重掺B对应变SiGe材料能带结构的影响
| Data(s) |
2007
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|---|---|
| Resumo |
硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)一般以重掺硼(B)的应变SiGe层作为基区.精确表征SiGe材料能带结构对SiGe HBT的设计具有重要的意义.在应变SiGe材料中,B的重掺杂一方面会因为重掺杂效应使带隙收缩,另一方面,B的引入还会部分补偿Ge引起的应变,从而改变应变引起的带隙变化.在重掺B的应变SiGe能带结构研究中,采用半经验方法,考虑了B的应变补偿作用对能带的影响,对Jain-Roulston模型进行修正,并分析了重掺杂引起的带隙收缩在导带和价带的分布. 国家高技术研究发展计划(批准号:2 6AA 3Z415),国家重点基础研究发展规划(批准号:2 6CB3 28 2和2 7CB6134 4),国家自然科学基金 (批准号:6 336 1 ,6 676 5) 资助的课题 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
姚飞;薛春来;成步文;王启明.重掺B对应变SiGe材料能带结构的影响,物理学报,2007,56(11):6654-6659 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
