针对瞬时故障的控制流容错技术研究

随着微电子器件复杂度的提高，空间辐射对于计算机程序的正确性影响正越来越明显。一般情况下，这些影响并不是永久的，而是瞬时故障。无论是太空中的信息处理系统、嵌入式实时控制系统，还是计算机集群、高性能超级计算机都可能由于错误的输出而导致灾难性的后果。 传统的可靠性系统采用抗辐射部件和冗余的硬件来达到可靠性的要求，但是其价格昂贵，性能落后于今天的商用部件（COTS）。针对COTS在容错能力上存在的不足，软件容错技术可以在不改变硬件结构的情况下，有效的提高计算机系统的可靠性。 瞬时故障在软件层面上主要表现为控制流错误和数据流错误，本文主要针对控制流错误进行容错处理。软件实现的控制流容错技术通过在编译时加入冗余的容错逻辑，在程序执行时进行控制流错误的检测和处理。 如何在保证容错能力的同时，尽量降低冗余逻辑所带来的系统开销，是控制流容错需要解决的主要问题。本文从控制流错误的基本概念，容错单元的选择，签名信息的建立，签名点和检测点的插入位置几个角度对控制流容错进行研究，主要内容有： 1．对常见的控制流容错方法进行了分析比较，对其优点和不足予以说明。 2．对控制流错误进行了分类，以此为基础，提出了基于相关前驱基本块的控制流容错方法（CFCLRB）。 3．提出了一种签名流模型，提出了基于签名流模型的控制流容错方法（CFCSF）。该方法能够对基本块间控制流错误进行检测，具有较低的时间开销、空间开销和较高的错误覆盖率。同时，该方法可以根据容错尺度的要求，灵活的插入和删除签名点与检测点，具有极强的扩展性。该方法还可以应对动态函数指针这种编译时难以确定的控制流情况。 4．基于汇编指令对上述方法予以实现，并实现了国际上常用的控制流容错方法Control Flow Checking by Software Signatures（CFCSS）和Control-flow Error Detection through Assertions（CEDA）做为对比。通过加入冗余的指令逻辑，完成了对原程序的容错功能。 5．基于PIN工具实现了对控制流错误的注入，在相同的实验环境下对CFCLRB ，CFCSF，CFCSS，CEDA进行了对比实验。实验表明, CFCLRB的时间开销为26.9%，空间开销为27.6%，相比不具容错能力的原程序，其错误覆盖率从66.50%提升到97.32%。CFCSF的时间开销为14.7%，空间开销为22.1%，相比不具容错能力的原程序，其错误覆盖率从66.50%提升到96.79%。相比CFCSS，该方法的时间开销从37.2%下降到14.7%，空间开销从31.2%下降到22.1%，错误覆盖率从95.16%提升到96.79%。相比CEDA，该方法的时间开销从26.9%下降到14.7%，空间开销从27.1%下降到22.1%，错误覆盖率仅从97.39%下降到96.79%。 最后，本文对控制流容错的未来研究方向进行了展望。

黄土区人工与天然植被对凋落物量和土壤有机碳变化的影响

在黄土丘陵区选择从耕地、草地、灌木林到乔木林样地,不同样地内设立1m×1m(乔木10m×10m)的样方,分析样方内凋落物积累量、碳氮含量、土壤有机碳(SOC)和可溶性碳(DOC)含量变化。结果表明:天然草地、灌木林、乔木林凋落物积累量依次为5.3,12.1和32.4t.hm-2;但人工灌木林和乔木林的凋落物积累量分别为6.7和11.4t.hm-2,分别是天然灌木林和乔木林的1/2和1/3。随着植被的恢复,天然植被凋落物的C/N高于人工植被(刺槐林除外)。与耕地SOC(4.67g·kg-1)相比,天然灌木林地SOC提高5.9倍,人工灌木林地提高1.8倍;天然乔木林地提高8.0倍,而人工乔木林地仅提高4.0倍。凋落物积累量与0～20cm土层土壤有机碳存在显著线性相关关系(R2>0.83),但20cm以下线性相关关系不显著。凋落物积累量与0～10cm土壤可溶性碳含量存在显著线性相关关系(R2>0.893),与10～60cm土层线性相关关系不显著,与80～100cm土壤可溶性碳存在显著线性负相关关系。

施氮水平对黄土旱塬区小麦产量和土壤有机碳、氮的影响

施用氮肥是提高作物产量和土壤有机碳(SOC)、氮(TSN)含量的重要养分管理措施。利用长期田间试验(19842~007),定量评价了常规耕作条件下5个施氮水平N 0(N0)、45(N45)、90(N90)、135(N135)和180(N180)kg/hm2处理下,小麦子粒产量、SOC、TSN和氮肥利用效率的变化。研究了施氮水平对黄土旱塬区小麦产量、SOC和TSN积累的影响。结果表明,19842~007年期间,N0、N45、N90、N135和N180处理小麦产量的平均值依次为1.2、2.4、2.9、3.2和3.4t/hm2;N0处理的小麦产量随试验年限而降低,年降低幅度达67 kg/hm2(P<0.001);但增施氮肥处理小麦产量降低趋势得到显著控制,当施氮水平提高到N 90 kg/hm2时,产量随年限呈现出缓慢升高的趋势。随着施氮水平的提高,地上部氮肥利用率由40%(N45)降低到28%(N180)。不同施氮水平条件下,SOC含量随年限呈缓慢升高趋势。23年后(2007年),N0、N45、N90、N135和N180处理下,0—20 cm土层SOC储量依次为16.9、18.2、18.7、19.0和19.1 t/...

未来气候变化对黄土高原黑河流域水资源的影响

气候变化对黄土高原的水资源有重要影响,对其影响进行评估可以为区域发展提供重要的决策依据。基于分布式水文模型SWAT和4种全球环流模式的各3种排放情景,评估了2010～2039年黄土高塬沟壑区黑河流域水资源对气候变化的潜在响应。结果表明,黑河流域2010～2039年的年均降水变化-2.3%～7.8%,年均最高和最低温度分别升高0.7～2.2℃和1.2～2.8℃,年均径流量变化-19.8%～37.0%,1.2m剖面年均土壤水分含量变化-5.5%～17.2%,年均蒸散量普遍增长0.1%～5.9%;水文气象变量变化趋势复杂,但T检验表明年降水、径流、土壤水分和蒸散增长的概率较大。对于季节变化,降水可能在12～7月份和9月份增长,8月份和10～11月份减少;径流在4～7月份和9～10月份增加,11～3月份和8月份减少;土壤水分在各月都增长;蒸散11～6月份普遍增长,7～10月份减少的可能性较大。未来气候将发生显著变化并对水资源有重要影响,需采取必要的措施来减缓其不利影响。

两种高分子保水材料对盆栽甘蓝影响研究

采用盆栽试验,研究了两种高分子化合物聚丙烯酸钠(sodium polyacrylate,SP)与聚丙烯酰胺(Polyacrylamide,PAM)对甘蓝生长的影响。结果表明:在土壤中施入2/1000的两种高分子材料均能抑制土壤蒸发,砂土、粘土蒸发强度分别较对照降低35.5%、22.8%;甘蓝叶绿素受两种材料的影响不显著,受肥料影响较大;两种高分子材料施入土壤中增加了甘蓝产量、降低了根冠比,地上、地下生物量砂土较对照分别增加了61.1%、16.1%,粘土分别增加了55.2%、28.7%,根冠比砂土较对照平均降低了26.9%,粘土降低16%;PAM与SP使砂土容重较对照降低了13.9%,而粘土仅降低了4.1%;单施高分子处理水分利用效率平均较对照增加59.1%,与肥料混合使用时增加77.1%。总体来看,PAM与SP作用效果相近。

有序纳米薄膜的组装及其结构研究

纳米材料具有一系列新异的物理、化学特性，但是纳米粒子只有组装特定的结构才能制成器件应用于实际。本论文的目标就是制备多种具有特定结构的周期性有序的纳米薄膜，探索化学方法制备各种有机－无机、无机－无机超晶格结构的途径。首次通过布儒斯特角显微镜，观察到了 SnO_2、Fe_2O_3 及 TiO_2 等无机氧化物纳米溶胶在其与空气的界面上能自发成膜的现象，并进一步对 SnO_2 纳米溶胶界面所形成的界面膜进行了详细研究，发现在空气与 SnO_2 纳米溶胶界面形成稳定的界面膜约需 8 h，膜厚约为 20 nm，垂直方式转移的膜质量比较好，膜的组成为非化学计量比的 SnO_(2-x)，其中存在着大量的氧空位。虽然随着在空气中放置时间的增长，发现转移出来的膜不很稳定，膜中粒子有长大的倾向，但是薄膜始终处于纳米量级，而且这种方法操作简单、适于规模化生产，因此仍不失为一种制备无机氧化物纳米薄膜的方法。为了达到使纳米粒子稳定和有序化的双重目的，制备了花生酸掺杂的 DBS 包裹的 SnO_2 纳米有机溶胶，并采用 LB 技术对其进行了组装。发现花生酸掺杂的 SnO_2 纳米粒具有很好的成膜性，崩溃压可达 60 mN/m，可以成功地往固体基片上转移上百层，转移比均在 0.8-1.0 之间。转移膜的红外光谱、紫外光谱及 X 光电子能谱的研究表明，转移多层膜的组成为 SnO_2 和花生酸，包裹 SnO_2 纳米粒子的 DBS 为花生酸所代替而溶于亚相水中。转移膜非常均匀，由 100 nm 左右的畴构成，畴由更小的粒子组成。偏振红外光谱和小角 X 射线衍射的研究表明花生酸在膜中是取向排列的，碳链与其法线约成 10.2°夹角，SnO_2 纳米粒子和花生酸形成了交替重复的周期性结构，其周期间距为 7.48 nm。采用同样方法，还成功地组装了 TiO_2 纳米粒子和花生酸交替重复的周期性有序结构。进一步对花生酸掺杂的 TiO_2 纳米粒子和 SnO_2 纳米粒子进行了交替组装，发现交替膜是由 SnO_2、TiO_2 和花生酸组成的，花生酸在膜中取向排列，其碳链与法线的夹角为 36°，SnO_2 纳米粒子、TiO_2 纳米粒子和花生酸形成了一种有机物质和两种无机纳米粒子交替重复的 SnO_2－花生酸－TiO_2－花生酸的周期性有序结构，其周期间距为 6.46 nm。得到了几种准一维的有机－无机超晶格结构并找到了制备它们的化学方法。对所得的 SnO_2－花生酸和 SnO_2－花生酸－TiO_2－花生酸的周期性有序结构直接进行了热处理，并对组合体的变化进行了研究。发现热处理后，膜中的有机成分完全分解，前者的周期性结构遭到彻底破坏，但是却得到了沿 (101)晶面取向的 SnO_2 薄膜；后者的周期性结构经过一系列的变化，却依然保持，形成了 SnO_2 纳米粒子和 TiO_2 纳米粒子交替重复的周期性有序结构。开辟了一条采用化学方法制备准一维的无机－无机超晶格材料的途径。成膜物质在亚相表面形成稳定的单层膜的条件和单层膜向固体基片的转移条件是制备高质量 LB 膜的关键，重点对花生酸在 YCl_3 稀溶液表面的成膜行为进行了研究，发现亚相的 pH 值和溶剂的挥发时间对单分子膜的形成都具有很大影响，所形成的单分子膜在该亚相表面是不可逆的。进一步研究了单层膜的转移条件，并选定最佳条件将单分子膜转移到固体基片上，对膜的组成、形貌等进行了多种表征测试。发现我们得到了是结构非常好的含有三个链的花生酸钇 M(AA)_3 的 Y－型的周期性结构，碳链在膜中与基底法线的夹角为 28.5°，而不是有的文献认为的羟基化的花生酸钇 M(AA)_2OH LB 膜。

氟化物晶体中铕（II）及其共掺体系的光谱化学

利用坩埚下降法生长了KMgF_3:Eu~(2+)和KMgF_3:Eu~(2+)-X(X=Gd~(3+)、Ce~(3+)、Cr~(3+)、Cu~(+))等12种单晶体。测试了所有单晶体的UV-Vis吸收光谱、近红外吸收光谱、低分辨荧光光谱以及在300 K和77 K的高分辨发射光谱。测试了所有晶体研成粉末后的漫反射光谱。光谱研究表明，晶体中含有氧中心和色心，发现了氧中心和色心与掺杂离子之间的能量传递。不同掺杂离子之间的光谱相互影响，并存在能量传递现象。首次研究了Eu~(2+)振动光谱与其它掺杂离子格位取代的关系，发现从振动光谱的研究可以获得许多有用的信息。利用时间分辨技术测量了4种晶体中Eu~(2+) ~6P_(7/2)激发态的四能级衰减模型和双指数拟合方程，并从光谱上证实了该模型的正确性。对双指数拟合方程中每一项参数的物理意义给出了明确的解释。根据这些拟合常数，建立了一种研究能量传递现象和机理的新方法。首次发现了Eu~(2+)和Ce~(3+)通过d-d相互作用发生的能量传递现象。根据我们建立的模型和可获得的文献数据，从理论和实验上证明了KMgF_3:Eu~(2+)晶体存在净光学增益。

模拟生物膜的电化学研究

本文简要评述了生物膜领域的发展过程及研究现状，介绍了关于生物膜的一些基本性质和理论。采用电化学、光谱学以及扫描探针显微镜等方法对支撑双层磷脂膜、磷脂浇铸膜和泡囊等不同的模拟生物膜体系进行了研究。主要结果如下：1．将磷脂与芦丁的混合物滴于玻碳电极表面制备出了嵌有芦丁的磷脂浇铸膜，并以此膜为模拟生物膜的模型研究芦丁在磷脂膜内的电化学行为，以及芦丁对还原型辅酶烟酞胺腺漂吟二核昔酸（NADH）的催化氧化。芦丁与磷脂膜牢固地结合，在pH 7.4的磷酸缓冲溶液中，嵌在磷脂膜内的芦丁显示了准可逆电化学行为，也显示出很好催化氧化NADH的能力，使氧化电流明显增大。同时，与5*10~(-3)mol／L的NADH在裸玻碳电极上的电化学行为相比，其氧化过电位降低了约220 mV。2．在玻碳电极表面制备了嵌有芦丁的磷脂浇铸膜，嵌在磷脂膜内的芦丁显示了准可逆电化学行为。利用这种浇铸膜作为模拟生物膜的模型研究了芦丁对抗坏血酸的催化氧化，磷脂膜一方面与芦丁牢固结合，另一方面为芦丁催化抗坏血酸的氧化提供了理想的生物环境，在pH 7.4的磷酸缓冲溶液中，芦丁能有效地催化氧化抗坏血酸，使抗坏血酸的氧化过电位与裸玻碳电极上的电化学行为相比降低了约100 mV。该修饰磷脂膜和芦丁的玻碳电极对抗坏血酸的测定线性范围为2*10~(-4) mol／L-1.4*10~(-3) mol／L。3．将含有四硫富瓦烯（TTF）和黄嘿吟氧化酶的二甲基二（十二烷基）澳化钱（D DAB）泡囊滴于热解石墨电极表面，制备出一种基于磷脂浇铸膜的黄嘿吟生物传感器。TTF由于其可以有效地转移电子而被选作为电子媒介体，用安培检测的方法研究了工作电位、pH值对黄嘿吟传感器的影响。该传感器的响应时间小于10秒，其检测黄嘿吟线性范围从4*10~(-7)mol／L到2.4*l0~(-6)mol／L，最低检测限为3.2*10~(-7) mol/L。4；将辣根过氧化物酶（HRP）固定在修饰于玻碳电极表面的DDAB浇铸膜内，获得了IIR卫的直接电化学，并以此开发出一种不需媒介体的还02传感器，该传感器对H_2O_2的响应时间约5s，其检测姚。2线性范围从l*10~(-3) mol／L到4*10~(-3)mol／L，同时该传感器也显示出良好的重现性及稳定性。5，利用循环伏安的方法研究了HRP分子在双肉豆范磷脂酰胆碱（DMPC）磷脂膜内的电化学行为，并获得了一对氧化还原峰，说明了DMPC磷脂膜促进了HRP分子的电子传递，同时HRP分子仍保持对H_2O_2的催化生物活J险。UV一vis和CD的检测结果说明HRP分子在与磷脂膜相互作用后，其二级结构没有改变，而三级结构变得松散，这种三级结构的松散可能是使HRP分子的活性基团有所暴露，使得电子传递更容易。AFM实验同样也显示了HRP分子与DMPC磷脂膜间的强烈作用。

高分子固体电解质

固体电解质是全塑固态电池不可缺少的一个组成部分，近年来得到了迅速的发展。高分子固体电解质由于质量轻，可塑性强，并具且良好的力学性能和机械加工性能，在固体电解质领域内越来越受到人们的重视和关注。高分子固体电解质一般是由聚醚类的高分子主体物和无机盐形成的复合物。聚氧化乙烯（PEO）是高分子主体物中比较优秀的代表，其盐复合物在高温（100 ℃）时电导率可达2 * 10~(-3)Scm~(-1)，但由于结晶，其室温电导率很低(10~(-8) ～ 10~(-7)Scm~(-1))，远远满足不了室温电池的要求。本工作的目的是利用接技和共聚对PEO进行改性，提高复合物室温电导率。主要工作和结论有下列几点：（1）采用二步法合成了列三种单体：CH_2-CH CH_2O(CH_2CH_2O)_nCH_3 (n = 0,1,2)，通过改进反应条件，提高了产物收率。（2）考察了不同烷基铝多元催化剂对上述单体聚合的催化性能，发现只有Al(i-Bu)_3-Zn(acac)_2-H_2O和AlEt_3-Hacac-H_2O对单体聚合的催化效果较好。（3）DSC分析的结果表明，上述单体的均聚物不易结晶；聚合物玻璃化温度分别为-64 ℃(n = 0)，-75 ℃ (n = 1)和-86 ℃(n = 2)，都比PEO(Tg = -57 ℃)低，这对提高复合物电导率应该是有利的。（4）利用环氧丙烷（Po）与环氧烷（Eo）共聚，大幅度降低了聚合物的结晶性，当共聚物中Po含量达到40％时，聚合物几乎是完全非晶的。（5）利用DSC、X－射线衍射、偏光显微镜等手段对均聚物和共聚物的 NaScN和LiClO_4复合物的聚集态结构进行了研究，发现复合物中没有结晶络合物相存在，这与PEO体系是不同的。复合物结晶度随聚合物结构和盐含量的不同而变化。（6）共聚改性是提高复合物室温电导率的有效手段。共聚物与NaScN和LiClO_4复合物在25 ℃时的电导率分别达到了5 * 10~(-5)Scm~(-1)和1.1 * 10~(-4)Scm~(-1)，与PEO体系相比提高了2 ～ 3个数量级。（7）梳状均聚物虽然结晶度和玻璃化温度都很低，但其盐复合物的室温电导率不高，只有10~(-6)Scm~(-1)数量级，这与我们预期的结果不一致。（8）聚合物一盐复合物的电导率随聚合结构以及盐的种类和含量的变化而不同。对于无机盐来说，阴离子相同时，复合物电导率随阳离子半径的增大而增大，随着盐浓度的变化，复合物电导率出现一个极大值。另外，成膜溶剂、水份等都对复合物电尼率有很大的影响。（9）考察了复合物电导率随温度的变化情况。高温(～100 ℃)时，复合物电导率都比PEO体系低，说明为提高复合物室温电导率而对PEO进行的改性是以牺牲其高温电导率为代价的。

无水稀土氯化物催化下Diels-Alder反应的研究

本文研究了在无水氯化稀土催化下2－甲基呋喃和丙烯醛、呋喃和丙烯醛、呋喃和丙烯酸甲酯、2－甲基呋喃和丙烯酸甲酯，呋喃和丙烯酸乙酯以及丁二烯和顺丁烯二酸酐的Diels-Aldel反应，结果表明:（1）无水LnCl_3 (Cn=Nd, Eu, Gd, Yb)对2－甲苯呋喃和丙烯醛的反应有明显的催化作用，反应在温和条件下（25℃，常压无溶剂）顺利进行，不同LnCl_3催化活性按稀土元素原子序数递增而增加。其中，仅用0.008mol% YbCl_3就可催化反应达到85％的产品收率。本反应是连串反应，产物在LnCl_3催化下聚合成低聚物，适当降低催化剂用量是控制产物的聚合从而提高产品收率。与AlCl_3相比，YbCl_3的活性比AlCl_3高。降低反应温度也可以相对控制副反应。当丙烯醛和2－甲基呋喃的用量摩尔比为2:1时，反应能得到最好结果。用THF作溶剂时反应产率比甲苯作溶时要低得多。（2）丙烯醛和呋喃在常温下经CnCl_3催化可得到反应物摩尔比为1：1和2：1两种加成物，主要是2：1加成物。1：1加成物在LnCl_3存在下易聚合，在加热下易聚合。室温下易分角为原料。本反应在－40℃以CH_2Cl_2为溶剂YbCl_3催人时，只得到1：1加成物但收率不高.（3）LnCL_3对呋喃和丙烯酸甲酯的反应有良好的催化活性，当温度为40℃，YbCl_3 10mol%, 反应60小时可得到N/X = 17/27的产物2-carbomethoxy-7-oxabicyclo [2. 2. 1]nept-5-ene, 收率为80％。温度的降低有利地内型产物的生成，反应时间，催化剂用量对反应产物收率和立体选择性都有影响。（4）2－甲基呋喃和丙烯酸甲酯在YbCl_3催化下比（3）的反应更易进行。0℃时，6mol% YbCl_3反应67小时，收率可达88％，产物N/x达3.0。温度的降低有利于内型产物的生成，而反应时间和催化剂用量不影响产物立体选择性。（5）呋喃和丙烯酸乙酯 在10mol% YbCl_3催化下室温反应48小时，得到N／X＝Y_(1.47)的产物44％。温度的降低有利于内型产物的生成，反应时间相对处长有利于产品收率但不影响产品的立体选择性。此外，我们分离得到丙烯酸乙酯和YbCl_3的络合物，证明反应首先是通过YbCl_3和羟基氧的络合，然后再和双烯加成。（6）不同LnCl_3对丁二烯和顺丁烯二酸酐的反应具有不同催化活性，其活性按稀土元素原子序数递增而增加，即：LaCb < PrCl_3 , SmCl_3 < EuCl_3 < GdCl_3 < YbCl_3.

Ln-Ba-Cu-Ag-O多元复合物制备、结构及电学性质的研究

本文合成了LnBa_2Cu_(3(1-x))Ag_xO_(7-δ) (x = 0.1,0.3,0.5, Cu = Y,Dy,Ho,Er,Gd) YBa_(2(1-x))Cu_3Ag_xO_(7-δ) (x = 0.05,0.1,0.2,0.3,0.4,0.5,0.6); Y_(1-x)Ag_xBa_2Cu_3O_(7-δ) (x = 0.05,0.1,0.2,0.3,0.5); YBa_2Cu_3O_(7-δ)Ag_x (x = 0.2～2.0), CuBaCu_3O_(7-δ)Ag_x (x = 0.5,1.0, Cu = Dy,Ho,Er)及与之对照的空白样品等一系列超导稀土复合氧化物，对它们的结构、电学性质、Ag的存在状态及Ag的加入方式进行了研究。对这方面的研究目前仍无全面系统的报道。对CuBa_2Cu_(3(1-x))Ag_xO_(7-δ)的研究表明Ag并未取代Cu的格位，少量的Ag加入（x<0.1）就使结构发生破坏，当x>0.1时样品即失去超导性，对光加Ag的YBa_(2(1-x))Cu_3Ag_(2x)Cu_3O_(7-δ)的研究表明，当x<0.6时仍为90k左右的超导体，Ag没有取代Ba的格位，Ag的加入使杂相比例加大，Ag的加入改善了样品晶粒间的弱连接状况，使电流密度明显提高，Ag以单质及复合物形式存在于样品之中。后加Ag方式对结构、电性、无影响没有提高Jc。对光加Ag的Y_(1-x)Ag_xBa_2Cu_3O_(7-δ)的研究表明，x<0.5时样品仍为90k左右超导体，Ag的加入使杂相比例减少，Ag部分以单质及与13a、Cu形成对改善弱连接状有益的复合场的形式存在，部分进入晶格可能占据了Y的格位使C轴变长。Ag的加入改善了样品晶粒间的弱连接状况，从而使Jc大幅度提高，当x=0.1时Jc = 362 A/cm~2，后加Ag的方式对结构、电性、无影响没有提高Jc。对YBa_2Cu_3O_(7-δ)Ag_x的研究表明，加Ag的样品的Jc比不加Ag样品的Jc明显加大，随着Ag量的加大Jc增加，当x=1时Jc最大，当Ag量大于2.0mol时将有大量Ag析出，Ag的加入不影响超导正交结构，部分Ag进入了晶格可能占据了Y的格位，C轴增长，部分以单质及复合物的形式存在，Ag的加入不影响样品的临界温度，使样品电阻降低，电镜分析表明，Ag的加入改善了样品晶粒间的连接状况。CuBaCu_3O_(7-δ)Ag_x与上面体子有相同的性质，在加入1mol Ag得到，Jc：DyBaCu_3O_(7-δ)Ag_(1.0) 113A/cm~2；HoBaCu_3O_(7-δ)Ag_(1.0) 164 A/cm~2 ErBaCu_3O_(7-δ)Ag_(1.0) 177A/cm~2的样品。样品加Ag后密度明显加大，最大可达6.321克/cm~3，硬度也加大具有良好的机械性能。针对在YBaCu_3O_(7-δ)样品中添加Ag，可以做为一种大幅度提高Jc的途径的特点，进行了各种工艺探索，到目前为止，合成出了临界电流密度为570 A/cm~2的样品。

p-GaN层厚度对GaN基p-i-n结构紫外探测器性能的影响

研究了p-GaN层厚度对GaN基pin结构紫外探测器性能的影响.模拟计算表明:较厚的p-GaN层会减小器件的量子效率,然而同时也会减小器件的暗电流,较薄的p-GaN层会增加器件的量子效率,但是同时也增加了器件的暗电流.进一步的分析表明,金属和p-GaN之间的结电场是出现这种现象的根本原因.在实际的器件设计中,应该根据实际需要选择p型层的厚度.

基于DFB激光器的光学微波信号的产生

采用量子阱混杂的材料集成技术制备并联分布反馈激光器和Y形波导耦合器集成的新型光电器件.两个并联分布反馈激光器的激射模式在频率上稍有差别,这两束不同频率的激光在Y形波导耦合器拍频产生光学微波信号.分别独立调节注入到两个激光器的电流大小,可以得到从13GHz到42GHz连续可调的光学微波信号.

一种减小GaN基肖特基结构紫外探测器暗电流的方法

提出了一种减小GaN肖特基结构紫外探测器暗电流的方法.该方法是在普通的GaN肖特基结构的表面增加一层薄的p-GaN.模拟计算结果表明,该层p-GaN能增加肖特基势垒高度,从而减小了器件的暗电流,提高了器件性能.进一步的计算还发现,对于P型载流子浓度较高的情况下,只需要很薄的一层p-GaN就能显著增加肖特基势垒高度,对于P型载流子浓度较低的情况下,则需要较厚的一层p-GaN才能有较好的肖特基势垒高度增加效果.

解理面预处理方法对二次外延的影响

利用超晶格解理面方法制备定位生长的InAs量子线．首先以分子束外延技术在GaAs衬底上生长GaAs／AlGaAs超晶格，然后将样品取出外延系统进行解理，对解理面进行预处理之后在（110）解理面上进行二次外延．实验结果显示超晶格解理面的预处理方法对二次外延有重大影响，其中择优腐蚀比自然氧化更有利于量子线的定位生长，过高温度的脱氧除气会导致解理面的GaAs部分出现坑状结构，表明（110）面上的Ga原子容易脱附．同时，Ga原子在（110）面上的迁移长度比较大，原子的择优扩散方向为[001-bar]方向．