解理面预处理方法对二次外延的影响
| Data(s) |
2008
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|---|---|
| Resumo |
利用超晶格解理面方法制备定位生长的InAs量子线．首先以分子束外延技术在GaAs衬底上生长GaAs／AlGaAs超晶格，然后将样品取出外延系统进行解理，对解理面进行预处理之后在（110）解理面上进行二次外延．实验结果显示超晶格解理面的预处理方法对二次外延有重大影响，其中择优腐蚀比自然氧化更有利于量子线的定位生长，过高温度的脱氧除气会导致解理面的GaAs部分出现坑状结构，表明（110）面上的Ga原子容易脱附．同时，Ga原子在（110）面上的迁移长度比较大，原子的择优扩散方向为[001-bar]方向． 国家自然科学基金（（批准号：6 39 71,6 276 14,9 1 1 4）,国家重点基础研究专项基金（批准号：G2 683 3）,国家高技术研究发展计划（批准号：2 2AA311 7 ）资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
张春玲;唐蕾;徐波;陈涌海;王占国.解理面预处理方法对二次外延的影响,半导体学报,2008,29(3):544-548 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
