V＝O形成氢键（V=O…H2NR）构成双层排列结构。利用烷基胺形成中孔层状结构的方法引入过渡金属钻和镍进入磷酸钒。以合成铜、钻和镍修饰的磷酸钒为前驱体，经焙烧后得到催化剂，甲苯气相选择氧化反应的结果表明，铜、钻和镍的修饰促进了磷酸钒的催化性能，提高了苯甲醛的选择性。发现了控制气相选择氧化产物选择性的新途径。以磷酸钒为催化剂，在环己烷、环己烯气相氧化反应中，通过在原料中加入醋酸改变了反应产物的分布，抑制了中间产物的深度氧化，可获得高选择性的目标产物。在反应温度450℃，当醋酸与环己烷、环己烯摩尔比为12.9：1和12.1：1时，分别获得了100％选择性的不稳定中间产物环己烯和1，3-环己二烯。研究了不同磷酸钒相对环己烷氧化脱氢反应的催化性能，表明在醋酸体存在条件下，催化性能顺序为：QI一OPO4＞aII-VOPO4＞pVOPO4＞（VO）2P2O7。发现催化剂表面酸性强度不同和醋酸之间的相互作用力也不同，表面酸性越强；抗醋酸能力越强，活性中心与醋酸作用越弱，未与醋酸相互作用的活性中心数目越多，因此催化活性相对越高。同时，研究了不同载体对环己烯氧化脱氢的影响，比表面积越大，有利于提高催化剂的活性，但不利于获得高选择性的1，3-环己二烯；碱性载体有利于1，3-环己二烯的生成，但易于与醋酸反应而使催化剂失活。提出了醋酸在环己烷和环己烯氧化脱氢中作用机制：醋酸优于环己烷（烯）吸附在VPO催化剂表面活性位，这将导致在反应物吸附活性位周围几乎没有相邻的活性中心。即加入醋酸使催化剂表面形成了孤立的活性位，有利于中间物种不被继续氧化。利用上面的方法，以磷酸铁和磷酸钒为催化剂，实现了对甲酚气相选择氧化，获得100％选择性的对轻基苯甲醇、对经基苯甲醛和／或对轻基苯甲酸的混合物。与磷酸钒相比较，磷酸铁催化剂更温和，得到主要产物为对轻基苯甲醇和对经基苯甲醛；而磷酸钒催化剂更易产生深度氧化的产物对经基苯甲酸。这主要是由于他们表面酸性和氧化一还原性能的不同引起的。以磷酸铁、磷酸铜和磷酸秘为催化剂，探索了苯甲醇的气相选择氧化。研究了不同Fe（II）／Fe（III）比磷酸铁的催化活性。对于磷酸铁、磷酸铜和磷酸秘催化剂，最佳苯甲醛收率分别是在反应温度320℃、275℃和325℃，苯甲醛选择性分别为92.3％、97.1％、92.6％，相应苯甲醇的转化率为96.5％、60.9％和98.6％。

猴和人T淋巴细胞表面TRBC受体和E受体的比较研究

1985年贲昆龙等首次发现人和猴T淋巴细胞能与树鼩(Tupaia belangeri)的红细胞(TRBC)形成亲和力极强的玫瑰花结，它与绵羊红细胞(SRBC)玫瑰花结(E花结)明显不同。例如，TRBC经神经氨酸酶处理之后，结花率明显下降，TRBC与T淋巴细胞所形成的玫瑰花结，经45℃保温，仍不受影响，为了进一步探讨TRBC受体和SRBC受体(CD2)，以及与其它T细胞表面分化搞原(CD)的系。我用某些抗人T细胞CD的单克隆抗体(McAb)对人和猴淋巴细胞进行玫瑰花结抑制试验，抗原调变和共调变(Antigenic modulation or co-modulation)实验，并且研究了TRBC受体在其它免疫细胞和某些人类和长臂猿细胞系的分布。结果表明，TRBC与外周血E~+-PBL形成玫瑰花结的百分率为88.8%。而E~--PBL仅为4.16%。TRBC受体存在于所有被试T细胞系(CEM, H33JHJA1, Jurkat, MLA-144, Molt-3, Molt-4, Molt-4 clone-8 和PEER)，但不存在于外周血粒细胞，B细胞，以及B细胞系的绝大多数细胞表面(Daudi, Raji和Reh)。分布于全T细胞的CD3, TCR, CD5, CD6和CD7的相McAb OKT3, T108(F1), T136(F101-15), T149(M-T604)和T152(7G5)均不能调变和共调变TRBC受体。猴和人外周血淋巴细胞与TRBC玫瑰花结的形成，不被T11.1 McAb OKT11所阻断，相反，OKT11显著地阻断猴和人外周血淋巴细胞E玫瑰花结的形成，最大抑制率分别为49.3%和77.7%。在世界各地10个实验室送交第四次国际人白细胞化化抗原讨论会待鉴定的13个CD2 McAb中，除T089 (39C1.5)因抗体量不够未作实验外，对其他12种McAb都进行试验，T081 (x/3)，T082 (GLB-T11.2/1)，T083 (GLB-T11.1/1)，T085 (RPA-2.10)，T1088 (0-275)和T092 (M-T201)对TRBC玫瑰花结和E玫瑰花结都呈现明显的阻断作用，T084 (F110.08)，T091 (AICD2.1)以及已知参数CD2 McAb-T086 (D-66 clonel)和T087 (GT-2)都不阻TRBC玫瑰花结的形成，亦不调变TRBC受体，而对E玫瑰花结则有不同程度阻断效应，并且调变E变体，使E玫瑰花结形成细胞百分率下降。T090 (6F10.3)和T198 (JOR-T2)即不阻TRBC玫瑰花结的形成，也不抑制E玫瑰花结的形成。由此可见，TRBC受体分布于全T细胞，它不同于已知的全T细胞表面分化抗原CD2 (gp50), CD3/TCR复合物，CD5, CD6和CD7。CD2分子不与TRBC玫瑰花结的形成，也不是介导E玫瑰花结的唯一分子。至少有二个或三个以上的蛋白质与E玫瑰花结和TRBC玫瑰花结的形成有关，其中有的分子为E受体和TRBC受体所共有。TRBC受体很有可能包括新的T淋巴细胞分化抗原。

Investigation on the N-eff reverse annealing effect using TSC/I-DLTS: Relationship between neutron induced microscopic defects and silicon detector electrical degradations

Neutron induced defect levels in high resistivity silicon detectors have been studied using a current-based macroscopic defect analysis system: thermally stimulated current (TSC) and current deep level transient spectroscopy (I-DLTS). These studies have been correlated to the traditional C-V, I-V, and transient current and charge techniques (TCT/TChT) after neutron radiation and subsequent thermal anneals. It has been found that the increases of the space charge density, N-eff, in irradiated detectors after thermal anneals (N-eff reverse anneal) correspond to the increases of deep levels in the silicon bandgap. In particular, increases of the double vacancy center (V-V and V-V-- -) and/or C-i-O-i level have good correlations with the N-eff reverse anneal. It has also been observed that the leakage current of highly irradiated (Phi(n) > 10(13) n/cm(2)) detectors increases after thermal anneals, which is different from the leakage current annealing behavior of slightly irradiated (Phi(n) < 10(13) n/cm(2)) detectors. It is apparent that V-V center and/or C-i-O-i level play important roles in both N-eff and leakage current degradations for highly irradiated high resistivity silicon detectors.

GROWTH INTERRUPTION INDUCED INTERFACE MICROROUGHNESS IN SINGLE QUANTUM-WELLS

Growth interruption-induced microroughness is studied by photoluminescence (PL) of single quantum wells with different well widths and interruption times. Analysis of the peak splitting in the PL spectra shows that the adjacent peak splittings correspond to well width differences smaller than one monolayer. The number of split peaks increases with increasing well width, saturating when the well width exceeds 11 monolayers. This trend correlates well with the decrease in the lateral dimension of the exciton, which corresponds roughly to the minimum optically sampled area of the interface. For a given quantum well, a plot of the normalized integrated intensities of the split PL peaks versus the well width fluctuation is well described by a Gaussian distribution with an average fluctuation smaller than one monolayer. These results are consistent with the microroughness model.

Fabrication of 1.55μm Si-Based Resonant Cavity Enhanced Photodetectors

A novel bonding method using silicate gel as bonding medium is developed.High reflective SiO2/Si mirrors deposited on silicon substrates by e-beam deposition are bonded to the active layers at a low temperature of 350℃ without any special treatment on bonding surfaces.The reflectivities of the mirrors can be as high as 99.9%.A Si-based narrow band response InGaAs photodetector is successfully fabricated,with a quantum efficiency of 22.6% at the peak wavelength of 1.54μm,and a full width at half maximum of about 27nm.This method has a great potential for industry processes.

1.55μm偏振不灵敏光放大器结构材料的生长

采用张应变量子阱结构，生长了光放大器材料。利用宽接触激光器TE和TM模的输出功率曲线判断并调整量子阱材料的应变量，得到了偏振灵敏度较低的光放大器结构。

Au/a-Si:H界面X射线光电子能谱和俄歇电子能谱研究

于2010-11-23批量导入

The diphasic nc-Si/a-Si : H thin film with improved medium-range order

A series of silicon film samples were prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) near the threshold from amorphous to nanocrystalline state by adjusting the plasma parameters and properly increasing the reactions between the hydrogen plasma and the growing surface. The microstucture of the films was studied by micro-Raman and Fourier transform infrared (FTIR) spectroscopy. The influences of the hydrogen dilution ratio of silane (R-H = [H-2]/[SiH4]) and the substrate temperature (T-s) on the microstructural and photoelectronic properties of silicon films were investigated in detail. With the increase of RH from 10 to 100, a notable improvement in the medium-range order (MRO) of the films was observed, and then the phase transition from amorphous to nanocrystalline phase occurred, which lead to the formation of diatomic hydrogen complex, H-2* and their congeries. With the increase of T-s from 150 to 275 degreesC, both the short-range order and the medium range order of the silicon films are obviously improved. The photoconductivity spectra and the light induced changes of the films show that the diphasic nc-Si/a-Si:H films with fine medium-range order present a broader light spectral response range in the longer wavelength and a lower degradation upon illumination than conventional a-Si:H films. (C) 2004 Elsevier B.V. All rights reserved.

The fabrication of thick SiO2 layer by anodization

Silicon-based silica waveguide (SiO2/Si) devices have huge applications in optical telecommunication. SiO2 up to 25-mu m thick is necessary for some passive SiO2/Si waveguide devices. Oxidizing porous silicon to obtain thick SiO2 as cladding layer is presented. The experimental results of porous layer and oxidized porous layer formation were given. The relationship between cracking of SiO2 and temperature varying rate was given experimentally. Such conclusions are drawn: oxidation rate of porous silicon is several orders faster than that of bulk silicon; appropriate temperature variation rate during oxidation can prevent SiO2 on silicon substrates from cracking, and 25 mu m thick silicon dioxide layer has been obtained. (C) 2000 Elsevier Science B.V. All rights reserved.