A silicon-on-insulator-based thermo-optic waveguide switch with low insertion loss and fast response

A silicon-on-insulator-based thermo-optic waveguide switch integrated with spot size converters is designed and fabricated by inductively coupled plasma reactive ion etching. The device shows good characteristics, including low, insertion loss of 8 +/- 1 dB for wavelength 1530-1580 nm and fast response times of 4.6 As for rising edge and 1.9 mu s for failing edge. The extinction ratios of the two channels are 19.1 and 18 dB, respectively.

软件缺陷预测技术

软件缺陷预测技术从20世纪70年代发展至今,一直是软件工程领域最活跃的内容之一,在分析软件质量、平衡软件成本方面起着重要的作用.研究和讨论了软件缺陷预测技术的起源、发展和当前所面临的挑战,对主流的缺陷预测技术进行了分类讨论和比较,并对典型的软件缺陷的分布模型给出了案例研究.

Cu导线表面起伏程度对早期失效的影响

使用两种化学机械抛光剂得到的单层大马士革Cu导线表面起伏程度不同．扫描电镜观察到明显的缺陷出现在大起伏的Cu导线表面．这种表面缺陷导致早期失效比率剧增至几乎100％、电迁移寿命猛降至早期失效的量级、失效时间分布从多模变为单模，其相应的失效机制激活能为0．744-0．02eV，这说明失效主要是由Cu原子沿导线表面扩散引起的．最弱链接近似被用来分析单根Cu导线

硅片发生室温键合所需的平整度条件

根据薄板弹性力学，推导了室温键合过程中硅片接触表面缝隙封闭的临界条件。硅片的表面起伏幅度、起伏的空间波长、表面张力、材料弹性和硅片厚度都是影响接触表面缝隙封闭的重要因素。越薄的硅片越容易室温键合。