灌浆期干旱对不同倍性小麦光合和产量的影响

为揭示灌浆期水分亏缺对不同倍性小麦光合特性和产量的影响,选用二倍体野生一粒、栽培一粒小麦,四倍体野生二粒、栽培二粒小麦,六倍体小麦"长武134"和"陕253"等6个小麦品种作为供试材料,通过盆栽控水方式,对不同倍性小麦旗叶净光合速率、瞬时水分利用效率和产量进行了研究。结果表明,在正常供水、轻度干旱和严重干旱3种水分处理下,不同倍性小麦旗叶净光合速率、水分利用效率和产量差异极显著。在灌浆过程中,水分亏缺对不同倍性小麦净光合速率变化趋势的影响不明显。而最大净光合速率和水分利用效率随水分胁迫的加重而减小。六倍体小麦平均最大净光合速率为22.03μmol CO2.m-2.s-1),高于二倍体和四倍体小麦。六倍体小麦平均最大水分利用效率约为7.12μmol CO2/mmol H2O,分别是四倍体和二倍体的1.63倍和2.05倍,并且在灌浆开始时就达到最大。因此,小麦长期进化过程中,六倍体小麦花后较强的光合能力和较高的水分利用效率是提高小麦产量的重要生理基础。

激光诱导化学刻蚀的研究

随着电子工业的发展，激光诱导化学刻蚀日益受到人们的广泛重视，这方面的理论研究是从八十年代开始，并迅速得到实际应用。用激光诱导可以选择性地激发常规条件下难以发生的化学反应并进行区域控制的显微化学研究。本文首先阐述了光化学反应的基本原理，并对激光化学刻蚀的研究作了综述，概括了激光诱导化学反应的各种激发和可能的机理。本文主要是以Ar_+激光和XeCl_2准分子激光为光源分别对Cu_-CH_2Cl_2, Cu_-Cl_2, Si-CH_2Cl_2, Au-Cl_2和Al-Cl_2体系作了研究。着重讨论了激光能量和气体中对刻蚀速度的影响。我们所用的反应池是一个15cm长，直径为3cm的玻璃反应池，采用CaF_2晶体为窗片。基片通过活塞固定在反应池中部可随活塞调节基片方向，使其平行或垂直于激光束。每次实验前先将反应池抽至真空10~(-5)乇，然后充入气体。进行光化学实验时，激光通过光栏和石英透镜聚焦在基片上。用Ar_+激光引发Si_1CH_2Cl_2的反应中，我们主要是以红外吸收光谱为分析手段，测量反应前后气体的浓度变化，研究了激光能量和气体的压强对气体反应率的影响，这里Si-CH_2Cl_2的反应表现为典型的热反应处理。用Ar_+激光激发Cu-Cl_2、Cu-CH_2Cl_2的反应中，我们也重点讨论了激光能量和气体压强的影响，对比了两个体系的反应速度，分析了其阈值及刻蚀性能的差别，认为由于Cl_2分子可被多谱线的Ar_+激光所分解，而CH_2Cl_2对Ar_+激光无吸收，因而，Cu-Cl_2体系的激发是固体激发和气体激发的双重结果。而Cu-CH_2Cl_2体系只是通过加热基片的热化学过程，因此前者的反应速度快，阈值低。XeCl_2准分子激光器的波长为308.0nm，这是研究化学反应较理想的波长，Cl_2在这个波长下可有更多分解为自由基，我们用XeCl_2准分子激光器研究了能量密度和气体压强对Al-Cl_2和Au-Cl_2体系的刻蚀速率的影响，对比了金属消融和化学刻蚀的差异，进一步说明了化学刻蚀的性能与激光能量密度，激光波长和工作气体压强有很大关系，并且还与聚焦等因素有关。

四川和云南汉族长寿老人长寿机理研究

随着社会的发展，人均寿命的延长，人口老龄化已经成为我国不可回避的社会 问题。老年人在医疗卫生保健方面的花费远远超过普通人群。健康长寿老人能避 免或者延缓年龄相关疾病的发生，从而减少在卫生保健方面的花费；另外，长寿 老人的子女在年龄相关疾病方面的患病率也显著低于年龄相匹配的对照组。因 此，开展健康长寿方面的研究，一方面可以提高老年人的生活质量，另一方面可 以改善由于人口老龄化而引起的社会问题。 我国长寿老人大多零散分布在乡区，并且由于长寿老人的身体条件等原因， 给完整的收集相关数据带来困难。国内关于长寿的研究主要集中在城镇，而且由 于人群、地域、生活方式等差异我们也不能完全借鉴国外的研究成果。因此,我 们对四川和云南汉族健康长寿老人进行横断面研究,并对其长寿机理进行探索。 从亲缘关系上我们把样品分为：长寿组、血缘组和无血缘组三个组；从年龄上分 为：≤59、60-89、90-94 和≥95 四个组。在实验中，我们测定了常规体检指标， 常见促炎细胞因子和抗炎细胞因子水平以及其调控区的单核苷酸多态性。 一般认为随着年龄增加血糖水平升高，并且高水平的 HDL-C 和高比率的 HDL-C/TC 以及低TC,TG 和LDL-C 水平有利于长寿。都江堰长寿老人血糖水平偏 低，显著低于血缘组和无血缘组以及其他年龄组；调整年龄后，都江堰≥95 岁 年龄组的血糖水平显著高于90-94 年龄组；血糖水平在性别间不存在显著差异。 都江堰长寿老人LDL-C 水平在90-94 和≥95 年龄组显著低于其他年龄组，≥95 年龄组显著低于90-94 年龄组；调整性别后，90-94 年龄组女性的LDL-C 水平显 著高于男性水平，其他年龄组在性别间差异不显著；女性≥95 年龄组显著低于 90-94 年龄组，但在男性中差异不显著。TG 和TC 水平在都江堰和红塔两地各组 中的变化趋势都存在着差异，在性别间比较发现两地各年龄组变化趋势都一致， 仅在90-94 年龄组女性都显著高于男性。HDL-C 水平和HDL-C/TC 在都江堰和红 塔两地各组中变化趋势不一致，调整性别后HDL-C/TC 在90-94 年龄组两地女性 的比率都显著大于男性。通常IL6、IL10 和TNFα 水平随着年龄增加而升高。云 南长寿老人的IL6 水平显著高于血缘组和无血缘组，性别之间的差异不显著。 IL10 水平长寿组显著高于无血缘组，TNFα 水平在各组间差异不显著，由于这两 种细胞因子在绝大多数个体中呈本底水平表达，很难分析年龄与它们水平的相关性。在这三种细胞因子调控区的常见SNPs 位点上，许多研究表明il10-1082 和 il6-174 位点和长寿存在着一定的相关性，tnfα-308 位点与长寿不存在相关性。 在我们收集的样品中il6-174 位点不存在多态性。男性个体的il10-592A 和-819T 的等位基因频率在长寿组显著高于无血缘组，在-1082 位点与长寿不存在相关性。 tnfα-238A 和-308A 等位基因频率在长寿组中显著高于无血缘组，在各组单倍型 间的差异显著，G-G 单倍型在长寿组中呈下降趋势；调整性别后，两位点的等位 基因频率在各组间的差异不显著，但单倍型在各组间差异显著，变化趋势同调整 性别前一致。 总之，四川都江堰长寿人群的血糖水平和LDL-C 水平比较低，都江堰和云南 红塔两地长寿老人的血脂水平存在着地域差异。与前人的研究结果比较,汉族人 群的IL6、IL10 和TNFα水平以及常见的启动区SNPs 位点可能存在人种差异。

澜沧江姬鼠（Apodemus ilex）和大耳姬鼠（Apodemus latronum）头骨形态地理分化及其生物地理初步分析

姬鼠有很长的进化历史，并且其进化历史被认为与全球地质变迁、植物区系演替有关。横断山脉具有最复杂的水系、山系及复杂的地质历史。本文以横断山脉为主要分布区的澜沧江姬鼠（Apodemus ilex）和横断山脉的特有种大耳姬鼠（A. latronum）为研究对象，旨在探讨这两种姬鼠的形态分化。 本研究对308号澜沧江姬鼠成年头骨标本及188号大耳姬鼠成年头骨标本的16个变量进行了测量，利用多变量和单变量分析方法，对两种姬鼠的头骨形态分化进行了研究。分析表明澜沧江姬鼠可分为6个居群：高黎贡北、高黎贡南、永德大雪山、云岭南、云岭北和东川轿子山；而大耳姬鼠可分为4个居群：川西藏南、川中南、滇西北和滇东北。并且差异主要体现在下臼齿列长（CLLMR）、上臼齿列长（CLUMR）、上臼齿横宽（M1-M1）、第一上臼齿长（LM1）、下齿列长（LLTR）和眶间宽（IB）等6个与咀嚼、咬合能力有关的变量，表明食性差异在姬鼠类群适应性进化中扮演着重要角色。

HYDROGEN DIFFUSION IN A-SI-H/A-SI STRUCTURE UNDER ELECTRICAL BIAS

By using the technique of elastic recoil detection (ERD), we have measured the hydrogen profiles in a-Si:H/a-Si structure samples annealed at various temperatures with and without electrical bias, and investigated the influence of electrical bias on hydrogen diffusion. The results show that hydrogen diffusion in a-Si is significantly enhanced by the action of electrical bias. The existence of the excess carriers, which are introduced by electrical injection, is considered to be responsible for the enhancement of hydrogen diffusion, and the microprocess of hydrogen transport has been exploited.

EXCIMER-LASER DOPING OF SPIN-ON DOPANT IN SILICON

Solid films containing phosphorus impurities were formed on p-type silicon wafer surface by traditional spin-on of commercially available dopants. The doping process is accomplished by irradiating the sample with a 308 nm XeCl pulsed excimer laser. Shallow junctions with a high concentration of doped impurities were obtained. The measured impurity profile was ''box-like'', and is very suitable for use in VLSI devices. The characteristics of the doping profile against laser fluence (energy density) and number of laser pulses were studied. From these results, it is found that the sheet resistance decreases with the laser fluence above a certain threshold, but it saturates as the energy density is further increased. The junction depth increases with the number of pulses and the laser energy density. The results suggest that this simple spin-on dopant pre-deposition technique can be used to obtain a well controlled doping profile similar to the technique using chemical vapor in pulsed laser doping process.

MODELING OF ELECTRON-TUNNELING TIMES IN ASYMMETRIC DOUBLE QUANTUM-WELLS

A scattering process modeled by an imaginary potential V(I) in the wide well of an asymmetric double quantum well structure (DQWS) is used to model the electron tunneling from the narrow well. Taking V(I) approximately -5 meV, the ground resonant level lifetimes of the narrow well in the DQWS are in quantitative agreement with the experimental resonance and non-resonance tunneling times. The corresponding scattering time 66 fs is much faster than the intersubband scattering time of LO-photon emission.

用正电子研究原生ZnO单晶中的缺陷

利用正电子寿命谱和多普勒展宽谱技术研究了原生ZnO的缺陷结构及其退火效应. 经900 ℃退火之后,正电子寿命实验显示样品中的空位型缺陷基本被消除,其体寿命为180 ps.通过比较原生和退火样品的符合多普勒展宽谱的商谱曲线,两者有相似的峰型,结合寿命谱的相关数据表明原生ZnO中不存在H原子填充Zn空位.

GaN外延材料中持续光电导的光淬灭

研究了非故意掺杂和掺Si的n型GaN外延材料持续光电导的光淬灭.实验发现,非故意掺杂GaN的持续光电导淬灭程度远大于掺Si的n型GaN;撤去淬灭光后前者的持续光电导几乎没有变化,后者却明显减小;稍后再次加淬灭光,前者的持续光电导仍无变化,而后者却明显增加.作者认为两者持续光电导的形成都与空穴陷阱有关,用空穴陷阱模型解释了非故意掺杂GaN持续光电导的形成以及淬灭过程;掺Si的n型GaN的持续光电导是电子陷阱(杂质能级)和空穴陷阱共同作用的结果,并且在持续光电导发生的不同阶段其中一种陷阱的作用占主要地位.

GaN基蓝光半导体激光器的发展

文章介绍了下一代光存储用半导体激光器--GaN蓝光激光器的发展状况．对衬底材料的发展现状、外延片的生长技术以及激光器的制作工艺都作了论述．阐明了GaN激光器的一些技术路线，如GaN同质生长衬底的发展，侧向外延生长技术的采用以及湿法腐蚀腔面等．另外还介绍了GaN半导体激光器数字多功能光盘(DVD)的实用化进程．

掺杂nc-Si∶H膜的电导特性

于2010-11-23批量导入

1.3 mu m GaInNAs/GaAs multiple-quantum-wells resonant-cavity-enhanced photodetectors

A GaInNAs/GaAs multiple quantum well (MQW) resonant-cavity enhanced (RCE) photodetector operating at 1.3 mum with the full-width at half-maximum of 5.5 nm was demonstrated. The GaInNAs RCE photodetector was grown by molecular-beam epitaxy using an ion-removed dc-plasma cell as nitrogen source. GaInNAs/GaAs MQW shows a strong exciton peak at room temperature that is very beneficial for applications in long-wavelength absorption devices. For a 100-mum diameter RCE photodetector, the dark current is 20 and 32 pA at biases of 0 and 6 V, respectively, and the breakdown voltage is -18 V. The measured 3-dB bandwidth is 308 MHz. The reasons resulting in the poor high speed property were analyzed. The tunable wavelength of 18 nm with the angle of incident light was observed.

Influences of initial nitridation process on the optical and structural characterization of GaN layer grown on sapphire (0001) by metalorganic chemical vapor deposition

In this paper. we investigate the influences of the initial nitridation of sapphire substrates on the optical and structural characterizations in GaN films. Two GaN samples with and without 3 min nitridation process were investigated by photoluminescence (PL) spectroscopy in the temperature range of 12-300 K and double-crystal X-ray diffraction (XRD). In the 12 K PL spectra of the GaN sample without nitridation, four dominant peaks at 3.476, 3.409 3.362 and 3.308 eV were observed, which were assigned to donor bound exciton, excitons bound to stacking faults and extended structural defects. In the sample with nitridation, three peaks at 3.453, 3.365. and 3.308 eV were observed at 12 K, no peak related to stacking faults. XRD results at different reflections showed that there are more stacking faults in the samples without nitridation.