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A STUDY ON THE INITIAL-STAGES OF AU-SI(1 1 3) INTERFACE FORMATION
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CHARACTERIZATION OF SI-SIO2 INTERFACE STATES IN MOS CAPACITORS BY USING DLTS TECHNIQUE
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REGROWTH OF MBE-GAAS FILMS ON SI SUBSTRATES BY HIGH-ENERGY ION-IMPLANTATION AND SUBSEQUENT ANNEALING
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THE PASSIVATING EFFECT OF SI(100)-AS SURFACE AND THE ADSORPTION OF OXYGEN
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ELECTRON SPECTROSCOPIC STUDIES OF THE DY/SI(111) INTERFACE
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NEGATIVE-U PROPERTY OF THE DX CENTER IN ALXGA1-XAS-SI
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HREM EXAMINATION OF ER ION-IMPLANTED IN SI
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MAGNETOTRANSPORT STUDIES OF DELTA-DOPING LAYERS IN MOCVD-GROWN INP
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