纳帕海越冬黑颈鹤（Grus nigricollis）空间生态学研究

黑颈鹤中部越冬种群是三个越冬种群中最为濒危的一个。由于栖息地退化和 丧失等因素的影响，其分布区逐渐萎缩，在大多数分布区（大理、鹤庆、丽江、 祥云），黑颈鹤已经消失或偶见。目前稳定的越冬区仅见于香格里拉县境内的纳 帕海和碧塔海，其中90%以上的个体在纳帕海越冬。纳帕海已经成为中部种群最 重要的越冬地。 本论文主要报道了2007 年～2010 年有关种群数量、空间利用模式、栖息地 偏好以及迁徙生态等工作成果。 1） 纳帕海黑颈鹤种群呈增长态势，数量由2004 年的281 只增长到2007 年的325 只。但2007 年的幼体新增率仅为8.1%，大大低于2004 年的16.3%。 这也说明黑颈鹤繁殖的成功率在不同的年份波动比较大。 2） 黑颈鹤在纳帕海的总利用区域（100%等值线）面积为990.9ha，而核心 利用面积（50%等值线）仅为42.3ha，分别占总研究区域的28.2%和1.2%。每个 月的平均90%利用区域面积为217.5 ±40.8ha （值域= 108.0～317.4ha, N = 5 个 月） ，月平均核心利用区域为25.5 ±5.1ha （值域=10.4～38.6ha, N = 5 个月）。 涝季和旱季相比，黑颈鹤的总利用区域和核心利用区的面积没有显著差异（t-检 验，P 均>0.05）。在不同的月份黑颈鹤会利用不同的区域，任意两月的总活动面 积重叠率为39.1 ±3.8% （值域= 21.3～57.2%），而核心活动面积重叠率仅为9.9 ±3.0%（值域= 0～28.5%）。栖息地的改变对黑颈鹤的空间利用造成较大的影响， 随着明水面由南向北退却，黑颈鹤的活动区域也随之移动。 3） 黑颈鹤对各栖息地具有选择性。使用欧几里德距离法分析表明黑颈鹤偏 好浅水沼泽和湿草甸，而回避耕地和干草地。这种偏好性不随季节而改变。 4）通过卫星跟踪发现：黑颈鹤具有相似的春季和秋季迁徙路线，但花费的 时间差异较大，春季时仅需1～2 天，而秋季时则花费了1～20 天。在迁徙过程 中，黑颈鹤通过山区时，沿河流飞行，在高原面上则顺低谷迁徙，迁徙中回避海 拔较高的高山，而多沿海拔较低的山谷飞行，在翻越高山时也选择较低的山隘口 通过。 根据研究的结果，提出如下保护建议：将黑颈鹤的核心利用区划为保护区的 核心区；重点保护浅水沼泽栖息地，在越冬期应该稳定保持一定面积的沼泽；规 范旅游管理，减少游客对黑颈鹤造成的干扰；开展家猪对湿地影响的研究，确立 合适的散养数量。

A surface structure model for Si(337)

The surface reconstruction on Si(337) at room temperature has been studied by low energy electron diffraction (LEED). It has been found that: (I) the Si(337) gave a clear LEED pattern which indicates the existence of another high index stable surface besides Si(113); (II) in addition to a strong Si(337)-(1 X 1), we observed for the first time a (2 X 1) LEED pattern indicating a surface reconstruction along the [1(1) over bar0$] direction; (III) a surface model has been proposed for the observed Si(337)-(2 X 1) structure.

INVESTIGATION OF C-60 SINGLE-CRYSTAL BY X-RAY-METHODS

C-60 Single crystals grown by a single-temperature-gradient technique were characterized by synchrotron radiation white beam x-ray topography and x-ray double crystal diffraction with Cu K-alpha 1 radiation on conventional x-ray source. The results show that the crystal is rather well crystallized, The x-ray topographies give an evidence of dendritic growth mechanism of C-60 Single crystal, and x-ray double crystal diffraction rocking curve shows that there are mosaic structural defects in the sample. A phase transition st 249+/-1.5% K from a simple cubic to a face centered cubic structure is confirmed by in situ observation of synchrotron radiation white beam x-ray topography with the temperature varing from 230 to 295 K.

Zn-doped InGaAs Base Heterojunction Bipolar Transistors Grown by Low Pressure Metal Organic Chemical Vapor Deposition

High performance InP/InGaAs heterojunction bipolar transistors(HBTs) have been widely used in high-speed electronic devices and optoelectronic integrated circuits. InP-based HBTs were fabricated by low pressure metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) and wet chemical etching. The sub-collector and collector were grown at 655 ℃ and other layers at 550 ℃. To suppress the Zn out-diffusion in HBT, base layer was grown with a 16-minute growth interruption. Fabricated HBTs with emitter size of 2.5×20 μm~2 showed current gain of 70~90, breakdown voltage(BV_(CE0))>2 V, cut-off frequency(f_T) of 60 GHz and the maximum relaxation frequency(f_(MAX)) of 70 GHz.

High-speed electrooptical VOA integrated in silicon-on-insulator

In this paper, we present simulation results of an electrooptical variable optical attenuator (VOA) inte-grated in silicon-on-insulator waveguide. The device is functionally based on free carriers absorption toachieve attenuation. Beam propagation method (BPM) and two-dimensional semiconductor device simu-lation tool PISCES-Ⅱ were used to analyze the dc and transient characteristics of the device. The devicehas a response time (including rise time and fall time) less than 200 ns, much faster than the thermoopticand micro-electromechanical systems (MEMSs) based VOAs.

纳米硅(nc-Si:H )/晶体硅(c-Si)异质结太阳电池的数值模拟分析

运用美国宾州大学发展的AMPS程序模拟分析了n-型纳米硅(n+-nc-Si:H)/p-型晶体硅(p-c-Si)异质结太阳电池的光伏特性.分析表明,界面缺陷态是决定电池性能的关键因素,显著影响电池的开路电压(VOC)和填充因子(FF),而电池的光谱响应或短路电流密度(JSC)对缓冲层的厚度较为敏感.对不同能带补偿(bandgap offset)的情况所进行的模拟分析表明,随着ΔEc的增大,由于界面态所带来的开路电压和填充因子的减小逐渐被消除,当ΔEc达到0.5eV左右时界面态的影响几乎完全被掩盖.界面层的其他能带结构特征对器件性能的影响还有待进一步研究.最后计算得到了这种电池理想情况下(无界面态、有背面场、正背面反射率分别为0和1)的理论极限效率ηmax=31.17% (AM1.5,100mW/cm2,0.40-1.10μm波段).

快速热退火和氢等离子体处理对富硅氧化硅薄膜微结构与发光的影响

采用micro-Raman散射、傅里叶变换红外吸收谱和光致发光谱研究了快速热退火及氢等离子体处理对等离子体增强化学气相沉积法200 ℃衬底温度下生长的富硅氧化硅（SRSO）薄膜微结构和发光的影响。研究发现在300-600 ℃范围内退火，SRSO薄膜中非晶硅和SiO_x:H两相之间的相分离程度随退火温度升高趋于减小；而在600-900 ℃范围内退火，其相分离程度退火温度升高又趋于增大；同时发现SRSO薄膜发光先是随退火温度的升高显著加强，然后在退火温度达到和超过600 ℃后迅速减弱；发光峰位在300 ℃退火后蓝移，此后随退火温度升高逐渐红移。对不同温度退火后的薄膜进行氢等离子体处理，发光强度不同程度有所增强，发光峰位有所移动，但不同温度退火样品发光增强的幅度和峰位移动的趋势不同。分析认为退火能够引起薄膜中非晶硅颗粒尺度、颗粒表面结构状态以及氢的存在和分布等方面的变化。结果表明不仅颗粒的尺度大小，而且颗粒表面的结构状态都对非晶硅颗粒能带结构和光生载流子复合机理发挥重要影响。

氢化非晶硅氧薄膜微结构

以Raman散射、X射线电子能谱和红外吸了光谱细致研究了PECVD法250℃衬底温度下制备的氢化非晶硅氧（a-SiOx:H)薄膜的微结构及键构型。研究表明，在0．52≤x≤1.58的氧含量范围内，a-SiOx:H薄膜成分和结构不是均一的，依赖于局域键构型氧化程度的不同，大致存在着5种在一定程度上相互分离的结构组分，即Si,Si2O(:H),SiO(:H),Si2O3(:H)和SiO2。其中的Si相以非氢化的非晶硅（a-Si)颗粒形式存在，随氧含量x的增加其尺度持续减小但始终存在。提出一种多壳层模型来描述a-SiOx:H薄膜的结构，认为a-SiOx:H薄膜中a-Si颗粒依次为Si2O(:H),SiO(:H),Si2O3(:H)和SiO2壳层所包围。随薄膜氧含量x的增加，各壳层厚度相应变化但各自的化学构成基本保持不变。

半导体纳米结构的可控生长

应用MBE技术和SK生长模式，通过对研究材料体系的应力分布设计，生长动力学研究和生长工艺优化，实现了In(Ga)As/GaAs,InAlAs/AlGaAs/GaAs和InAs/InAl(Ga)As/InP无缺陷量子点（线）的尺寸、形状、密度和分布有序性的可控生长，这对进一步的器件应用特别重要。讨论了半导体纳米结构的空间有序性分布物理起因和退火的机制。

GaInNAs/GaAs量子阱的光致发光谱和光调制反射谱

研究了GaInNAs/GaAs多量子阱在不同温度和激发功率下的光致发光（PL）谱以及光调制反射（PR）谱。发现PL谱主发光峰的能量位置随温度的变化不满足Varshni关系，而是呈现出反常的S型温度依赖关系。进一步测量，特别是在较低的激发光功率密度下，发现有两个不同来源的发光峰，它们分别对应于氮引起的杂质束缚态和带间的激子复合发光。随温度变化，这两个发光峰相对强度发生变化，造成主峰（最强的峰）的位置发生切换，从而导致表观上的S型温度依赖关系。采用一个基于载流子热激发和出空过程的模型来解释氮杂质团簇引起的束缚态发光峰的温度依赖关系。

立方相GaN/GaAs（001）外延层中六角相的分布特征

于2010-11-23批量导入

Determination of interstitial oxygen concentration in heavily doped silicon by combination of neutron irradiation and FTIR

于2010-11-23批量导入