离子辐照后4H-SiC晶体退火前后的光谱研究

分析了高能Pb27+辐照预注入12C+的和未预注入12C+ 4H-SiC样品在,退火前后傅立叶变换红外光谱和拉曼散射光谱的变化。从傅立叶变换红外光谱可以知道,900℃以上的退火使损伤层发生显著恢复;在拉曼散射光谱中可以看到1200℃退火后有石墨相的存在。实验结果说明,高温退火有利于损伤的恢复,使注入到碳化硅中的碳原子发生聚集并引起相变。

铅离子辐照注碳4H-SiC的红外光谱特性研究

主要研究了铅离子辐照注碳4H-SiC样品在3个不同退火温度下傅立叶变换红外光谱的变化。从红外谱的变化可以知道铅辐照注碳4H-SiC样品在一定深度内出现了非晶层,波数在960—1 450 cm-1范围内出现了干涉带,干涉带强度随着退火温度的升高而变弱。1 373 K退火后样品的卢瑟福背散射分析结果显示,一定深度内硅原子的背散射产额明显减少。

120keV的N~+注入SiC薄膜的光谱特性研究

文中主要研究了 12 0keV的N+ 注入后SiC薄膜样品的光致发光谱 (PL)和傅立叶红外光谱(FTIR)特性 .从红外光谱可以看到有明显得碳氮单键、双键、三键等新结构生成 .从PL光谱则发现 36 5nm处的发光峰明显增强 ,这表明N+ 注入使得带隙中深的能级辐射中心复合的效率大幅度提高