120keV的N~+注入SiC薄膜的光谱特性研究
| Data(s) |
21/06/2004
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| Resumo |
文中主要研究了 12 0keV的N+ 注入后SiC薄膜样品的光致发光谱 (PL)和傅立叶红外光谱(FTIR)特性 .从红外光谱可以看到有明显得碳氮单键、双键、三键等新结构生成 .从PL光谱则发现 36 5nm处的发光峰明显增强 ,这表明N+ 注入使得带隙中深的能级辐射中心复合的效率大幅度提高 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
宋银,金运范,王志光,张崇宏,赵志明,段敬来.120keV的N~+注入SiC薄膜的光谱特性研究, 高能物理与核物理, 2004-06-21, 2004( 06):626-628 |
| Palavras-Chave | #SiC #N+注入 #光致发光谱 #傅立叶红外光谱 |
| Tipo |
期刊论文 |
