干旱胁迫下蚕豆叶片抗氧化酶活性的变化

抗氧化防御系统在植物抗旱中发挥着极大的作用。本试验采用PEG胁迫和叶片35℃烘干处理的方法,研究了模拟干旱胁迫条件下蚕豆叶片SOD、POD、CAT活性变化。结果表明,三种抗氧化酶随胁迫时间的延长活性升高;随胁迫程度增加SOD活性活性降低,POD和CAT活性变化规律性不明显。总体而言,SOD活性对胁迫的耐受性更强。

盐渍土的增湿剪切变形特性

盐渍土在浸水后由于盐分的溶解,对土体的强度产生较大的影响。在以往的研究中,主要以饱和与非饱和土体的强度比较来说明水对强度的影响,没有研究在部分浸水后土体的变形和强度的变化规律。针对这一点,在参考黄土增湿剪切方法的基础上研究了盐渍土的增湿剪切变形特性,探讨了垂直压力、干密度和剪应力水平对剪切变形量的影响规律。

芳香性螺双内酯衍生物及聚合物的合成和拆分

(1) 设计了如下合成各种芳香性螺双内酯衍生物的路线：以甲苯的衍生物与甲醛进行二缩合反应，得到二芳基甲烷，二芳基甲烷经两步法氧化后再在酸性条件下脱水环化成螺双内酯；或者将二芳基甲烷氧化后，再将芳环上的取代基转化成目标基团，然后进行环化，从而得到螺双内酯；或者在得到螺双内酯以后，再将芳环上的取代基转化成目标基团，获得相应的螺双内酯衍生物。利用该方法合成芳香性螺双内酯，未见文献报道。其优点在于原料易得，产品收率高，操作非常简单：尤其是具有普适性，对合成芳环上具有不同位置、不同数目取代基的螺双内酯衍生物极其方便。本文利用此方法合成了一系列共12个化合物。其结构均通过IR、NMR、MS和元素分析等手段证实。(2) 研究了螺双内酯衍生物的内酰胺化反应，发现芳香性螺双内酯在200℃以下与胺反应时，只有一个内酯环能发生内酰胺化反应，胺和螺双内酯本身的反应活性对能否发生双内酰胺化反应没有明显的影响，即使当温度升高至280℃时，也仅有26％的螺双内酰胺生成。但脂肪性螺双内酯在180℃以下与胺反应，即可全部转化成螺双内酰胺。这一结果纠正了Shell公司的Wang关于芳香性螺双内酯也能顺利的与胺反应生成螺双内酰胺的结论。在上述实验基础上，研究了芳香性和脂肪性螺双内酯的内酰胺化反应机理。结果发现，它们经历了不同的反应过程，生成不同的中间物，但都生成螺环内酯内酰胺中间物。芳香性和脂肪性螺环内酯内酰胺的不同稳定性是两者的内酰胺化反应出现不同结果的主要原因。(3) 利用合成的螺双内酯二酐和二酰氯与各种二胺进行缩聚，合成了一系列含螺双内酯结构的聚酰亚胺和聚酰胺，首次将芳香性螺双内酯结构完整的引入聚合物链。分析结果表明，这类聚酰亚胺具有良好的热稳定性，在N_2和空气环境中的5％热失重温度>500℃，Tg接近400℃，而且所得的膜无色透明。选择不对称结构的二胺，得到的聚酰亚胺可溶于DMSO、DMF、DMAc等非质子极性溶剂，有的甚至可溶于THF和CHCl_3等溶剂。合成的含芳香性螺双内酯结构的聚酰胺也具有较好的热稳定性和机械性能，它们的10％热失重温度>390℃，Tg介于180℃和290℃之间；断裂强度为50～100MPa，断裂伸长率为7～23％，初始膜量为1.1～2.7 GPa。含这种结构的聚酰胺，它们都能溶解于DMSO、DMF、DMAc等非质子极性溶剂。实验还通过模型化反应研究了在聚合过程中螺双内酯的开环行为，表明当二胺的反应活性低于ODA时，聚合过程中螺双内酯单元不发生开环。(4) 通过聚合物链中螺双内酯单元的内酰胺化反应，研究了含这类结构聚酰亚胺的交联。首先利用模型化反应，对交联反应进行交联条件的探索和结构的表征。结果显示，在150℃以上，交联反应在10 h内可以进行完全。通过对聚合物在交联前后的性能比较，发现在交联前，聚合物可溶于DMSO等高沸点的非质子极性溶剂，而交联以后的聚合物不溶于任何溶剂。在热性能方面，在交联以后，聚合物的玻璃态转化温度升高，热失重的速度明显降低。和以往的通过在聚合物前体链的末端引入烯和炔等不饱和基团，这些不饱和基团通过Diels-Alder，Michael加成和-ene反应等合成交联型聚酰亚胺相比，这种聚合物的交联方法其交联程度的大小不受预聚物分子量的影响，螺双内酯单元可以均匀的分布在预聚物链的任何位置，不一定在末端；并且实现了全芳香交联型聚酰亚胺。(5) 对芳香性螺双内酯四酸的拆分进行了探索。考察了奎宁、辛可宁、辛可尼丁和辛可尼丁苄基氯盐等不同的拆分试剂对四酸的拆分能力，发现辛可宁和辛可尼丁的拆分效果均比较好。应用辛可尼丁和辛可宁，对外消旋四酸进行连续拆分，可分别获得[α]_D~(25) = +186.4°和-188.6°的四酸对映体。依据手性光学方法(Chiroptical Methods)判断，认为为旋光纯的对映体。考察了酸、碱和热对其旋光稳定性的影响，显示在以上各环境中，螺环结构可以发生消旋，这说明螺双内酯结构对酸碱和热都是不稳定的。(6) 将上述(+)、(-)-四酸热法所成的二酐与二胺聚合，得到含旋光性芳香螺双内酯结构的聚酰亚胺，这种由面不对称的旋光性单体合成的聚酰亚胺，尚未见文献报道。经对比，旋光性和外消旋的聚合物在热性能和溶解性方面基本相同，仅在结晶形态方面略有差异，其中外消旋聚合物为非晶态，而旋光性聚合物则有一定的结晶含量。含旋光性芳香螺双内酯结构的聚酰亚胺，其旋光稳定性在酸碱当中也不稳定，但对热是稳定的。

澜沧江姬鼠（Apodemus ilex）和大耳姬鼠（Apodemus latronum）头骨形态地理分化及其生物地理初步分析

姬鼠有很长的进化历史，并且其进化历史被认为与全球地质变迁、植物区系演替有关。横断山脉具有最复杂的水系、山系及复杂的地质历史。本文以横断山脉为主要分布区的澜沧江姬鼠（Apodemus ilex）和横断山脉的特有种大耳姬鼠（A. latronum）为研究对象，旨在探讨这两种姬鼠的形态分化。 本研究对308号澜沧江姬鼠成年头骨标本及188号大耳姬鼠成年头骨标本的16个变量进行了测量，利用多变量和单变量分析方法，对两种姬鼠的头骨形态分化进行了研究。分析表明澜沧江姬鼠可分为6个居群：高黎贡北、高黎贡南、永德大雪山、云岭南、云岭北和东川轿子山；而大耳姬鼠可分为4个居群：川西藏南、川中南、滇西北和滇东北。并且差异主要体现在下臼齿列长（CLLMR）、上臼齿列长（CLUMR）、上臼齿横宽（M1-M1）、第一上臼齿长（LM1）、下齿列长（LLTR）和眶间宽（IB）等6个与咀嚼、咬合能力有关的变量，表明食性差异在姬鼠类群适应性进化中扮演着重要角色。

Electronic properties of zinc-blende GaN, AlN, and their alloys Ga1-xAlxN

The electronic properties of wide-energy gap zinc-blende structure GaN, A1N, and their alloys Ga(1-x)A1(x)N are investigated using the empirical pseudopotential method. Electron and hole effective mass parameters, hydrostatic and shear deformation potential constants of the valence band at Gamma and those of the conduction band at Gamma and X are obtained for GaN and AIN, respectively. The energies of Gamma, X, L conduction valleys of Ga(1-x)A1(x)N alloy versus Al fraction x are also calculated. The information will be useful for the design of lattice mismatched heterostructure optoelectronic devices based on these materials in the blue light range application. (C) 1995 American Institute of Physics.

霍尔罗盘误差补偿算法及实验分析

研究了锑化铟(InSb)霍尔罗盘中的椭圆误差补偿问题。文中详细分析了基于椭圆假设的罗盘误差补偿算法,使罗盘具备了自动误差补偿和自动校准功能。实验结果表明,利用这种算法的霍尔罗盘精度达到了±2.46°,基本达到了实用要求。本文还详细分析了影响罗盘精度的原因和以后改进的措施.

GaNAs/GaAs中的激子局域化和发光特性

通过多种光谱手段研究了GaNAs量子阱和体材料中的局域态和非局域态的不同光学特性.在超短激光脉冲激发下,第一次在GaNAs/GaAs量子阱发光光谱中,观察到非局域激子发光.选择激发光谱表明,局域中心主要聚集在GaNAs、GaAs异质结界面.在低N含量的GaNAs体材料发光光谱中,除了与N相关的局域态发光外,也发现发光特性完全不同的GaNAs合金态发光.这些结果为理解Ⅲ-V-N族半导体的异常能带特性具有十分重要的意义.

半绝缘InP的优化生长条件以及掩埋的1.55μm激光器

于2010-11-23批量导入

半导体材料与器体生产工艺尾气中砷、磷、硫的治理及检测

研究了化合物半导体材料、器件生产工艺中排出的有毒物质砷、磷、硫及其化合物的治理方法。还研究了这些有毒物质的低温富集取样及快速、灵敏的分析监测方法,并与其它经典的方法作了对比。

高灵敏度低暗电流GaAs量子阱红外探测器

报道所研制的高灵敏度、低暗电流的 GaAs量子阱长波长红外探测器的制备和性能。探测器具有50个GaAs量子阱和Al_(0.28)Ga_(0.72)As势垒,器件制成直径为320μm的台面型式单管。探测器的主要性能──响应率和探测率与偏置电流和工作温度关系很大。 通过材料结构的精心设计和器件工艺的改进使探测器的性能进一步提高: 探测峰值波长为9.2μm,工作温度为77K时,峰值电压响应率为9.7×10~5V/W,峰值探测率超过1×10~(11)cm。((Hz)~(1/2))/W,暗电流小于0.1μA。