p-GaN层厚度对GaN基p-i-n结构紫外探测器性能的影响
| Data(s) |
2008
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| Resumo |
研究了p-GaN层厚度对GaN基pin结构紫外探测器性能的影响.模拟计算表明:较厚的p-GaN层会减小器件的量子效率,然而同时也会减小器件的暗电流,较薄的p-GaN层会增加器件的量子效率,但是同时也增加了器件的暗电流.进一步的分析表明,金属和p-GaN之间的结电场是出现这种现象的根本原因.在实际的器件设计中,应该根据实际需要选择p型层的厚度. 研究了p-GaN层厚度对GaN基pin结构紫外探测器性能的影响.模拟计算表明:较厚的p-GaN层会减小器件的量子效率,然而同时也会减小器件的暗电流,较薄的p-GaN层会增加器件的量子效率,但是同时也增加了器件的暗电流.进一步的分析表明,金属和p-GaN之间的结电场是出现这种现象的根本原因.在实际的器件设计中,应该根据实际需要选择p型层的厚度. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:00:45导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:00:45Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3865.pdf: 375551 bytes, checksum: 49b220966d27e9a8c35738b57757fcc1 (MD5) Previous issue date: 2008 国家自然科学基金(批准号:6 776 47),中国农业大学青年教师科研启动基金(基金批准号:2 6 7)资助的课题 中国农业大学理学院应用物理系;中国科学院半导体研究所 国家自然科学基金(批准号:6 776 47),中国农业大学青年教师科研启动基金(基金批准号:2 6 7)资助的课题 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
周梅;赵德刚.p-GaN层厚度对GaN基p-i-n结构紫外探测器性能的影响,物理学报,2008,57(7):4570-4574 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
