非晶/微晶过渡区域硅薄膜的微区喇曼散射研究

通过改变氢气对硅烷气体的稀释程度，并保持其他的沉积参量不变，用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法成功地制备出非晶/微晶相变过渡区域的硅薄膜样品。测量了样品的室温光电导和暗电导，样品的光电性能优越，在50 mW·cm~（-2）的白光照射下，光电导和暗电导的比值达到10~6。在室温下用微区喇曼谱研究了薄膜的微结构特性，用高斯函数对喇曼谱进行了拟合分析。结果表明，在我们的样品制备条件下，当H_2和SiH_4的流量比R较小时，样品表现出典型的非晶硅薄膜 的结构特性；随流量比R的增大，薄膜表现出两相结构，其中的微晶成分随氢稀释比的增大逐渐增多；用量子尺寸效应估算了两个高氢稀释样品（R > 50）中微晶粒子的平均尺寸大小为2.4 nm左右；样品的中程有序度随氢稀释程度的增加而增大。

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