离子辐照后4H-SiC晶体退火前后的光谱研究


Autoria(s): 周丽宏; 张崇宏; 杨义涛; 宋银; 姚存峰
Data(s)

10/04/2007

Resumo

分析了高能Pb27+辐照预注入12C+的和未预注入12C+ 4H-SiC样品在,退火前后傅立叶变换红外光谱和拉曼散射光谱的变化。从傅立叶变换红外光谱可以知道,900℃以上的退火使损伤层发生显著恢复;在拉曼散射光谱中可以看到1200℃退火后有石墨相的存在。实验结果说明,高温退火有利于损伤的恢复,使注入到碳化硅中的碳原子发生聚集并引起相变。

Identificador

http://ir.impcas.ac.cn/handle/113462/2789

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/128932

Idioma(s)

中文

Fonte

周丽宏;张崇宏;杨义涛;宋银;姚存峰;.离子辐照后4H-SiC晶体退火前后的光谱研究, 核技术, 2007-04-10, 2007( 04):314-317

Palavras-Chave #离子注入 #辐照 #4H-SiC #FTIR #Raman谱 #退火
Tipo

期刊论文