GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器材料研究

报道GaAs/AlGaAs多量子阱长波长红外探测器材料的制备及其性能。这种材料由GaAs阱和AlGaAs势垒组成,阱内n型掺杂,具有50个周期。利用分子束外延技术成功地生长出了大面积(φ2英寸)均匀(厚度Δt_(max)/t<=3 precent,组分Δx_(max)/x<=3.4 ％,掺杂浓度Δn_(max)/n<=3 ％,椭圆缺陷<=300cm~(-2))的外延材料。分析了暗电流的成因, 通过加厚势垒(L_b>=300A)、控制掺杂(n<=1×10~(18)cm~(-3))、精确设计子带结构, 将暗电流降低了几个数量级,同时使电子的输运得到了改善。由此得到了高质量的多量子阱红外探测器材料。

报道GaAs/AlGaAs多量子阱长波长红外探测器材料的制备及其性能。这种材料由GaAs阱和AlGaAs势垒组成,阱内n型掺杂,具有50个周期。利用分子束外延技术成功地生长出了大面积(φ2英寸)均匀(厚度Δt_(max)/t<=3 precent,组分Δx_(max)/x<=3.4 ％,掺杂浓度Δn_(max)/n<=3 ％,椭圆缺陷<=300cm~(-2))的外延材料。分析了暗电流的成因, 通过加厚势垒(L_b>=300A)、控制掺杂(n<=1×10~(18)cm~(-3))、精确设计子带结构, 将暗电流降低了几个数量级,同时使电子的输运得到了改善。由此得到了高质量的多量子阱红外探测器材料。

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zhangdi于2010-11-23 13:14:45导入数据到SEMI-IR的IR

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国家自然科学基金

中科院物理所;中科院半导体所

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