MOCVD生长AlGaInN外延层的光学性质研究
| Data(s) |
2005
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|---|---|
| Resumo |
对AlInGaN四元合金进行了微区发光和拉曼散射研究.根据V-形缺陷周围扫描电镜图像和阴极荧光光谱的分析,确定AⅡnGaN外延层中V-形缺陷的形成与铟的分凝之间的关系.同时,用波长为325纳米的短波长激光研究了AlInGaN外延薄层的拉曼散射,测量了合金铝组分改变引起的A1(LO)声子的频率移动,观测到了出射共振引起的LO声子拉曼散射谱的共振加强,此共振过程的机制是一种类级联的电子-多声子互作用机制. 国家自然科学基金会的资助 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
江德生;刘建平;杨辉.MOCVD生长AlGaInN外延层的光学性质研究,红外与毫米波学报,2005,24(3):193-197 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
