GaAs基GaSb体材料及InAs/GaSb超晶格材料的MBE生长
| Data(s) |
2007
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|---|---|
| Resumo |
采用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长GaSb体材料,以此GaSb为缓冲层生长了不同InAs厚度的InAs/GaSb超晶格,其10K光致发光谱峰值波长在2.0～2.6 μm.高分辨透射电子显微镜观察证实超晶格界面清晰,周期完整. 国家自然科学基金资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
郝瑞亭;徐应强;周志强;任正伟;牛智川.GaAs基GaSb体材料及InAs/GaSb超晶格材料的MBE生长,半导体学报,2007,28(7):1088-1091 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
