板栗壳对水中Cu~(2+)吸附性能的研究

研究食品加工剩余物板栗壳对水中Cu2+的吸附性能,为其用于含铜废水的处理提供理论依据。【方法】研究吸附质溶液pH、Cu2+质量浓度、吸附剂用量、粒径、吸附温度和时间对板栗壳吸附Cu2+效果的影响,探讨吸剂和吸附剂循环利用次数对解吸和再生的影响;并采用穿透曲线和洗脱曲线对动态吸附进行了分析。【结果】吸附质溶液pH值为6、Cu2+起始质量浓度为20 mg/L、吸附剂粒径为0.25 mm时的吸附效果较好,该吸附为放热过程,升高温度虽然可以加快吸附进程,但却降低了吸附量和去除率。Na+和Ca2+对Cu2+的解吸置换能力较弱,0.1mol/L HCl可使96.1%的Cu2+得以解吸回收。通过Thomas模型预测,在固定床柱吸附条件下饱和吸附量为10.94mg/g。【结论】板栗壳对水中Cu2+的吸附性能较好,因而具有很好的应用前景。

黄土干旱区嫁接与地面覆盖对温室黄瓜的增产效应

在日光温室条件下,研究了嫁接与地面覆盖对黄瓜产量、耗水量及水分利用效率的影响。结果表明:(1)嫁接与地面覆盖均可提高黄瓜产量,但嫁接的增产幅度远小于地面覆盖处理;秸秆+地膜覆盖对增加早期产量和总产量均有良好效果,而地膜覆盖对早期产量的形成具有明显的促进作用,而后期产量明显低于秸秆覆盖处理。(2)嫁接与地面覆盖耦合的增产幅度均大于二者各自增产贡献之和,其中以嫁接与秸秆+地膜覆盖的耦合增产效果最佳,地膜覆盖与秸秆覆盖次之。(3)嫁接黄瓜的耗水量高于未嫁接与各地面覆盖处理,其中以地膜覆盖最节水,秸秆+地膜覆盖与秸秆覆盖次之。嫁接与地面覆盖均能提高水分利用率,其中以秸秆+地膜覆盖最高,嫁接最低。嫁接与各地面覆盖对水分利用效率的协同效应均大于加和效应,其中以嫁接与秸秆+地膜覆盖的协同效应最佳。

折射率色散效应对晶体硅太阳电池反射率的影响

为了分析色散效应对晶体硅太阳电池反射率的影响,在考虑材料折射率色散效应的情况下,运用光学干涉矩阵计算了具有SiO_2单层减反射膜和MgF_2/ZnS双层减反射膜晶体硅太阳电池的反射率与波长的函数关系,并与实验结果和未考虑色散效应的计算结果进行了对比分析.结果表明:考虑折射率色散效应的计算结果与实验测量数据完全相符,而未考虑折射率色散效应的计算结果与实验测量数据相差较大,最大差值分别为21.5%和16.9%.

InAs Wires on InP （001）

The heterostructure of InAs/In0.52Al0.48As/InP is unique in that InAs wires instead of dots self-assemble in molecular beam epitaxy. These InAs wires have some distinctive features in their growth and structure. This paper summarizes the investigations of the growth and structural properties of InAs wires that have been performed in our laboratory recently.

MOCVD生长AlGaInN外延层的光学性质研究

对AlInGaN四元合金进行了微区发光和拉曼散射研究.根据V-形缺陷周围扫描电镜图像和阴极荧光光谱的分析,确定AⅡnGaN外延层中V-形缺陷的形成与铟的分凝之间的关系.同时,用波长为325纳米的短波长激光研究了AlInGaN外延薄层的拉曼散射,测量了合金铝组分改变引起的A1(LO)声子的频率移动,观测到了出射共振引起的LO声子拉曼散射谱的共振加强,此共振过程的机制是一种类级联的电子-多声子互作用机制.

与CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器模拟与设计

用器件模拟的方法，设计了一种与常规CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器，该探测器可与CMOS接收机电路单片集成，对该探测器进行了器件模拟研究，给出了该探测器的电路模型。通过MOSIS（MOS implementation support project）0.35 μm COMS工艺制做了该探测器，实际测试了该器件的频率响应和波长响应，探测器频率响应在1GH以上，峰值波长响应在0.69 μm。

Synthesis and luminescence of CdS/ZnS core/shell nanocrystals

CdS/ZnS core/shell nanocrystals were prepared from an aqueous/alcohol medium. A red shift of the absorption spectrum and an increase of the room temperature photoluminescence intensity accompanied shell growth.

MOVPE growth of GaN and LED on (111) MgAl2O4

The growth of wurtzite GaN by low-pressure metalorganic vapor-phase epitaxy on (1 1 1) magnesium aluminate (MgAl2O4) substrates have been studied. The morphological, crystalline, electrical and optical properties are investigated. A p-n junction GaN LED was fabricated on the MgAl2O4 substrate. (C) 1998 Elsevier Science B.V. All rights reserved.