折射率色散效应对晶体硅太阳电池反射率的影响


Autoria(s): 白一鸣; 陈诺夫; 彭长涛; 梁平
Data(s)

2007

Resumo

为了分析色散效应对晶体硅太阳电池反射率的影响,在考虑材料折射率色散效应的情况下,运用光学干涉矩阵计算了具有SiO_2单层减反射膜和MgF_2/ZnS双层减反射膜晶体硅太阳电池的反射率与波长的函数关系,并与实验结果和未考虑色散效应的计算结果进行了对比分析.结果表明:考虑折射率色散效应的计算结果与实验测量数据完全相符,而未考虑折射率色散效应的计算结果与实验测量数据相差较大,最大差值分别为21.5%和16.9%.

国家自然科学基金,国家重大基础研究发展规划

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16291

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/102184

Idioma(s)

中文

Fonte

白一鸣;陈诺夫;彭长涛;梁平.折射率色散效应对晶体硅太阳电池反射率的影响,光子学报,2007,36(7):1202-1206

Palavras-Chave #半导体材料
Tipo

期刊论文