GaAs/AlGaAs双量子阱中量子相干特性的研究

于2010-11-23批量导入

GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器材料研究

报道GaAs/AlGaAs多量子阱长波长红外探测器材料的制备及其性能。这种材料由GaAs阱和AlGaAs势垒组成,阱内n型掺杂,具有50个周期。利用分子束外延技术成功地生长出了大面积(φ2英寸)均匀(厚度Δt_(max)/t<=3 precent,组分Δx_(max)/x<=3.4 ％,掺杂浓度Δn_(max)/n<=3 ％,椭圆缺陷<=300cm~(-2))的外延材料。分析了暗电流的成因, 通过加厚势垒(L_b>=300A)、控制掺杂(n<=1×10~(18)cm~(-3))、精确设计子带结构, 将暗电流降低了几个数量级,同时使电子的输运得到了改善。由此得到了高质量的多量子阱红外探测器材料。

刻槽硅衬底上的GaAs/AlGaAs超晶格衬材料的微结构特性

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交叉电场和磁场下GaAs/AlGaAs超晶格子带结构

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GaAs/AlGaAs多量子阱结构的光吸收谱和横向光电流谱

国家自然科学基金

GaAs/AlGaAs梯度折射率分别限制单量子阱结构中的光增益谱分析

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CCTS结构GaAs/AlGaAs单量子阱双稳态激光器

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GaAs/AlGaAs量子阱的输运特性

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空间生长GaAs单晶做衬底的GaAs/AlGaAs DH激光器

国家自然科学基金

GaAs/AlGaAs多量子阱激光器

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