中子辐照GaAs的沟道卢瑟福背散射研究

用沟道RBS方法研究了中子辐照GaAs的缺陷在快速退火过程中的恢复行为。结果表明，在10~(14)～10~(17)/cm~2范围内离位原子浓度近似按辐照剂量量级的平方关系增长。中子辐照效应对ψ_(1/2)没有影响。经一定剂量辐照后，退火温度越高，退火时间越长，离位原子的恢复效果越明显。10~(15)/cm~2剂量辐照损伤的恢复激活能E_1 approx=0.23eV,可能对应空位与迁移而来的填隙原子的复合；而10~(17)/cm~2剂量辐照损伤的恢复激活能E_2 approx=0.13eV,对应空位与其附近的填隙原子的复合。