Ag/AuGeNi/n-GaSb欧姆接触的研究
| Data(s) |
1995
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| Resumo |
研究了Ag/AuGeNi/n-GaSb在150℃─450℃下合金处理对欧姆接触的的影响,最佳合金温度为220℃,此时接触电阻率为6.7×10~(-4)Ωcm~2。用AES和XRD研究了金属半导体界面处的扩散及物相变化,并讨论了接触电阻率与微结构的关系。 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
钟兴儒;刘爱民;林兰英;常秀兰;陶琨;陈顺英.Ag/AuGeNi/n-GaSb欧姆接触的研究,太阳能学报,1995,16(4):384 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
