Raman谱研究不同缓冲层结构对Si_(1-x)Ge_x应力弛豫的影响

应用Raman散射谱研究超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)生长的不同结构缓冲层对恒定组分上表层Si_(1-x)Ge_x层应力弛豫的影响。Raman散射的峰位不仅与Ge组分有关,而且与其中的应力状态有关。在完全应变和完全弛豫的情况下，Si_(1-x)Ge_x层中的Si-Si振动模式相对于衬底的偏移都与Ge组分成线性关系。根据实测的Raman峰位，估算了应力弛豫。结果表明

衬底温度和生长速率对MBE自组织生长In_xGa_(1-x)As/GaAsQD的影响

研究GaAs基In_xGa_(1-x)As/GaAs量子点(QD)的MBE生长条件，发现在一定的Ⅴ/Ⅲ比下，衬底温度和生长速率是影响In_xGa_(1-x)As/GaAs QD形成及形状的一对重要因素，基中衬底温度直接影响着In的偏析程度，决定了In_xGa_(1-x)As/GaAs的生长模式；生长速率影响着In_xGa_(1-x)As外延层的质量，决定了In_xGa_(1-x)As/GaAs QD的形状及尺寸。通过调节衬底温度和生长速率生长出了形状规则、尺寸较均匀的In_xGa_(1-x)As/GaAs QD(x=0.3)。

Characterization of Ga N_x As_(1 - x) Alloy Grownon Ga As by Molecular Beam Epitaxy

集成光电子学国家重点实验室基金,国家863计划,国家自然科学基金,中科院项目

Photocurrent Measurem entof Si_(1-x)Ge_x/Si Multiple Quantum Wells With Ion Im plantationand Therm al Annealing

于2010-11-23批量导入

立方相Al_xGa_（1-x）N/GaAs（100）的光致发光研究

于2010-11-23批量导入

Al_xGa_（1-x）N and GaN/Al_xGa_（1-x）N Quantum Wells Grown by Gas Sourc

于2010-11-23批量导入

Si_（1-x）Ge_x/Si低维应变材料的发光机理

国家自然科学基金

巨磁电阻材料La_(2/3)Ca_(1/3)Mn(O_(1-x),F_x)_3的研究

主要采用了X射线衍射、Mossbauer谱、磁测量等方法系统研究了块体巨磁电阻材料La_(2/3)Ca_(1/3)Mn_(1-x)Fe_xO_3在不同铁含量(0≤x≤0.84)时结构、性能、磁性的变化，并给予合理的解释。在0<x≤0.67范围内，发现掺入的Fe与近邻Mn或Fe具有强弱不同的反铁磁相互作用，影响了Mn~(4+)和Mn~(3+)之间的双交换作用，从而降低了居里温度(T_C)、磁化强度和巨磁电阻效应；并且整个晶体是由不同大小的磁性团簇(cluster)组成的。

分子束外延生长的n型Al掺杂ZnS_(1-x)Te_x深中心研究

应用电容-电压、光致荧光和深能级瞬态谱技术研究了分子束外延生长的n型Al掺杂ZnS_(1-x)Te_x外延层深中心。Al掺杂ZnS_(0.977)Te_(0.023)的光致荧光强度明显低于不掺杂的ZnS_(0.977)Te_(0.023),这表明一部分Al原子形成非辐射深中心。Al掺杂ZnS_(1-x)Te_x(x=0,0.017,0.04和0.046)的深能级瞬态傅里叶谱表明，Al引进导带下的0.21和0.39eV电子陷阱，Te除了作为材料合金的成分和等电子中心外，还涉及到一个电子陷阱的形成，其相对导带的能级位置随Te组分增加而减小。实验结果还表明仅有少量掺杂的Al原子形成非辐射中心，这说明Al对于Te组分范围内(x≤0.046)的ZnS_(1-x)Te_x外延层的确是一种非常好的施主杂质。

In_(1-x-y)Ga_xAl_yAs四元混晶的喇曼散射

国家自然科学基金

3～5.3μmIn_xGa_(1-x)As/Al_yGa_(1-y)As/Al_zGa_(1-z)As非对称台阶量子阱红外探测器

于2010-11-23批量导入

In_xGa_(1-x)As/InP应变量子阱中激子跃迁能量随In组分的变化

国家863计划

晶格匹配型GaAs／Al_xGa_（1－x）As量子阱电极光电转换性能的研究

研究了晶格匹配型GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱电极在非水溶液中的光电转换性能,以及电极结构参数(如阱宽、外垒厚度,量子阱周期)对其光电转换性能的影响,并设计生长了量子产率可比GaAs电极高3倍的变阱宽多周期新型结构的量子阱电极.