EER studies of the single quantum well GaAs/AlxGa1-xAs electrode/nonaqueous solution interface

The interfacial behavior of the single quantum well (SQW) GaAs/AlxGa1-xAs electrode in HQ/BQ and Fc/Fc(+) electrolytes was characterized respectively by studying the quantum confined Stark effect and Franz-Keldysh oscillation with electrolyte electroreflectance spectroscopy. The interaction of the surface state of the SQW electrode with redox species and its effects on the distribution of external bias at the interface of the SQW electrode are discussed.

多晶AlN光学性质研究

运用X射线衍射仪和拉曼光谱仪，测量了物理气相输运（PVT）方法生长的AlN多晶材料的X射线衍射和常温拉曼光谱。常温拉曼光谱研究了晶界、晶面方向与拉曼频率的关系，观察到了E和E峰位基本不随测量位置变化，与晶界无关，但是E1（TO），A1（LO）和Quasi—LO声子峰位却明显与晶界有关，为研究晶粒间、晶粒内应力提供了有效手段。

GaAs基分子束外延材料的市场和产业化

评述了当前高速发展的信息技术对化合物半导体的市场，特别是以分子束外延材料市场的推动。介绍了实验室研制的高性能MBE二维材料及其器件的应用结果。讨论了我国MBE GaAs材料的产业化进展。

ECR Plasma CVD淀积光电器件介质膜的工艺模拟

于2010-11-23批量导入

GaAs/AlGaAs二维电子气（2DEG）散射机理研究

采用三角阱近似,计算了GaAs/AlGaAs二维电子气(2DEG)电子只占据基态子带时,由极性光学声子、声学形变势、声学压电势、远程电离杂质、本底电离杂质合金无序以及界面粗糙等七种主要的散射机制决定的电子迁移率与温度、2DEG浓度、本底电离杂质浓度、以及界面不平整度等的关系。理论计算结果与实验符合很好。

气态源分子束外延（AlGa）InP和GaInP/AlInP多量子阱材料

于2010-11-23批量导入

AlxGa（1-x）As/GaAs异质结界面上二维电子气量了霍耳效应的测量

于2010-11-23批量导入

丘陵半干旱区春小不知所云水肥耦合效应

采用312-D最优饱和设计，在丘陵半干旱区开展了连续4年的田间试验，深入地研究了春小麦水肥祸合效应。水肥单因子对产量和水分利用效率（WUE）有显著影响，大小顺序为：水＞磷＞氮，其中三个因子对产量的提高均是正效应，而对WUE的提高，氮、磷施用量是正效应，过量灌溉是负效应；两因子间祸合作用的强弱顺序为：氮与水祸合＞氮与磷祸合＞磷与水祸合，其中氮与磷祸合，以及氮与水祸合对提高产量和认心E均表现为极显著相互促进作用，而磷与水祸合表现为不显著的相互替代作用。水肥祸合通过提高气孔导度（Gs）、蒸腾速率（Tr）、叶表面相对湿度（RH）、叶内水浓度（Hi）和降低胞间COZ浓度（Ci），来提高叶片光合速率（Pn）。氮素营养缺乏引起叶片“光合午休”现象的发生，增加施氮量可以避免“光合午休”现象的发生。籽粒产量与灌浆期叶片Pn呈正相关。水肥单因子对叶片Pn影响的大小顺序是：氮＞磷＞水；因子间藕合作用强弱顺序为：氮与水棍合＞磷与水祸合＞氮与磷祸合。水肥优化管理是提高产量、叶片Pn及WUE的重要途径。中等用量的氮、磷、水藕合可以达到高产、高效，获得较高的WUE和叶片Pn，实现节水高产高效与较高叶片Pn的统一，为春小麦科学灌溉施肥提供了理论依据。