Cu导线表面起伏程度对早期失效的影响


Autoria(s): 汪辉; 朱建军; 王国宏; C Bruynseraede; K Maex
Data(s)

2005

Resumo

使用两种化学机械抛光剂得到的单层大马士革Cu导线表面起伏程度不同.扫描电镜观察到明显的缺陷出现在大起伏的Cu导线表面.这种表面缺陷导致早期失效比率剧增至几乎100%、电迁移寿命猛降至早期失效的量级、失效时间分布从多模变为单模,其相应的失效机制激活能为0.744-0.02eV,这说明失效主要是由Cu原子沿导线表面扩散引起的.最弱链接近似被用来分析单根Cu导线

上海市科委科研计划项目

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16953

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/103114

Idioma(s)

中文

Fonte

汪辉;朱建军;王国宏;C Bruynseraede;K Maex.Cu导线表面起伏程度对早期失效的影响,电子学报,2005,33(8):1516-1518

Palavras-Chave #光电子学
Tipo

期刊论文