用正电子研究原生ZnO单晶中的缺陷
| Data(s) |
2008
|
|---|---|
| Resumo |
利用正电子寿命谱和多普勒展宽谱技术研究了原生ZnO的缺陷结构及其退火效应. 经900 ℃退火之后,正电子寿命实验显示样品中的空位型缺陷基本被消除,其体寿命为180 ps.通过比较原生和退火样品的符合多普勒展宽谱的商谱曲线,两者有相似的峰型,结合寿命谱的相关数据表明原生ZnO中不存在H原子填充Zn空位. 国家自然科学基金资助项目(1 7751 7) |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王柱;柯君玉;李辉;庞锦标;戴益群;赵有文.用正电子研究原生ZnO单晶中的缺陷,武汉大学学报. 理学版,2008,54(3):305-308 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
