铕离子注入氧化硅膜光发射的研究

采用铕离子注入热生长SiO_2薄膜的方法，获得掺杂剂量为10~(14) cm~(-2)及10~(15)cm~(-2)的SiO_2:Eu~(3+)硅基复合膜，研究了该薄膜的光致发光退火特性。经1000℃退火后观察到Eu~(3+)的红光发射。在1200℃下氮气中退火观察到Eu~(2+)450 nm的强光发射。讨论了Eu~(3+)向Eu~(2+)的转变。

采用铕离子注入热生长SiO_2薄膜的方法，获得掺杂剂量为10~(14) cm~(-2)及10~(15)cm~(-2)的SiO_2:Eu~(3+)硅基复合膜，研究了该薄膜的光致发光退火特性。经1000℃退火后观察到Eu~(3+)的红光发射。在1200℃下氮气中退火观察到Eu~(2+)450 nm的强光发射。讨论了Eu~(3+)向Eu~(2+)的转变。

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中国科学技术大学研究生院物理学部;中科院半导体所;北方交通大学光电子研究所