GaNAs/GaAs中的激子局域化和发光特性
| Data(s) |
2005
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| Resumo |
通过多种光谱手段研究了GaNAs量子阱和体材料中的局域态和非局域态的不同光学特性.在超短激光脉冲激发下,第一次在GaNAs/GaAs量子阱发光光谱中,观察到非局域激子发光.选择激发光谱表明,局域中心主要聚集在GaNAs、GaAs异质结界面.在低N含量的GaNAs体材料发光光谱中,除了与N相关的局域态发光外,也发现发光特性完全不同的GaNAs合金态发光.这些结果为理解Ⅲ-V-N族半导体的异常能带特性具有十分重要的意义. 国家自然科学基金,江苏省自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
罗向东;徐仲英;谭平恒;GE Wei-Kun.GaNAs/GaAs中的激子局域化和发光特性,红外与毫米波学报,2005,24(3):185-188 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
