半导体纳米结构的可控生长
| Data(s) |
2002
|
|---|---|
| Resumo |
应用MBE技术和SK生长模式，通过对研究材料体系的应力分布设计，生长动力学研究和生长工艺优化，实现了In(Ga)As/GaAs,InAlAs/AlGaAs/GaAs和InAs/InAl(Ga)As/InP无缺陷量子点（线）的尺寸、形状、密度和分布有序性的可控生长，这对进一步的器件应用特别重要。讨论了半导体纳米结构的空间有序性分布物理起因和退火的机制。 应用MBE技术和SK生长模式，通过对研究材料体系的应力分布设计，生长动力学研究和生长工艺优化，实现了In(Ga)As/GaAs,InAlAs/AlGaAs/GaAs和InAs/InAl(Ga)As/InP无缺陷量子点（线）的尺寸、形状、密度和分布有序性的可控生长，这对进一步的器件应用特别重要。讨论了半导体纳米结构的空间有序性分布物理起因和退火的机制。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:07:53导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:53Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5034.pdf: 646472 bytes, checksum: c80677e7d141dfae3de451d9e18db4a0 (MD5) Previous issue date: 2002 国家基础研究规划项目（G2 683 ） 中国科学院半导体研究所 国家基础研究规划项目（G2 683 ） |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王占国.半导体纳米结构的可控生长,人工晶体学报,2002,31(3):208-217 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
