一种任务优先级的综合设计方法

提出了一种基于优先级表设计的调度算法.将任务的相对截止期和空闲时间这两个特征参数结合起来,综合设计任务的优先级表,使得截止期越早或空闲时间越短,任务的优先级越高,而且任务的优先级由相对截止期和空闲时间惟一确定.对于任意一个任务,可通过对设计的优先级表进行二元多点插值获得相应任务的惟一优先级.与传统的EDF和LSF算法进行仿真比较,仿真结果表明,通过优先级表设计方法来确定任务的优先级,提高了任务调度的成功率,降低了任务截止期的错失率.该方法可应用于实时系统中实时任务的动态调度中.

黄土高原沟壑区不同年限苹果园土壤碳、氮、磷变化特征

管理措施是影响土壤质量演变的重要因素。分析和讨论了5、101、5年苹果园耕层(0—20 cm)和0—200 cm土壤有机碳、全氮、全磷、有效磷和硝态氮含量及其影响因素。结果表明,5年、10年和15年的塬面苹果园表层土壤有机碳依次为7.5、6.7和6.7 g/kg;全氮依次为0.940、.85和0.83 g/kg;但土壤全磷和速效磷含量随着种植年限而增加,与5年苹果园相比,塬面10年苹果园土壤全磷、速效磷含量分别提高了11%、60%,并且磷素的变异性随年限而增加。坡地10年、15年和20年苹果园土壤有机碳依次为6.36、.2和6.5 g/kg,全氮依次为0.76、0.76和0.81 g/kg;与10年苹果园相比,15年苹果园土壤全磷、速效磷含量分别提高了20%、28%。土壤剖面0—80 cm内不同土地利用方式土壤碳、氮、磷含量随土层加深而降低,80 cm以下不同利用条件苹果园土壤碳、磷含量差异不大,氮素含量在100 cm土层下随苹果园种植年限增加而增加。

中国汉族人群若干疾病相关基因的定位研究

1. 中国一个轴前多指 II/III 型家系候选基因的定位 轴前多指（PPD）是人类众多肢体异常症状中比较常见的一种。前人的研 究把它定位到染色体7q36 上450Kb 的区段内。在这个候选区段内，不同的遗传 背景的几个多指家系的致病突变已被发现，它们位于SHH 基因的顺式调控元件 （ZRS）上，这个调控元件调控SHH 正常的时空表达，对指/趾的正常发育起着 重要的作用。在本研究之中，我们分析了我国一个大的多指家系，这个家系的多 指疾病的遗传方式是常染色体显性遗传并有接近100%的疾病外显率。通过连锁 分析和单倍型构建，我们把这个家系的致病基因定位到染色体7q36 上微卫星标 记D7S2465 和 D7S2423 之间1.7cM 的区域内，这个区域包含了上述的450Kb。 为了确定这个家系的致病突变，我们采用了直接测序的方法，筛查了我们定位的 这个区段内的5 个基因（HLXB9, C7orf2, NOM1, RNF32 和C7orf4）的编码区， SHH 基因的ZRS，C7orf2 基因的第5 内含子，和18 个在多物种中保守的非编码 区段（CNS）。我们的结果表明，在这个中国多指家系中，不是上述的5 个基因 和18 个多物种中保守非编码区段（CNS）的突变导致了多指的表型，也不是其 他研究小组报道的SHH 基因的ZRS 突变导致了多指表型。是否在我们界定的这 1.7cM 的候选区段内还存在着SHH 基因的其他调控元件，它的突变也一样会引 起SHH 基因异常的时空表达，最终导致多指表型的产生还需要进一步的研究来 证实。 2. 中国一个单纯性小眼球家系致病基因的定位 先天性小眼球是一种在临床上具有异质性的眼球发育异常疾病，表型从单 侧眼球体积变小到两侧眼球组织的完全缺失。单纯性小眼球疾病指的是除了眼球 的异常不伴随身体其他组织的异常，其遗传学上的致病机理到目前为止还未完全 清楚。之前的研究表明，不同遗传背景的小眼球家系的致病基因被定位到完全不 同的染色体区段上。本研究中的这个中国单纯性小眼球家系，具有常染色体显性的遗传方式，而且是第一个在分子水平上被研究的中国小眼球家系。为了研究这 个家系的致病基因，我们使用了382 个微卫星标记对这个家系进行了全基因组的 扫描，结果表明这个中国小眼球家系的致病基因定位于2 号染色体长臂上，这个 结果不同于以往报道的任何其他小眼球家系。两点连锁分析在重组率为0 时在微 卫星标记D2S2265 上得到最大值3.290，单倍型分析表明所有的受累个体在染色 体2q11-14 上微卫星标记D2S1890 和 D2S347 之间共享相同的单倍型，所以将 这个家系的致病基因定位到染色体2q11-14 上15 cM 的区段内。我们的结果进一 步提示了小眼球疾病的遗传异质性，并且定位了一个新的关于眼球发育的相关基 因。 3. 19 号染色体C 型凝集素家族与中国南方汉族人群的SARS 易感性研究 2003 年SARS 在全球爆发时，不同的个体在感染后表现出不同的病程和 最终的治疗结果，这被认为是个体本身的遗传因素在这个过程中起了一定的作 用，即不同个体在一些基因上的多态影响了他们对一些疾病的易感性。CD209L 基因是19 号染色体上C 型凝集素家族中的一员，它被证明是SARS 病毒的受体， 并且它的第4 外显子的VNTR 多态被认为和宿主对病毒的易感性有关。但是这 个结论在其后其他两个研究小组的工作未被得到证实。可能的原因有：(1) CD209L 基因本身的多态和宿主对SARS 病毒的易感性无关，而是和它紧密连锁 的其它基因的多态发挥真正的作用；(2)可能是由于以前未检测到的群体分层现 象的存在，使最初的研究得到了一个假阳性的结果。为了探讨这个问题，我们对 19 号染色体上C 型凝集素家族的4 个成员(FCER2, CLEC4G, CD209 和 CD209L) 作了全面的研究，我们采用了检测tagSNPs 的方法，在C 型凝集素家族基因簇上 选取了23 个tagSNPs 位点来代表这个基因簇的多态。我们检测了来自中国香港 的181 个SARS 病人和172 个匹配的正常对照，结果表明C 型凝集素家族的4 个基因跟中国南方汉族群体对SARS 病毒的易感之间没有相关性。同时我们检测 了来自中国不同地区的1145 个汉族样本CD209L 基因VNTR 的多态分布情况， 结果表明这个位点在中国人群中存在群体分层现象，这也解释了之前的研究小组 得到的假阳性结果可能正是由于他们忽略了这个问题而导致的

南海东沙西南海域冷泉碳酸盐岩特征及其意义

海底冷泉流体或自生碳酸盐沉积可为碳氢化合物（主要指常规油气或天然气水

Dislocation movement in nitrogen-doped Czochralski silicon

Dislocation movement in N-doped Czochralski silicon (Cz-Si) was surveyed by four point bend method. Dislocation movement velocities in Cz-Si doped with nitrogen, with both nitrogen and antimony, and with only antimony were investigated. The order of measured dislocation movement velocities, at 700 degrees C less than or equal to T less than or equal to 800 degrees C and under resolved stress sigma=4.1 kg/mm(2), was V-Sb.O > V-n.Sb.O>V-N.O. The experiments showed that nigtrogen doping could retard the movement of dislocations.

超品格覆盖层对拓展InAs量子点发光波长的影响

提出了一种调节InAs量子点长波长发光的方法．采用分子束外延生长GaAs／InAs短周期超晶格作覆盖层，可以拓展量子点发光波长至1．3μm～1．5μm．研究了不同超晶格周期作覆盖层对InAs量子点的晶体结构和光学特性的影响

水平冷壁CVD生长4H-SiC同质外延膜

采用自行设计的水平冷壁低压化学气相沉积(LPCVD)方法在偏向〈1120〉晶向8°的n型4H-SiC(0001)衬底上进行了同质外延生长.在5.3×103Pa的低压下,外延膜生长速率超过3μm/h.电容-电压法测试表明在非有意掺杂外延膜中净施主浓度为8.4×10 15cm-3.Nomarski显微镜观察表明厚外延膜的表面光滑,生长缺陷密度很低.AFM测试显示表面均方根粗糙度为0.3nm,没有观察到宏观台阶结构.Raman谱线清晰锐利,表现出典型的4H-SiC特征.在低温PL谱中,近带边区域出现很强的自由激子峰,表明样品是高质量的.

掺铒光纤放大器泵浦源用980nm量子阱激光器

利用分子束外延(MBE)方法研制出了高质量的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器外延材料,其最低的阈值电流密度可达到140/cm~2,激发波长在980nm左右.通过脊型波导结构的制备,获得了高性能的适合于掺铒光纤放大器用的980nm量子阱激光器泵浦源,其典型的阈值电流和外微分量子效率分别为15mA和0.8mW/mA,基横模的输出功率大于80mW,器件在50℃,80mW的恒功率老化实验表明,器件具有较好的可靠性.通过与掺铒光纤的耦合,其组合件出纤功率可达60mW以上.

The influence of nitrogen clustering effect on optical transitions in GaInNAs/GaAs quantum wells

Photoluminescence (PL) spectra of GaInNAs/GaAs multiple quantum wells and GaInNAs epilayers grown on GaAs substrate show an apparent "S-shape" temperature-dependence of the of dominant luminescence peak. At low temperature and weak excitation conditions, a PL peak related to nitrogen cluster-induced bound states can be well resolved in the PL spectra. It displays a remarkable red shift of up to 60 meV and is thermally quenched below 100 K with increasing temperature, being attributed to N-cluster induced bound states. The indium incorporation exhibits significant effect on the cluster formation. The rapid thermal annealing treatment at 750 C can essentially remove the bound states-induced peak.

Controllable growth of semiconductor nanometer structures

Self-assembled quantum dots and wires were obtained in the InxGa1-xAs/GaAs and InAs/In0.52Al0.48As/InP systems, respectively, using molecular beam epitaxy (MBE). Uniformity in the distribution, density, and spatial ordering of the nanostructures can be controlled to some extent by adjusting and optimizing the MBE growth parameters. In addition, some interesting observation on the InAs wire alignment on InP(001) is discussed. (C) 2003 Elsevier Science Ltd. All rights reserved.