一种减小GaN基肖特基结构紫外探测器暗电流的方法
| Data(s) |
2008
|
|---|---|
| Resumo |
提出了一种减小GaN肖特基结构紫外探测器暗电流的方法.该方法是在普通的GaN肖特基结构的表面增加一层薄的p-GaN.模拟计算结果表明,该层p-GaN能增加肖特基势垒高度,从而减小了器件的暗电流,提高了器件性能.进一步的计算还发现,对于P型载流子浓度较高的情况下,只需要很薄的一层p-GaN就能显著增加肖特基势垒高度,对于P型载流子浓度较低的情况下,则需要较厚的一层p-GaN才能有较好的肖特基势垒高度增加效果. 提出了一种减小GaN肖特基结构紫外探测器暗电流的方法.该方法是在普通的GaN肖特基结构的表面增加一层薄的p-GaN.模拟计算结果表明,该层p-GaN能增加肖特基势垒高度,从而减小了器件的暗电流,提高了器件性能.进一步的计算还发现,对于P型载流子浓度较高的情况下,只需要很薄的一层p-GaN就能显著增加肖特基势垒高度,对于P型载流子浓度较低的情况下,则需要较厚的一层p-GaN才能有较好的肖特基势垒高度增加效果. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:01:04导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:01:04Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3925.pdf: 454484 bytes, checksum: a8e371a21b191c8d4787c269243b3974 (MD5) Previous issue date: 2008 中国农业大学青年教师科研启动基金(批准号:2 6 7)资助的课题 中国农业大学应用物理系;中国科学院半导体研究所 中国农业大学青年教师科研启动基金(批准号:2 6 7)资助的课题 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
周梅;常清英;赵德刚.一种减小GaN基肖特基结构紫外探测器暗电流的方法,物理学报,2008,57(4):2548-2553 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
