GaN外延材料中持续光电导的光淬灭
| Data(s) |
2005
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|---|---|
| Resumo |
研究了非故意掺杂和掺Si的n型GaN外延材料持续光电导的光淬灭.实验发现,非故意掺杂GaN的持续光电导淬灭程度远大于掺Si的n型GaN;撤去淬灭光后前者的持续光电导几乎没有变化,后者却明显减小;稍后再次加淬灭光,前者的持续光电导仍无变化,而后者却明显增加.作者认为两者持续光电导的形成都与空穴陷阱有关,用空穴陷阱模型解释了非故意掺杂GaN持续光电导的形成以及淬灭过程;掺Si的n型GaN的持续光电导是电子陷阱(杂质能级)和空穴陷阱共同作用的结果,并且在持续光电导发生的不同阶段其中一种陷阱的作用占主要地位. |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
李娜;赵德刚;刘宗顺;朱建军;张书明;杨辉.GaN外延材料中持续光电导的光淬灭,半导体学报,2005,26(2):304-308 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
