AlxGa（1-x）As/GaAs异质结界面上二维电子气量了霍耳效应的测量
| Data(s) |
1989
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| Resumo |
于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:16:50导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:16:50Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6390.pdf: 113917 bytes, checksum: 8269c67a879b83fd88da0bd568b17ad8 (MD5) Previous issue date: 1989 中科院半导体所;中科院物理所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
童华;江丕桓;周均铭;黄绮.AlxGa（1-x）As/GaAs异质结界面上二维电子气量了霍耳效应的测量,低温物理学报,1989,11(3):248 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
