I：新型稀土永磁材料Nd-Fe-B���化过程及抗氧化新体系研究II：CuO、Y_2Cu_2O_5、BaCuO_2和RBa_2Cu_3O_(7-δ)超导体磁化率及Cu价态研究

本论文由两大部分组成。第一部分是新型稀土永磁材料Nd-Fe-B���化过程及抗氧化新体系的研究。Nd-Fe-B���磁体是1983年问世的新型稀土永磁材料。和原有的铁氧体及Sm-Co体系相比，具有磁能积高（50MGOe）。价廉源广，制备简单等三大优点；也有居里温度低（310℃），温度系数大（－0.126%/K），易氧化等三大缺点，我们对Nd-Fe-B���金的氧化过程进行研究，发现该材料热稳定性差，容易发生氧化反应，氧化使材料的结构受到破坏，并给材料的磁性造成不可恢复的损失，整个氧化过程是分阶段的。在室温和干燥的空气中材料基本是稳定的。150℃以下材料磁性受到破坏的主要原因是体系中Nd的氧化。230℃以上材料主体成分Fe也开始氧化，温度升高使反应进程大大加快。到800℃左右反应基本结束，最终产物主要为Fe_2O_3, Nd_2O_3·FeNdO_3和NdBO_3。增加体系中B���相对含量和添加某些新的元素均能提高材料的抗氧化能力，新研制的Nd-Fe-B-Si四元体系和原来的Nd-Fe-B���系相比具有下列显著优点：新体系的抗氧化能力大大提高，经过150℃的长期恒温试验，材料的结构，磁性均未受到破坏，某些体系甚至能在更高的温度下使用，另外，新体系的居里温度Tc也大为提高。比原有Nd-Fe-B���体高40℃左右。因此该体系是一种大有发展前途的新材料。此外，我们用动态热重法研究了Nd-Fe-B���金的氧化动力学过程，但由于我们新合成的体系构相较为复杂，未能达到预期效果。第二部分是CuO，Y_2Cu_2O_5，BaCuO_2和RBa_2Cu_3O_(7-δ)超导体（R稀土元素）磁化率及铜价态研究，铜的氧化物具有复杂的化学计量关系和磁学性质。在对CuO的磁化率研究中，我们发现在低温区（77K－110K）和一定磁场下，CuO由顺磁突变为抗磁。这种转变与磁场强度有很大关系。这一结果与前人的工作有较大的出入。而与超导体的形为极为相似。所不同的是，转变温度与样品的重量也有关系。实验结果重复。由于铜氧性质在R-Ba-Cu-O超导体中起决定作用，因此有必要对CuO的低温磁性作进一步研究。此外，我们对文献尚未报道的Y_2Cu_2O_5的磁化率在77－300K温度区间进行了测量，发现它是顺磁性物质，室温有效磁矩μ_(eff) = 2.13μB���高于Cu~(2+)的理论有效磁矩（1.73μB���。经过碘量法价态分析，发现Y_2Cu_2O_5中有部分Cu~(3+)，这与磁化率的测定相符合。Tc在90K左右的Y-Ba-Cu-O体系是近期才发现的具有超高温超导材料。该体系有着独特的结构和性质。在对R-Ba-Cu-O及R-Ba-Cu-O-Ag超导体的研究中，我们发现此类超导体属II类超导体，在临界温附近该超导体由顺磁转变为抗磁，此种变化与磁场强度有很大关系，当场强大于一定值后，则观察不到这种转变。在对RBa_2Cu_3O_(7-δ) (R = Y, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Er, Tm)超导体和具有相同配比但由于合成工艺条件不同而不超导的R'Ba_2Cu_3O_(7-δ) (R' = Y, Sm, Eu, Gd)非超导体的铜价态分析中，我们发现此两类化合物中均含有一定量的Cu~(3+)。且超导体中Cu~(3+)的含量高于非超导体中Cu~(3+)的含量（同样比例）。我们还发现Cu~(3+)对水极为敏感，将RBa_2Cu_3O_(7-δ) (除R = Gd, Dy, Er)超导体在未干燥容器中测出的Cu~(3+)量远远低于干燥容器中所测得的值。我们认为这可能是引起超导体不稳定的重要原因。由于尚缺乏用其它手段检测到超导体中Cu~(3+)存在的例证。故对此问题还有待于今后继续作进一步的研究。

HIGH-RESOLUTION PHOTOLUMINESCENCE STUDIES OF (211) CDTE GROWN ON (211)B GAAS SUBSTRATE

Sharp and rich photoluminescence lines accociated with free exciton (FE), excitons bound to neutral acceptors (A0X) and donors (D0X) in molecular beam epitaxially (MBE) grown (211) CdTe/(211)B GaAs have been reported for the first time. The results show that the (211) CdTe/(211)B GaAs grown under optimized conditions could have as high a crystal perfection as those grown on lattice-matched substrates.

Optical characterization of InAs monolayer quantum structures grown on (311)A, (311)B, and (100)GaAs substrates

Low-temperature photoluminescence and excitation spectra from InAs monolayer quantum structures, grown on (311)A, (311)B, and (100) GaAs substrates, are investigated, The structures were grown simultaneously by conventional molecular-beam epitaxy (MBE), The experimental results show that the quality of InAs monolayer on (311)B GaAs substrate is obviously better in crystal quality than those on the two other oriented GaAs substrates. In addition, the transition peaks of the InAs layer grown on (311) GaAs substrates shift to higher energy with respect to that from the InAs layer grown on (100) GaAs substrate.

重掺B���应变SiGe材料能带结构的影响

硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)一般以重掺硼(B)的应变SiGe层作为基区.精确表征SiGe材料能带结构对SiGe HBT的设计具有重要的意义.在应变SiGe材料中,B���重掺杂一方面会因为重掺杂效应使带隙收缩,另一方面,B���引入还会部分补偿Ge引起的应变,从而改变应变引起的带隙变化.在重掺B���应变SiGe能带结构研究中,采用半经验方法,考虑了B���应变补偿作用对能带的影响,对Jain-Roulston模型进行修正,并分析了重掺杂引起的带隙收缩在导带和价带的分布.

掺P、B���纳米Zn-O薄膜电学特性的影响

现在普遍采用ITO薄膜(In_2O_3:Sn)作为太阳电池的窗口材料，但由于In资源的稀缺，使太阳能电池的成本增加。Zn-O是一种低成本材料，具有良好的电学、光学特性，因此可代替ITO薄膜作为窗口材料。由于ZnO/n-Si异质结太阳电池的转化效率为6.9%～8.5%，而ITO光电转换效率为12%～15%，采用液态源掺杂方法，取得较好效果，证实了掺P、B���纳米ZnO薄膜提高导电性是有效的。本文利用扫描俄歇探针等手段研究分析了掺P、B���热处理温度的变化对纳米Zn-O薄膜电学特性的影响。在研制过程中，对掺入P、B���纳米Zn薄膜，曾采用X射线衍射议进行分析，其结果未见P、B���

（113）B-GaAs/As（0.3）Ga（0.7）As单量子阱结构的光致发光谱研究

于2010-11-23批量导入

硅中Rh-B���合物性质的理论研究

于2010-11-23批量导入

硅中Pd-B���合物性质的理论研究

于2010-11-23批量导入

硅中Mo-B���合物的电荷分布

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Optical properties of self-assembled ternary In(GA/Al)As quantum dots on (100) and (N 1 1)B InP substrates

In this paper, we investigated the self-assembled quantum dots formed on (100) and (N11)B (N = 2, 3, 4, 5) InP substrates by molecular beam epitaxy (MBE). Two kinds of ternary QDs (In0.9Ga0.1As and In0.9Al0.1As QDs) are grown on the above substrates; Transmission electron microscopy (TEM) and photoluminescence (PL) results confirm QDs formation for all samples. The PL spectra reveal obvious differences in integral luminescence, peak position, full-width at half-maximum and peak shape between different oriented surfaces. Highest PL integral intensity is observed from QDs on (411)B surfaces, which shows a potential for improving the optical properties of QDs by using high-index surface. (C) 2000 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

柞蚕核型多角体病毒B-ORF6L、ptp、lef-12基因克隆及表达

本研究克隆了柞蚕核型多角体病毒（Antheraea pernyi nucleopolyhedrovirus，ApNPV）基因组pstⅠ-B���pstⅠ-C、pstⅠ-J三个片段，测序分析了pstⅠ-B���pstⅠ-C片段全序列及pstⅠ-J片段一端序列。ApNPV pstⅠ-C片段长6663 bp，包括9个完整ORF及2个不完整ORF；ApNPV pstⅠ-B���段长7406 bp，包括5个完整ORF及2个不完整ORF。ApNPV pstⅠ-J片段末端测定的954 bp序列包括lef-12完整序列及p47和gta部分序列。本研究共鉴定21个ApNPV ORF序列，其中20个属首次报道，占ApNPV已报道基因数的50％。编码ORF同源性分析及克隆片断ORF组成、基因排列顺序分析表明ApNPV与鳞翅目NPV第Ⅰ类群中的OpMNPV、CfMNPV、CfDefNPV、EppoNPV关系较近。 本研究克隆了ApNPV B-ORF6L、ptp-1、ptp-2及lef-12 四个基因，并对这四个基因在柞蚕蛹体内的表达进行了转录分析，结果表明：ApNPV ptp-1、lef-12是早期基因，B-ORF6L、ptp-2是晚期基因。本研究将ApNPV B-ORF6L、ptp-2亚克隆至原核表达载体，并在大肠杆菌中获得高效表达。SDS-PAGE及Western blot分析表明：PTP-2原核表达分子量与预测分子量相符，B-ORF6L融合表达分子量较预测的分子量偏大。以原核表达的B-ORF6L、PTP-2蛋白作为抗原，成功制作了B-ORF6L和PTP-2蛋白兔多克隆抗血清。ApNPV蛋白组分印迹分析表明：B-ORF6L参与包涵体膜及ODV结构组成，是ApNPV结构蛋白；PTP-2不参病毒结构组成。 分子系统发育分析表明，杆状病毒分为4个大的类群，ApNPV属于鳞翅目NPV第Ⅰ类群，与OpMNPV、CfMNPV、CfDefNPV、EppoNPV关系较近，与AcMNPV、RoMNPV、BmNPV关系稍远。

UV-B���射和CO2浓度倍增对树木幼苗次生代谢的影响

为了揭示UV-B���射（11.66KJ／m2.d）和CO2浓度倍增复合作用对树木幼苗次生代谢产物变化规律及其对生长发育的影响，在室外用开顶箱，对白桦、红皮云杉和红松幼苗进行了模拟研究。结果表明，三种幼苗针叶片酚类含量增幅和变化趋势均不同。白桦类黄酮含量和305nm吸收值变化不大，红皮云杉和红松后期增加明显。白桦总黄酮和邻苯二酚含量增幅大于红皮云杉和红松。白桦和红松Chl和Car含量呈下降趋势，红皮云杉后期略有增加。白桦休眠侧芽极性小的酚类物质增加明显，根系酚类略有增加，枝条酚类无变化。红松越冬侧芽酚类和邻苯二酚含量增加明显。复合处理使三种幼苗PAL活性增加。酚类物质含量与其清除O-2和OH的能力基本成量效关系。单位多酚清除OH能力，红皮云杉＞红松＞白桦；多酚与蛋白质结合能力，白桦＞红松＞红皮云杉；MDA增幅，红松＞白桦＞红皮云杉。三种幼苗SOD活性后期增加明显。邻苯二酚对Chl、SOD、CAT活性和PSII有破坏作用。白桦酚类物质对SOD和CAT活性有破坏作用。复合处理对高生长抑制的程度白桦大于红松，而对红皮云杉影响不显著，体现UV-B���CO2处理的相互抵消作用。白桦根部生物量增加。红松针叶伸长受到抑制。可见，UV-B���CO2处理诱导的次生产物与幼苗生长发育有关。