GaAs/AlGaAs梯度折射率分别限制单量子阱结构中的光增益谱分析
| Data(s) |
1990
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| Resumo |
于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:16:29导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:16:29Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6332.pdf: 233402 bytes, checksum: 1265f4a72665ca38b52e95cf31a78bcb (MD5) Previous issue date: 1990 中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
郑宝真;许继宗;王丽明;徐仲英;朱龙德.GaAs/AlGaAs梯度折射率分别限制单量子阱结构中的光增益谱分析,半导体学报,1990,11(6):422 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
