InAs/GaSb Ⅱ型超晶格的拉曼和光致发光光谱

采用分子束外延(MBE)技术,在GaSb(100)衬底上外延生长晶体结构完整和表面平整的Ⅱ型超晶格InAs(1.2 am)/GaSb(2.4 am).拉曼光谱表明:随着温度从70 K升高至室温,由于热膨胀作用和光声子散射过程中的衰减,超晶格纵光学声子拉曼频移向低波数方向移动5 cm~(-1),频移温度系数约为0.023 cm~(-1)/K.光致发光(PL)峰在2.4～2.8 μm,由带间辐射复合和束缚激子复合构成,2.55 μm PL峰随温度变化(15～150 K)发生微小红移,超晶格中InAs电子带与GaSb空穴带带间距随温度变化比体材料的禁带宽度小.PL发光强度在15～50 K随温度升高而升高,在60～150 K则相反,并在不同温度段表现出不同的温度依赖关系.

GaAs基短周期InAs/GaSb超晶格红外探测器研究

采用分子束外延(MBE)方法,在(001)GaAs衬底上生长了短周期Ⅱ型超晶格(SLs):InAs/GaSb (2ML/8ML)和InAs/GaSb (8ML/8ML).从X射线衍射(HRXRD)中计算出超晶格周期分别为31.2(A)和57.3(A).室温红外透射光谱表明两种超晶格结构在短波2.1μm和中波5μm处有明显吸收.通过腐蚀、光刻和欧姆接触,制备了短波和中波的单元光导探测器.在室温和低温下进行光谱响应测试和黑体测试,77K下,50%截止波长分别为2.1μm和5.0μm,黑体探测率D~·_(bb)均超过2×10~8cmHz~(1/2)/W.室温下短波探测器D~·_(bb)超过10~8cmHz~(1/2)/W.

生长温度对InAs／GaSb超晶格晶体结构和表面形貌的影响

采用分子束外延（MBE）技术，在GaSb（100）衬底上外延生长InAs（4ML）／GaSb（8ML）超晶格（SLs）。研究了生长温度（400～440℃）对超晶格晶体结构和表面形貌的影响。结果表明，420℃生长的超晶格结构完整和表面粗糙度最小，其荧光光谱（PL）峰值波长在约2．54μm处，响应光谱50％截止波长在约2．4μm处。通过控制快门顺序形成InSb和混合两种界面，并发现生长温度强烈影响混合界面InAs／GaSb超晶格结构和表面形貌，而对InSb界面超晶格的影响较小。

GaAs基GaSb体材料及InAs/GaSb超晶格材料的MBE生长

采用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长GaSb体材料,以此GaSb为缓冲层生长了不同InAs厚度的InAs/GaSb超晶格,其10K光致发光谱峰值波长在2.0～2.6 μm.高分辨透射电子显微镜观察证实超晶格界面清晰,周期完整.

用正电子研究半导体材料GaSb的缺陷

用正电子寿命谱和符合多普勒技术研究了电子辐照过的GaSb样品．揭示出原牛未掺杂GaSb样品中存在单空位型VGa相关缺陷，具有284ps左右的寿命值．电子辐照能使这种缺陷的浓度增大，使平均寿命值从辐照前的265Ps增大到辐照后的268ps．低温符合多普勒展宽实验结果表明退火后的电子辐照过的原生未掺杂GaSb样品中仍然存在反位缺陷Gasb．掺Zn、Te样品的实验也证实电子辐照在GaSb样品中会引入VGa，284 ps类型的缺陷．

电化学C-V法研究磁性GaMnSb/GaSb单晶的载流子浓度纵向分布

采用电化学C-V方法和Tiron电解液研究了GaMnSb/GaSb单晶载流子浓度的纵向分布，所得结果与Hall测量结果和X射线衍射分析结果一致。研究结果表明GaMnSb单晶中的Mn原子替代了GaSb中部分Ga原子的位置，并在GaSb中形成了浅受主能级。

在GaSb衬底上生长c-GaN的初步研究

AES、XPS和XRD谱结果证明

GaSb太阳电池阳极氧化膜的研究

讨论了GaSb太阳电池阳极氧化膜的减反射特性,利用AES和XRD分析了氧化膜的组成和结构,实验制备的GaSb太阳电池效率为5％。

Ag/AuGeNi/n-GaSb欧姆接触的研究

研究了Ag/AuGeNi/n-GaSb在150℃─450℃下合金处理对欧姆接触的的影响,最佳合金温度为220℃,此时接触电阻率为6.7×10~(-4)Ωcm~2。用AES和XRD研究了金属半导体界面处的扩散及物相变化,并讨论了接触电阻率与微结构的关系。

液相外延生长In_xGa_(1-x)As_ySb_(1-y)/GaSb及其性质研究

于2010-11-23批量导入

Al_xGa_(1-x)As_ySb_(1-y)/GaSb的LPE生长与性质研究

其它基金

Defects in GaSb studied by coincidence Doppler broadening measurements

Undoped, Zn-doped and Te-doped GaSb with different concentrations were investigated by positron lifetime spectroscopy (PAS) and the Doppler broadening technique. Detection sensitivity of the latter technique was improved by using a second Ge-detector for the coincident detection of the second annihilation photon. PAS measurement indicated that there were vacancies in these samples. By combining the Doppler broadening measurements, the native acceptor defects in GaSb were identified to be predominantly Ga vacancy (V-Ga) related defects.

Thermodynamic analysis of GaSb-GaCl3 vapor phase epitaxy

A thermodynamic model for the GaSb-GaCl3 system in a closed quartz ampoule was proposed. The species in the gas phase are GaCl, GaCl3, Sb-4, Sb-2. The partial pressures of these species and total pressure in the ampoule have been calculated. The calculated results indicate that the equilibrium partial pressures of GaCl, GaCl3, Sb4, Sb2 and the total pressure in the ampoule have strong dependence on temperature, free volume inside the closed ampoule and amount of transport agent GaCl3. The total pressure will give strong influence not only on the flow pattern in the ampoule, but also on the uniformity of the epilayer.