Análisis de metodologías para el control de velocidad de motores asíncronos.

[ES]El objetivo de este trabajo es analizar los diferentes métodos de control de velocidad de motores asíncronos ya que es la maquina eléctrica más importante tanto en la industria como en la vida doméstica. Primero se estudian las ventajas que ofrece este tipo de motor frente a los motores de corriente continua, como el precio o el mantenimiento. Después se estudian las metodologías convencionales. Sin embargo, este tipo de métodos no son utilizados actualmente por lo que se analizaran en profundidad los métodos de control actual: control escalar y control vectorial.

Emprego dos processos de eletrofloculação e osmose inversa no tratamento de águas oleosas

A descarga desenfreada de águas residuais no meio ambiente, ao longo dos últimos anos, vem acelerando o processo de contaminação e degradação dos corpos hídricos no mundo. Tais rejeitos apresentam elevada carga de contaminantes e de concentração de matéria orgânica o que leva a mortandade das espécies pela concorrência ao oxigênio e, em casos extremos, a aceleração dos processos de eutrofização. Pensando nisso, o presente trabalho estudou um sistema híbrido, em batelada, de tratamento de águas oleosas simuladas em laboratório pela adição de um determinado óleo lubrificante em uma solução aquosa de agentes emulsificantes e eletrólito suporte. O sistema de tratamento foi composto de duas etapas, onde na primeira avaliou-se o uso da técnica da eletrofloculação, responsável por quebrar a estabilidade das emulsões óleo/água e de uma segunda que avaliou o uso de processos de separação com membranas visando à remoção do metal adicionado ao efluente na etapa anterior. O sistema de eletrofloculação foi avaliado em relação ao uso de eletrodos de alumínio e ferro com correntes elétricas de 1A, 2A e 3A, nos modos contínuo e alternado. Os resultados apontaram um maior consumo evidente de massa de eletrodos quando do uso da corrente contínua, 4,0337g 0,0132 para o alumínio e 3,8260g 0,0181 para o ferro ao passo que o consumo foi de 2,1400g 0,0099 para o alumínio e 2,4121g 0,0127 para o ferro quando do o uso da corrente alternada. Foram alcançadas remoções máximas de 98 % 0 da DQO, 99,77 % 0,27 de remoção da cor e 100 % 0 de remoção da turbidez para o uso de corrente alternada e eletrodos de alumínio enquanto se alcançaram remoções máximas 96 % 1 da DQO, 99,46 % 0,82 de remoção da cor e também 100 % 0 de remoção da turbidez no uso de eletrodos de ferro. Na segunda etapa do estudo, a osmose inversa, o sistema utilizado atingiu rejeições de 99,53 % 0,12; 99,56 % 0,13 e de 98,87 % 0,36, para pressões respectivas de 10, 20 e 30 bar. Além disso, foram obtidos fluxos crescentes de permeado 10,87 L/h.m2 0,25; 15,67 L/h.m2 0,53; 18,49 L/h.m2 0,74 com o também aumento da pressão. Ao final do estudo alcançou-se um efluente final com baixa carga orgânica e de metais, estando o mesmo apto ao lançamento nos corpos receptores. Entretanto, mecanismos de controle, sobretudo de pH devem ser incluídos no projeto desses sistemas uma vez que esse parâmetro sofre alterações ao longo do processo

Nonpolar m-plane thin film GaN and InGaN/GaN light-emitting diodes on LiAlO2(100) substrates

The nonpolar m-plane (1 (1) over bar 00) thin film GaN and InGaN/GaN light-emitting diodes (LEDs) grown by metal-organic chemical vapor deposition on LiAlO2 (100) substrates are reported. The LEDs emit green light with output power of 80 mu W under a direct current of 20 mA for a 400x400 mu m(2) device. The current versus voltage (I-V) characteristic of the diode shows soft rectifying properties caused by defects and impurities in the p-n junction. The electroluminescence peak wavelength dependence on injection current, for currents in excess of 20 mA, saturates at 515-516 nm. This proves the absence of polarization fields in the active region present in c-plane structures. The light output intensity versus current (L-I) characteristic of the diode exhibits a superlinear relation at low injection current caused by nonradiative centers providing a shunt path and a linear light emission zone at high current level when these centers are saturated. (c) 2007 American Institute of Physics.

La circulation superficielle dans la partie occidentale du Golfe de Guinée

Direct current measurements carried out for 10 years in the Gulf of Guinea clearly show the importance of transverse circulation. The general pattern of currents is characterized by an anticyclonic gyre. The seasonal variations of this circulation are calculated through the study of the 3-monthly averaged geostrophic currents. The biological consequences of such a circulation are outlined.

Circulation dans la partie orientale de l'Atlantique sud

The authors studied the circulation in the South Tropical Atlantic from hydrology and current measurements made during a cruise of the N.O. Capricorne in Nov 1971. Direct current measurements confirm the existence of the eastwards South Equatorial Counter-Current. The authors discuss the counter-current as confirmed by current measurements and high salinity core.

The effects of oxygen partial pressure on the optical absorption edge and the UV emission energy of ZnO films

The optical absorption edge and ultraviolet (UV) emission energy of ZnO films deposited by direct current (DC) reactive magnetron sputtering at room temperature have been investigated. With the oxygen ratio increasing, the structure of films changes from zinc and zinc oxide coexisting phase to single-phase ZnO and finally to the highly (002) orientation. Both the grain size and the stress of ZnO film vary with the oxygen partial pressure. Upon increasing the oxygen partial pressure in the growing ambient, the visible emission in the room-temperature photoluminescence spectra was suppressed without sacrificing the band-edge emission intensity in the ultraviolet region. The peaks of photoluminescence spectra were located at 3.06---3.15 eV. From optical transmittance spectra of ZnO films, the optical band gap edge was observed to shift towards shorter wavelength with the increase of oxygen partial pressure.

Thickness dependence of structure and optical properties of silver films deposited by magnetron sputtering

A series of silver films with different thickness were prepared under identical conditions by direct current magnetron sputtering. The optical properties of the silver films were measured using spectrophotometric techniques and the optical constants were calculated from reflection and transmission measurements made at near normal incidence. The results show that the optical properties and constants are affected by films' thickness. Below the critical thickness of 17 nm at which Ag film forms a continuous film, the optical properties and constants vary significantly as the thickness of films increases and then tends to a stable value which is reached at 41 nm. X-ray diffraction measurements were carried out to examine the structure and stress evolution of the Ag films as a function of films' thickness. It was found that the interplanar distance of (111) orientation decreases when the film thickness increases and tends to be close to that of bulk material. The compressive strains also decrease with increasing thickness. (C) 2007 Published by Elsevier B.V.

基底温度对直流磁控溅射ITO透明导电薄膜性能的影响

用直流磁控溅射法制备透明导电锡掺杂氧化铟(ITO)薄膜,靶材为ITO陶瓷靶,组分为m(In2O3):m(SnO2)=9∶1。运用分光光度计、四探针测试仪研究了基底温度对薄膜透过率、电阻率的影响,并用X射线衍射(XRD)仪对薄膜进行结构分析。计算了晶面间距和晶粒尺寸,分析了薄膜的力学性质。实验结果表明,在实验设备条件下,直流磁控溅射ITO陶瓷靶制备ITO薄膜时,适当的基底温度(200℃)能在保证薄膜85%以上高可见光透过率下,获得最低的电阻率,即基底温度有个最佳值。薄膜的结晶度随着基底温度的提高而提高。

Eletrodeposição de ligas Zn-Co por corrente contínua e pulsada simples, a partir de banhos ambientalmente não agressivos

Revestimentos produzidos a partir de ligas de Zn-Co são comumente utilizados em indústrias (aeronáutica, de isoladores elétricos e automobilística, por exemplo) devido à sua ótima resistência à corrosão, principalmente quando comparados aos tradicionais revestimentos de Zn puro. Na co-deposição de zinco com metais, como o ferro, cobalto e níquel, ocorre o que se chama de deposição anômala, onde o metal menos nobre (zinco) é preferencialmente depositado, independente do modo de corrente aplicada (contínua ou pulsada). Recentemente, diversos trabalhos relacionam a produção de eletrodepósitos de liga Zn-Co a partir de banhos ambientalmente não agressivos, a fim de substituir os banhos alcalinos extremamente tóxicos, a base de cianeto. Na presente dissertação foram produzidos revestimentos de ligas de Zn-Co sobre substrato de aço carbono, empregando corrente contínua ou corrente pulsada simples, a partir de banhos contendo diferentes concentrações de Co2+ (0,05 mol/L e 0,10mol/L), 0,05 mol/l de Zn2+ e citrato de sódio (0,10 mol/L) como agente complexante, sob condições agitadas. Quatro diferentes valores de densidade de corrente (10 A/m2, 20 A/m2, 40 A/m2 e 80 A/m2) e de frequência de pulso (100 Hz, 500 Hz, 1000 Hz, 2000 Hz) foram aplicados para a produção da liga a partir dos dois banhos, tendo como objetivo avaliar a influência dos parâmetros de deposição(concentração de Co (II), densidade de corrente aplicada e, no caso de deposição por corrente pulsada simples, também da frequência de pulso), nas variáveis eficiência de corrente catódica, composição da liga, densidade de corrente de corrosão, microestrutura e morfologia dos depósitos de liga Zn-Co. As cores das camadas obtidas variaram do cinza claro ao escuro, quase sempre sem brilho, independente do modo de corrente empregado. Foi verificado que o processo normal de eletrodeposição foi prevalente na produção de revestimentos por corrente contínua, enquanto que apenas deposição anômala foi observada quando do uso de corrente pulsada. A maior eficiência de corrente catódica (60%) foi obtida, para corrente contínua, nas condições de menor concentração de Co2+ (0,05 mol/L) e maior densidade de corrente (80 A/m2). Nestas mesmas condições foi determinada uma eficiência de corrente catódica de 98% para corrente pulsada simples na freqüência de 2000 Hz. Maiores teores do metal mais nobre (cobalto) foram alcançados em maiores densidades de corrente para todas as condições empregadas. Os revestimentos assim obtidos apresentavam os menores valores de tamanho de grão, para cada uma das soluções estudadas. Os demais parâmetros estudados também influenciaram na granulometria e na morfologia das ligas obtidas. Revestimentos com melhor resistência à corrosão, contendo teores de cobalto entre aproximadamente 8 e 10% m/m, foram produzidos a partir do banho com maior concentração de Co2+, sob corrente pulsada simples

Efeito da estimulação transcraniana por corrente contínua sobre o desempenho físico: análise das respostas cerebrais, metabólicas e perceptivas durante e após exercícios aeróbio e de força

Estimulação transcraniana por corrente contínua (ETCC) sobre áreas corticais pré-selecionadas, tem aumentado o desempenho físico de diferentes populações. Porém, lacunas persistem no tocante aos mecanismos subjacentes à estes efeitos. Assim, a presente tese objetivou: a) investigar os efeitos da ETCC anódica (aETCC) e placebo (Sham) no córtex motor (CM) de indivíduos saudáveis sobre o desempenho de força máxima; b) comparar os efeitos da ETCC sobre a produção de força máxima e estabilidadade da força durante exercícios máximo e submáximo em sujeitos hemiparéticos e saudáveis; c) investigar o efeito da ETCC sobre a conectividade funcional inter-hemisférica (coerência eletroencefalográfica cEEG) do córtex pré-frontal (CPF), desempenho aeróbio e dispêndio energético (EE) durante e após exercício máximo e submáximo. No 1 estudo, 14 adultos saudáveis executaram 2 sessões de exercício máximo de força (EMF) dos músculos flexores e extensores do joelho dominante (3 séries de 10 rep máximas), precedidos por aETCC ou Sham (2mA; 20 mim). aETCC não foi capaz de aumentar o trabalho total e pico de torque (PT), resistência à fadiga ou atividade eletromiográfica durante o EMF. No 2 estudo, 10 hemiparéticos e 9 sujeitos saudáveis receberam aETCC e Sham no CM. O PT e a estabilidade da força (coeficiente de variação - CV) foram avaliados durante protocolo máximo e submáximo de extensão e flexão unilateral do joelho (1 série de 3 reps a 100% do PT e 2 séries de 10 reps a 50% do PT). Nenhuma diferença no PT foi observada nos dois grupos. Diminuições no CV foram obervadas durante a extensão (~25-35%, P<0.001) e flexão de joelho (~22-33%, P<0.001) após a aETCC comparada com Sham nos hemiparéticos, entretanto, somente o CV na extensão de joelhos diminuiu (~13-27%, P<0.001) nos saudáveis, o que sugere que aETCC pode melhorar o CV, mas não o PT em sujeitos hemiparéticos. No 3 estudo, 9 adultos saudáveis realizaram 2 testes incrementais máximos precedidos por aETCC ou Sham sobre o CPF com as respostas cardiorrespiratórias, percepção de esforço (PSE) e cEEG do CPF sendo monitoradas. O VO2 de pico (42.64.2 vs. 38.23.3 mL.kg.min-1; P=0,02), potência total (252.776.5 vs. 23773.3 W; P=0,05) e tempo de exaustão (531.1140 vs. 486.7115.3 seg; P=0,04) foram maiores após aETCC do que a Sham. Nenhuma diferença foi encontrada para FC e PSE em função da carga de trabalho (P>0,05). A cEEG do CPF aumentou após aETCC vs. repouso (0.700.40 vs. 0.380.05; P=0,001), mas não após Sham vs. repouso (0.360.49 vs. 0.330.50; P=0,06), sugerindo que a aETCC pode retardar a fadiga aumentando a conectividade funcional entre os hemisférios do CPF e desempenho aeróbio durante exercício exaustivo. No 4 estudo, o VO2 e EE foram avaliados em 11 adultos saudáveis antes, durante a aETCC ou Sham no CPF e 30 min após exercício aeróbio submáximo isocalórico (~200kcal). Diferenças não foram observadas no VO2 vs. repouso durante aETCC e Sham (P=0.95 e P=0.85). Porém, a associação entre exercício e aETCC aumentou em ~19% o EE após ao menos, 30 min de recuperação após exercício quando comparada a Sham (P<0,05).

Vertically aligned carbon nanotubes growth using self-assembled Ni nanoparticles produced by ion implantation

An alternative method for seeding catalyst nanoparticles for carbon nanotubes and nanowires growth is presented. Ni nanoparticles are formed inside a 450 nm SiO2 film on (100) Si wafers through the implantation of Ni ions at fluences of 7.5×1015 and 1.7×1016 ions.cm-2 and post-annealing treatments at 700, 900 and 1100°C. After exposed to the surface by HF dip etching, the Ni nanoparticles are used as catalyst for the growth of vertically aligned carbon nanotubes by direct current plasma enhanced chemical vapor deposition. © 2007 Materials Research Society.

Increasing the open-circuit voltage of photoprotein-based photoelectrochemical cells by manipulation of the vacuum potential of the electrolytes.

The innately highly efficient light-powered separation of charge that underpins natural photosynthesis can be exploited for applications in photoelectrochemistry by coupling nanoscale protein photoreaction centers to man-made electrodes. Planar photoelectrochemical cells employing purple bacterial reaction centers have been constructed that produce a direct current under continuous illumination and an alternating current in response to discontinuous illumination. The present work explored the basis of the open-circuit voltage (V(OC)) produced by such cells with reaction center/antenna (RC-LH1) proteins as the photovoltaic component. It was established that an up to ~30-fold increase in V(OC) could be achieved by simple manipulation of the electrolyte connecting the protein to the counter electrode, with an approximately linear relationship being observed between the vacuum potential of the electrolyte and the resulting V(OC). We conclude that the V(OC) of such a cell is dependent on the potential difference between the electrolyte and the photo-oxidized bacteriochlorophylls in the reaction center. The steady-state short-circuit current (J(SC)) obtained under continuous illumination also varied with different electrolytes by a factor of ~6-fold. The findings demonstrate a simple way to boost the voltage output of such protein-based cells into the hundreds of millivolts range typical of dye-sensitized and polymer-blend solar cells, while maintaining or improving the J(SC). Possible strategies for further increasing the V(OC) of such protein-based photoelectrochemical cells through protein engineering are discussed.

Continuous-wave operation of GaN based multi-quantum-well laser diode at room temperature

Room-temperature operation of cw GaN based multi-quantum-well laser diodes (LDs) is demonstrated. The LD structure is grown on a sapphire (0001) substrate by metalorganic chemical vapour deposition. A 2.5 mu m x 800 mu m ridge waveguide structure is fabricated. The electrical and optical characteristics of the laser diode under direct current injection at room temperature are investigated. The threshold current and voltage of the LD under cw operation are 110mA and 10.5V, respectively. Thermal induced series resistance decrease and emission wavelength red-shift are observed as the injection current is increased. The full width at half maximum for the parallel and perpendicular far field pattern (FFP) are 12 degrees and 32 degrees, respectively.

Photonic crystal vertical-cavity surface-emitting laser based on GaAs material

A photonic crystal vertical-cavity-surface-emitting laser ( PC-VCSEL) with a wavelength of about 850 nm was realized. The direct-current electrically-driven PC-VCSELs with a minimum threshold current of 2 mA and a maximum threshold current of 13.5 mA were obtained. We fabricated a series of PC-VCSEL chips whose lattice constants are in the range from 0.5 to 3 mu m with different filling factors, and found that the laser characterization depends on the lattice constant, the filling factor, the size of cavity, etc.

Structural and photoluminescent properties of ternary Zn1-xCdxO crystal films grown on Si(111) substrates

The ternary Zn1-xCdxO (0less than or equal toxless than or equal to0.6) alloying films with highly c-axis orientation have been deposited on Si(111) substrates by direct current reactive magnetron sputtering method. X-ray diffraction measurement indicates that the wurtzite-type structure of ZnO can be stabilized up to nominal Cd content x similar to 0.6 without cubic CdO phase separation. The lattice parameter c of Zn1-xCdxO increases almost linearly from 5.229 Angstrom (x = 0) to 5.247 Angstrom (x = 0.6), indicating that Cd substitution takes place on the Zn lattice sites. The photoluminescence spectra of the Zn1-xCdxO thin films measured at 12 K display a substantial red shift (similar to0.3 eV) in the near-band-edges (NBEs) emission of ZnO: from 3.39 eV of ZnO to 3.00 eV of Zn0.4Cd0.6O. The direct modulation of band gap caused by Zn/Cd substitution is responsible for the red shift effect in NBE emission of ZnO. (C) 2003 Elsevier Science B.V. All rights reserved.