碱性染料高灵敏显色反应及其应用的研究

本论文由五部分组成 一、文献综述 对碱性染料超高灵敏显色反应。有关机理及其在光度分析中的应用做了大致评述。并对近年来碱性染料—元素杂多酸显色反应的研究及其应用的进展情况作了介绍。二、钨（VI）—硫氰酸盐—乙基罗丹明B体系 本工作研究了在PVA-124存在下，钨（VI）—硫氰酸盐—乙基罗丹明B体系及其光度特性。缔合物最大吸收峰位于585nm处，表观摩尔吸光系数为1.0*10~6l·mol~(-1)·cm~(-1)。钨含量在0.1～1.5μg/25ml范围内服从比尔定律。试验了引种共存离子的影响，采用盐酸羟铵加热煮沸消除一定量Mo(VI)的干扰。本法已用于铸钢样品及水样中痕量钨的测定，结果较为满意，方法的测定下限为0.8PPb(100ml水样)。三、丁基罗丹明B—磷钼杂多酸—PVA-124体系：本文研究了在PVA-124存在下，丁基罗丹明B-磷钼杂多酸水相光度法体系的光度测定条件，缔合物最大吸收峰在588nm处，本法采用工作波长590nm，此时缔合物的表观摩尔吸光系数为1.16*10~6l·mol~(-1)·cm~(-1)，是本类方法中灵敏度最高的。磷含量在0～0.26μg/25ml范围内服从比尔定律。试验了几种能和钼酸根形成杂多酸的高价离子的干扰情况，采用盐酸羟铵作还原剂消除As(V)的干扰。本法可不经分离直接用于钢样、试剂及水样中痕量磷的测定，检测下限可达4PPb(10ml水样)和2*10~(-6)%(取1g试剂)。四、丁基罗丹明B—砷钼杂多酸—PVA-124体系 迄今，光度法仍是测定微量砷的一种主要方法。本工作研究了在PVA-124存在下，丁基罗丹明B—砷钼杂多酸显色体系及其光度特性，缔合物P_(max) = 590nm，表现摩尔吸光系数为6.9*10~5l·mol~(-1)·cm~(-1)，砷浓度在0～1.3μg/25ml范围内服从比尔定律。试验了几种能各钼酸根形成杂多酸的高价离子的干扰情况，采用AsH_3发生法消除干扰，本法可直接用于水样及试剂中痕量磷的分析，测定下限可达0.4PPb（取水样250ml），和8*10~(-6)%（取试剂1g）。五、缔合物形成机理的研究 我们用摩尔比法，等摩尔连续变化法及摩尔吸光系数对比法分别研究了呈溶液或结晶状态的缔合物的组成比，所得结果一致。即As:BRB=1:7，P:BRB=1:14。由红外光谱研究证明，染料BRB的结构未受缔合物形成的影响。BRB~+阻离子与杂多酸阴离子是籍离子键力结合成离子对缔合物，并讨论了本类显色反应的历程。

铜的多元复合物组成、结构和电学性质的研究

本论文包括三个部分的内容，第一部分研究了Y-Ba-Cu-O材料中，钙、钾、氟离子的掺入对材料结构和电、磁学性质的影响。1、在Y_(1-x)Ca_xBa_2Cu_3O_(7-y)系列中，当x ≤ 0.15时，钙离子进入了YBa_2Cu_3O_(7-y)晶格中钇离子的位置，使晶胞参数略为增大，但没有引起正交 → 四方相变。钙离子渗入导致123相中Cu~(3+)含量上升，同时材料的监界超导转变温度下降。因此，Cu~(3+)含旱管高可能是对超导电性不利的。由于钇离子位置紧邻着Cu(2)-O平面而与Cu(1)-O链相隔较远。因此，钇离子被钙离子替代时主要影响了Cu(2)-O平面的性质。少量钙离子的渗入即明显影响材料的超导电性，这说明Cu(2)-O平面的性质与超导电性密切相关，并可能起着关键的作用。2、在Y(Ba_(1-x)Ca_x)_2Cu_3O_y系的研究中，当x = 1，YCa_2Cu_3O_y是一个单一的化合物，文献未见报道，本文研究了它的结构，电学性质与热学性质，确定它的结构属正交晶系，a = 5.286 A、b = 7.636 A、c = 9.286 A。热分析表明YCa_2Cu_3O_y在1080 ℃分解，分解前于380 ℃ 和608 ℃出殃失氧现象。这个化合物是黑色n型半导体。室温电阻率1.2 * 10~5Ω·cm。与热分析中的失氧温度相对应，lnρ-1/T曲线上在370 ℃、620 ℃ 出现两个转折点。3、在Y-Ba-Cu-O材料中渗入钾离子能细化材料晶粒，降低超导转变宽度，提高零电阻温度，但由于KOH、K_2CO_3等强吸湿性杂质的存在也降低了材料的稳定性。4、在Y-Ba-Cu-O材料中间时掺入钾和氟离子时，材料的超导电性的变化与仅掺钾时相似。这种变化可能主要是钾离子的影响造成的。第二部分中，我们研究了Ca-Sr-Ca-O系的相图和新化合物Sr_3Cu_5O_(8+x)、CaSrCu_3O_(5+x)的结构和电学性质。在第三部分中，广泛研究了组成为Bi_tSr_vCa_wCu_zO_y超导材料的制备，结构和超导电性。铋系超导材料的形成貌与YBa_2Cu_3O_y材料有较大差异，前者是片状层叠的晶粒堆积而成，后者是球状小颗粒堆积而成的。我们合成的材料最高起始转变温度124K，最高零电阻温度112K，与国际上已达到的最高Tc值一致。Jc值达到131A/cm~2。

聚醚类聚合物固体电解质的研究

聚合物固体电解质是近几年来引起人们高度重视的一种新型功能材料。由于质轻、可塑性强，可加工成溥膜等特点，使它在固体电池，燃料电池，电化学元件和分离膜等方面的应用上显示了很大的优越性，尤其在全固态高能密锂电池的应用上已成为强有力的竞争者。聚合物固体电解质是一类由聚醚类主体聚合物与无机盐形成的络合物。目前研究的大多是以取环氧乙烷（PEO）为主体聚合物的各种碱金属盐络合物。研究表明，PEO是迄今为止所发现的络合能力最强的主体聚合物，与无机盐络合后高温电导率可达2 * 10~(-3)scm~(-1)，但室温下由于PEO的高结晶性阻碍了离子的迁移，电导率只有10~(-8)-10~(-7)scm~(-1)，从而使其应用范围受到局限，本工作采用共聚、交联及添加低分子增塑剂的方法制得了既具有较高室温电导率又具有良好机械加工性能的聚合物电解质。主要工作及结论如下：1、选择了带有双键的烯丙基缩水甘油醚这一单体与环氧乙烷共聚，制得了P(EO-AGE)二元共聚物。讨论了不同催化剂对产物结构和性能的影响，发现AlEt_3-H_2O-acac的催化效果较好。DSC和X-射线衍射结果表明，共聚使PEO的结晶受阻，其结晶度随着AGE含量的增大而减小。共聚物的玻璃化转变温度及溶点均较纯PEO的低。由二元共聚物和LiClO_4组成的P(EO-AGE)-LiClO_4络合物室温电导率达2*10~(-5)scm~(-1)，较纯PEO-LiClO_4体系高2-3个数量级。2、在二元共聚物的研究基础上，合成了（环氧乙烷-环氧丙烷-烯丙基缩水甘油醚）三元共聚物，P(EO-PO-AGE)。结果表明，三元共聚物具有更低的玻璃化转变温度和更多的无定形结构。P(EO-PO-AGE)-LiClO_4络合物的室温电导率达5 * 10~(-5)scm~(-1)。3、对P(EO-AGE)-LiClO_4和P(EO-PO-AGE)-LiClO_4络合物结构的研究发现，络合物在L:/O=0.20-0.125(mol)范围内呈现完全无定形的结构，当L:/O分别为0.33和0.25(mol)时，在X-射线衍射图上出现了新的结晶衍射峰。证实了组成分别为O/Li=3和O/Li=4的结晶络合物的存在。4、对P(EO-AGE)-LiClO_4和P(EO-PO-AGE)-LiClO_4络合物电导的研究表明，电导对温度的依赖性服从VTF方程：σ=AT~(-1/2)e~(-B/(T-To))，呈现典型的非晶电解质电导行为，但在50-70 ℃范围内lg(σT~(1/2)～1/(T-To)曲线出现转折。络合物电导与盐浓度的关系表现出与理论相一致的结果，即在某一盐浓度下存在一极大值，对P(EO-AGE)-LiClO_4和P(EO-PO-AGE)-LiClO_4体系，电导极大值都出现在O/Li=20处。此处，还讨论了共聚物组成，阴离子，阳离子种类及离子对对络合物电导率的影响。5、采用添加低分子增塑剂聚乙二醇（PEG400）的方法不仅提高了聚合物电解质柔顺性，使分子链段活动性增加，而且增加了体系的无定形区，为离子迁移提供了新的导电通递。增塑P(EO-PO-AGE)-LiClO_4络合物的电导随着增塑剂含量的增大而升高，60%(vol)PEG400增塑的P(EO-PO-AGE)-LiClO_4聚合物电解质膜的电导率可达10~(-4)scm~(-1)(25 ℃)。增塑的电解质膜不仅具有较高的室温电导率，而且具有良好的热稳定性，在700 ℃下无相分离；于干燥气氛下放置一年无蠕变流动现象，电导亦无变化。6、采用硫化和辐射交联法制得具有网络结构的聚合物电解质膜。交联后的电解质膜尺寸稳定性增加，拉伸强度和断裂伸长均成倍增加，抗溶剂性能提高，具有良好的可加工性。硫化交联所得的P(EO-AGE)-LiClO_4和P(EO-PO-AGE)-LiClO_4网络电解质膜的室温电导率仍可达10~(-5)scm~(-1)，而经辐射交联所得的PEG400增塑的P(EO-PO-AGE)-LiClO_4电解质膜的室温电导率可达10~(-4)scm~(-1)。交联电解质膜具有与未交联电解质膜相似的电导行为。

酶电极的制备

酶电极是生物传感器领域发展最早，最活跃的部分，理论上有许多问题需要探索，应用上有极为广阔的领域面临开拓，本文着重于电化学信号为基础的酶电极的研究，共分以下几个部分：1、文献综述-酶电极总论。概括介绍了酶电极的概念，原理，分类及应用前景，尤其对酶电极的特点进行了较为细致的评述。2、醇脱氢酶电极的研制。通过化学交联法，将ADH固定在玻碳电极表面，使用PMS和K_3Fe(CN)_6为介体，间接测定酶促反应中生成的NADH，使测定电位大大降低，从而提高测定的重现性和选择性。3、以铁氰化钾为介体的L-乳酸传感器。以PMS和氰化钾为介体，间接测定酶促反应中生成的NADH，工作电位由+0.8V降为+0.3V vs.SEC.，酶电极的线性范围为0.08～3.0mmol/L。响应时间30s，电极具有良好的选择性与重现性。4、以铁氰化钾为介体的L-苹果酸传感器。以PMS和铁氰化钾为介体，间接测定酶促反应中生成的NADH，由于使用Zn~(2+)激活MDH，电极的响应时间大约60s，比以往报道过的L-MDH电极的响应时间要快的多。电极测定的线性范围为25～300ummol/L。电极具有良好的选择性和重现性。5、介体型双酶D-氨基酸传感器采用一步法用Eastman AQ-55同时将D-氨基酸氧化酶，辣根过氧化物酶，1，1’-二（α-羟基乙基）二茂铁固定在玻碳电极表面，操作简单，电极具有响应快，灵敏度高的特点。6、以AQ膜中沉积铂的玻碳电极为基底的葡萄糖传感器在涂有EastmanAQ的玻碳电极上，电化学沉积铂，制成AQ膜中沉积铂的化学修饰电极，用戊二醛通过化学交联法将葡萄糖氧化酶固定在修饰电极表面，制成酶电极。AQ膜的选择渗透性可以防止电活性物质如抗坏血酸，尿酸等的干扰，同时可以防止大分子物质对电极的污染。镀铂电极具有对过氧化氢响应快，灵敏度高的特点，在空气饱和的情况下，葡萄糖的测定上限可达15mmol/L，响应时间50s，电极可以使用600次。7、以Nafion修饰的镀铂电极为基底的半乳糖传感器。在镀铂的玻碳电极表面，修饰一层全氟代磺酸酯（Nafion）膜，制成基底电极。化学交联法将半乳糖氧化酶固定在基底电极表面，制成半乳糖传感器，和光亮铂电极相比，镀铂电极对过氧化氢有更高的响应。Nafion膜可以消除抗坏血酸，尿酸等对测定的干扰，提高了酶电极测定的选择性。D-半乳糖测定的线性范围为0.25～4.25mmol/L，响应时间小于30s，酶电极连续使用300次无明显的电流变化。8、以聚邻苯二胺修饰的镀铂玻碳电极为基底的葡萄糖传感器。在镀铂的玻碳电极表面，电聚合邻苯二胺，制成基底电极，化学交联法将葡萄糖氧化酶固定在基底电极表面，制成葡萄糖传感器。聚邻苯二胺膜具有选择渗透性，可以防止抗坏血酸，尿酸等电活性物质对电极表面的污染，提高了电极的选择性和使用寿命。电极保留了葡萄糖氧化酶电极灵敏度高，响应快，线性宽的优点。9、以氟离子选择电极为基底的半乳糖传感器。用戊二醛和牛血清白蛋白将半乳糖氧化酶固定在80目尼龙网上，制成酶膜，将酶膜和氟电极上起构成半乳糖传感器，当底液中含有20U/mL的辣根过氧化物酶的0.001mol/L的对氟苯酚时，该传感器可以用来测定D-半乳糖，在pH6左右，测定的线性范围为1.2 * 10~(-4) ～ 1.2 * 10~(-3) mol/L，根据底物浓度的不同，响应时间在5 ～ 8min，酶电极具有良好的重现性和选择性，电极寿命10天左右。

猴和人T淋巴细胞表面TRBC受体和E受体的比较研究

1985年贲昆龙等首次发现人和猴T淋巴细胞能与树鼩(Tupaia belangeri)的红细胞(TRBC)形成亲和力极强的玫瑰花结，它与绵羊红细胞(SRBC)玫瑰花结(E花结)明显不同。例如，TRBC经神经氨酸酶处理之后，结花率明显下降，TRBC与T淋巴细胞所形成的玫瑰花结，经45℃保温，仍不受影响，为了进一步探讨TRBC受体和SRBC受体(CD2)，以及与其它T细胞表面分化搞原(CD)的系。我用某些抗人T细胞CD的单克隆抗体(McAb)对人和猴淋巴细胞进行玫瑰花结抑制试验，抗原调变和共调变(Antigenic modulation or co-modulation)实验，并且研究了TRBC受体在其它免疫细胞和某些人类和长臂猿细胞系的分布。结果表明，TRBC与外周血E~+-PBL形成玫瑰花结的百分率为88.8%。而E~--PBL仅为4.16%。TRBC受体存在于所有被试T细胞系(CEM, H33JHJA1, Jurkat, MLA-144, Molt-3, Molt-4, Molt-4 clone-8 和PEER)，但不存在于外周血粒细胞，B细胞，以及B细胞系的绝大多数细胞表面(Daudi, Raji和Reh)。分布于全T细胞的CD3, TCR, CD5, CD6和CD7的相McAb OKT3, T108(F1), T136(F101-15), T149(M-T604)和T152(7G5)均不能调变和共调变TRBC受体。猴和人外周血淋巴细胞与TRBC玫瑰花结的形成，不被T11.1 McAb OKT11所阻断，相反，OKT11显著地阻断猴和人外周血淋巴细胞E玫瑰花结的形成，最大抑制率分别为49.3%和77.7%。在世界各地10个实验室送交第四次国际人白细胞化化抗原讨论会待鉴定的13个CD2 McAb中，除T089 (39C1.5)因抗体量不够未作实验外，对其他12种McAb都进行试验，T081 (x/3)，T082 (GLB-T11.2/1)，T083 (GLB-T11.1/1)，T085 (RPA-2.10)，T1088 (0-275)和T092 (M-T201)对TRBC玫瑰花结和E玫瑰花结都呈现明显的阻断作用，T084 (F110.08)，T091 (AICD2.1)以及已知参数CD2 McAb-T086 (D-66 clonel)和T087 (GT-2)都不阻TRBC玫瑰花结的形成，亦不调变TRBC受体，而对E玫瑰花结则有不同程度阻断效应，并且调变E变体，使E玫瑰花结形成细胞百分率下降。T090 (6F10.3)和T198 (JOR-T2)即不阻TRBC玫瑰花结的形成，也不抑制E玫瑰花结的形成。由此可见，TRBC受体分布于全T细胞，它不同于已知的全T细胞表面分化抗原CD2 (gp50), CD3/TCR复合物，CD5, CD6和CD7。CD2分子不与TRBC玫瑰花结的形成，也不是介导E玫瑰花结的唯一分子。至少有二个或三个以上的蛋白质与E玫瑰花结和TRBC玫瑰花结的形成有关，其中有的分子为E受体和TRBC受体所共有。TRBC受体很有可能包括新的T淋巴细胞分化抗原。

西藏红拉雪山自然保护区黑白仰鼻猴 Rhinopithecus bieti 的生态与行为研究，中国及其邻近地区兽类动物地理区划数量分析

从 2002 年11 月至2005 年4 月，在西藏红拉雪山自然保护区（98°20' ~ 98°59'E，28°48' ~ 29°40'N）对小昌都黑白仰鼻猴（Rhinopithecus bieti）群（98°35'00" ~ 98°40'00"E，29°14'24" ~ 29°16'42"N）（210 只左右）的生境及其利用形式、食 性、活动时间分配、过夜树及过夜地选择、雄－婴照料和繁殖季节作了重点研究， 并对保护区内的猴群分布、种群数量、保护状态以及潜在的威胁因素等作了一般 性的考查研究。 红拉雪山自然保护区存在3 个黑白仰鼻猴群，数量至少有300 只。从北到南 分别是执娜群、小昌都群和米拉卡群，其中执娜群（29°22'，98°28'），是黑白仰 鼻猴最北分布群。猴群栖息范围中，人类的经济活动频繁。由于活动范围位于或 接近藏传佛教的神山，小昌都和执娜猴群保护最好，这两群之间存在生境走廊。 米拉卡猴群保护状态较差，主要是偷猎现象还没有杜绝。对过去20 年的农牧业 统计资料及藏族风俗习惯和民族传统综合分析发现：在红拉雪山自然保护区，尽 管人类经济活动频繁，但猴群与人类和谐共存是可能的。 小昌都猴群全年白天用49％的时间取食，20％的时间移动，18％的时间休 息，13％的时间作其他的活动。在6-8 月，猴群日间表现出明显的三个取食高峰， 两个休息高峰。在11-1 月，猴群有两个取食高峰，一个休息高峰，或者休息高 峰根本不明显（12 月）。尽管环境温度和食物组成等也会影响时间预算，但造成 这种现象的主要原因可能是白天长度的季节性变化。 小昌都猴群年家域为21.25 km2，且主要在3800 – 4250 米的针叶林中活动。 食物好的季节，猴群日移动距离长，日活动范围大；食物差的季节，则相反。秋 －冬季（10-12 月）由于取食川滇高山栎（Quercus aquifolioides），活动的海拔高 度高于其它季节；冬季（1-4 月）活动范围最低。猴群并不避免在人类间伐过的 次生针叶林中活动。小生境的使用强度与在此生境中过夜的次数有关。 小昌都猴群的食物以松萝为主。全年的食物组成：用单筒望远镜观察，松萝 82.1％，芽和叶12.1%，花、果实或种子占1.1%，无脊椎动物占0.6%，树皮、 树根、树胶，草等占4.2%；接近猴群用肉眼或双筒望远镜观察，松萝50.8％， 芽和叶28.5%，花、果实或种子占7.1%，无脊椎动物占6.5%，树皮、树根、树胶，草等占7.1%。根据动物在不同林层分布百分比整合后得到接近真实的食物 构成：松萝75.4％，芽和叶15.7%，花、果实或种子占2.9%，无脊椎动物占2.4%， 树皮、树根、树胶，草等占3.9%。猴群在夏季（6-8 月）会下地翻开小石块，取 食无脊椎动物。冬季（1-4 月）会取食至少6 种树皮和2-3 种干草。 基于避免捕食、安全、舒适、体温调节的考虑，小昌都猴群选择高大、底枝 高、底枝长以及层数多的树过夜，并在背风、阳坡和海拔低的过夜地过夜。在过 夜地的选择中，存在着阳坡和海拔高度的权衡决策。 小昌都猴群个体不同林层的分布：77.5％在树上，6.0％在灌丛，16.5％在地 上。成年雄猴和青年猴倾向于在地上活动。在地上活动时又倾向于移动，休息和 其他活动少。获得高质量的食物和避免被捕食是出现这种格局的原因。 在小昌都猴群中，婴猴受到雄猴照料时间百分比（percent time of infant care, PTIC）为17.2±3.3，其中身体接触（BC）、接近（IP）和监护（G）照料的时 间百分比分别为0.6±0.5、5.8±1.2 和10.8±3.8。G 照料的最低值和最高值分别 在8 月和3 月。雌猴总PTIC 为69.3±6.9，其中BC、IP 和G 的时间分别为42.0 ±8.6、21.6±5.3 和5.7±3.8。最低BC 和最高G 照料同时出现在3 月。对雄猴， （1）总PTIC 在能量压力高的季节明显高于能量压力低的季节；（2）G 照料PTIC 在能量压力高的季节也要比能量压力低的季节高；（3）BC 和IP 照料在两个季节 之间没有区别。对于雌猴，（1）总PTIC 在高能量压力季节要比低能量压力季节 低；（2）G 照料在高能量压力季节要比低能量压力季节高，而BC 照料在高能量 压力季节要比低能量压力季节低；（3）IP 照料在两个季节之间没有区别。这种 高强度的雄婴照料，特别是托儿所的照料方式，是由这种环境下过高的能量压力 所引起的。 小昌都群为严格季节性出生且出生季节在2 月初到3 月中旬之间，时间跨度 45 天，属脉冲型。这种格局是光周期、温度、食物等环境因子综合调控的结果。 综合以上结果我们认为小昌都群的行为和生态特点，除具备疣猴一般特点 外，还具有地点特殊性，是自然环境如光照、温度、食物供给季节变化和生物环 境如捕食压和人类活动相互作用的结果，或者可以看成是能量摄入和损耗之间以 及它们和安全之间的权衡结果，体现了猴群对极端环境的适应。

中国海洋深地震探测与研究进展

对中国（大陆）的海洋深地震探测工作进行了回顾，重点讨论了南海北部边缘OBS探测的几条剖面及动力学意

A Planar InGaAs/InP Geiger Mode Avalanche Photodiode with Cascade Edge Breakdown Suppression

A Geiger mode planar InGaAs/InP avalanche photodiode （APD） with a cascade peripheral junction structure to suppress edge breakdowns is designed by finite-element analysis. The photodiode breakdown voltage is reduced to 54.3V by controlling the central junction depth, while the electric field distribution along the device central axis is controlled by adjusting doping level and thickness of the lnP field control layer. Using a cascade junction structure at the periphery of the active area, premature edge breakdowns are effectively suppressed. The simulations show that the quadra-cascade structure is a good trade-off between suppression performance and fabrication complexity, with a reduced peak electric field of 5.2 × 10~5 kV/cm and a maximum hole ionization integral of 1. 201. Work presented in this paper provides an effective way to design high performance photon counting InGaAs/InP avalanche photodiodes.

RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料

用射频等离子体辅助分子束外延技术（RF-MBE）在c面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlN/GaN超晶格结构极化感应二维电子气材料。所获得的掺Si的GaN膜室温电子浓度为2.2 * 10~(18)cm~(-3)，相应的电子迁移率为221cm~2/(V·s);1μm厚的GaN外延膜的（0002）X射线衍射摇摆曲线半高宽（FWHM）为7’；极化感应产生的二维电子气室温电子迁移率达到1086cm~2/(V·s)，相应的二维电子气面密度为7.5 * 10~(12)cm~(-2)。

非晶/微晶过渡区域硅薄膜的微区喇曼散射研究

通过改变氢气对硅烷气体的稀释程度，并保持其他的沉积参量不变，用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法成功地制备出非晶/微晶相变过渡区域的硅薄膜样品。测量了样品的室温光电导和暗电导，样品的光电性能优越，在50 mW·cm~（-2）的白光照射下，光电导和暗电导的比值达到10~6。在室温下用微区喇曼谱研究了薄膜的微结构特性，用高斯函数对喇曼谱进行了拟合分析。结果表明，在我们的样品制备条件下，当H_2和SiH_4的流量比R较小时，样品表现出典型的非晶硅薄膜 的结构特性；随流量比R的增大，薄膜表现出两相结构，其中的微晶成分随氢稀释比的增大逐渐增多；用量子尺寸效应估算了两个高氢稀释样品（R > 50）中微晶粒子的平均尺寸大小为2.4 nm左右；样品的中程有序度随氢稀释程度的增加而增大。

分子束外延AlGaN/GaN异质结场效应晶体管材料

用自组装的氮源分子束外延（NH_3-MBE）系统和射频等离子体辅助分子束外延（PA-MBE）系统在C面蓝宝石衬底上外延了优质GaN以及AlGaN/GaN二维电子气材料。GaN膜（1.2 μm厚）室温电子迁移率达300 cm~2/V·s，背景电子浓度低至2 * 10~(17) cm~(-3)。双晶X射线衍射（0002）摇摆曲线半高宽为6 arcmin。AlGaN/GaN二维电子气材料最高的室温和77 K二维电子气电子迁移率分别为730 cm~2/V·s和1200 cm~2/V·s，相应的电子面密度分别是7.6 * 10~(12) cm~(-2)和7.1 * 10~(12) cm~(-2)；用所外延的AlGaN/GaN二维电子气材料制备出了性能良好的AlGaN/GaN HFET（异质结场效应晶体管），室温跨导为50 mS/mm（栅长1 μm），截止频率达13 GHz（栅长0.5 μm）。该器件在300 ℃出现明显的并联电导，这可能是材料中的深中心在高温被激活所致。

3μm GaInNAs/GasAs Quantum Well Resonant Cavity Enhanced Photodetector

A 1.3μm GaInNAs resonant cavity enhanced (RCE) photodetector (PD) has been grown by molecular beam epitaxy (MBE) monolithically on (100) GaAs substrate using a home-made ion-removed dc-plasma cell as nitrogen source. A transfer matrix method was used to optimize the device structure. The absorption region is composed of three GaInNAs quantum wells separated by GaAs layers. Devices were isolated by etching 130μm-diameter mesas and filling polyamide into grooves. The maximal quantum efficiency of the device is about 12% at 1.293μm. Full width at half maximum (FWHM) is 5.8nm and 3dB bandwidth is 304MHz. Dark current is 2 * 10~(-11) A at zero bias voltage. Further improvement of the performance of the RCE PD can be obtained by optimizing of the structure design and MBE growth conditions.

空间实用背场Si太阳电池和GaAs/Ge太阳电池性能随质子辐照注量变化的比较

研究了空间实用背场Si太阳电池和GaAs/Ge太阳电池性能随质子辐照注量1 * 10~9 ～ 5 * 10~(13) cm~(-2)的变化。实验表明，两种太阳电池的电性能随辐照注量增加有不同的衰降趋势，背场Si太阳电池性能参数I_(sc)、V_(oc)和P_(max)衰降变化快，辐照注量为2 * 10~(10)cm~(-2)时，P_(max)就已衰降为原值的75％；而GaAs/Ge电池对应相同的衰降辐照注量达8 * 10~(11)cm~(-2), 且其I_(sc)、V_(oc)和P_(max)衰降变化起初缓慢，当辐照注量接近3 * 10~(12)~(-2)时才迅速下降。背场Si电池和GaAs/Ge电池性能衰降分别与擀子辐照引入的E_v + 0.14eV及E_v + 0.43eV和E_c - 0.41eV深能级有关。

铕离子注入氧化硅膜光发射的研究

采用铕离子注入热生长SiO_2薄膜的方法，获得掺杂剂量为10~(14) cm~(-2)及10~(15)cm~(-2)的SiO_2:Eu~(3+)硅基复合膜，研究了该薄膜的光致发光退火特性。经1000℃退火后观察到Eu~(3+)的红光发射。在1200℃下氮气中退火观察到Eu~(2+)450 nm的强光发射。讨论了Eu~(3+)向Eu~(2+)的转变。

中子辐照GaAs的沟道卢瑟福背散射研究

用沟道RBS方法研究了中子辐照GaAs的缺陷在快速退火过程中的恢复行为。结果表明，在10~(14)～10~(17)/cm~2范围内离位原子浓度近似按辐照剂量量级的平方关系增长。中子辐照效应对ψ_(1/2)没有影响。经一定剂量辐照后，退火温度越高，退火时间越长，离位原子的恢复效果越明显。10~(15)/cm~2剂量辐照损伤的恢复激活能E_1 approx=0.23eV,可能对应空位与迁移而来的填隙原子的复合；而10~(17)/cm~2剂量辐照损伤的恢复激活能E_2 approx=0.13eV,对应空位与其附近的填隙原子的复合。