空间实用背场Si太阳电池和GaAs/Ge太阳电池性能随质子辐照注量变化的比较


Autoria(s): 王荣; 周宏余; 司戈丽; 姚淑德; 张新辉; 郭增良; 翟佐绪; 王勇刚; 朱升云
Data(s)

2002

Resumo

研究了空间实用背场Si太阳电池和GaAs/Ge太阳电池性能随质子辐照注量1 * 10~9 ~ 5 * 10~(13) cm~(-2)的变化。实验表明,两种太阳电池的电性能随辐照注量增加有不同的衰降趋势,背场Si太阳电池性能参数I_(sc)、V_(oc)和P_(max)衰降变化快,辐照注量为2 * 10~(10)cm~(-2)时,P_(max)就已衰降为原值的75%;而GaAs/Ge电池对应相同的衰降辐照注量达8 * 10~(11)cm~(-2), 且其I_(sc)、V_(oc)和P_(max)衰降变化起初缓慢,当辐照注量接近3 * 10~(12)~(-2)时才迅速下降。背场Si电池和GaAs/Ge电池性能衰降分别与擀子辐照引入的E_v + 0.14eV及E_v + 0.43eV和E_c - 0.41eV深能级有关。

教育部重点实验室访问学者基金资助项目

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18109

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/103692

Idioma(s)

中文

Fonte

王荣;周宏余;司戈丽;姚淑德;张新辉;郭增良;翟佐绪;王勇刚;朱升云.空间实用背场Si太阳电池和GaAs/Ge太阳电池性能随质子辐照注量变化的比较,半导体学报,2002,23(1):49-52

Palavras-Chave #半导体材料
Tipo

期刊论文