硅中Mo-B络合物的电荷分布


Autoria(s): 吴汲安; 周洁; 张大仁
Data(s)

1989

Resumo

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中科院半导体所;中科院生态环境研究中心

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20623

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104949

Idioma(s)

中文

Fonte

吴汲安;周洁;张大仁.硅中Mo-B络合物的电荷分布,半导体学报,1989,10(12):952

Palavras-Chave #半导体物理
Tipo

期刊论文