水平冷壁CVD生长4H-SiC同质外延膜
| Data(s) |
2005
|
|---|---|
| Resumo |
采用自行设计的水平冷壁低压化学气相沉积(LPCVD)方法在偏向〈1120〉晶向8°的n型4H-SiC(0001)衬底上进行了同质外延生长.在5.3×103Pa的低压下,外延膜生长速率超过3μm/h.电容-电压法测试表明在非有意掺杂外延膜中净施主浓度为8.4×10 15cm-3.Nomarski显微镜观察表明厚外延膜的表面光滑,生长缺陷密度很低.AFM测试显示表面均方根粗糙度为0.3nm,没有观察到宏观台阶结构.Raman谱线清晰锐利,表现出典型的4H-SiC特征.在低温PL谱中,近带边区域出现很强的自由激子峰,表明样品是高质量的. 采用自行设计的水平冷壁低压化学气相沉积(LPCVD)方法在偏向〈1120〉晶向8°的n型4H-SiC(0001)衬底上进行了同质外延生长.在5.3×103Pa的低压下,外延膜生长速率超过3μm/h.电容-电压法测试表明在非有意掺杂外延膜中净施主浓度为8.4×10 15cm-3.Nomarski显微镜观察表明厚外延膜的表面光滑,生长缺陷密度很低.AFM测试显示表面均方根粗糙度为0.3nm,没有观察到宏观台阶结构.Raman谱线清晰锐利,表现出典型的4H-SiC特征.在低温PL谱中,近带边区域出现很强的自由激子峰,表明样品是高质量的. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:04:36导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:04:36Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4490.pdf: 505523 bytes, checksum: 3ad4c7f77006acba55e8fd449d20068e (MD5) Previous issue date: 2005 中国科学院半导体研究所材料中心;兰州大学物理学院 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
高欣;孙国胜;李晋闽;赵万顺;王雷;张永兴;曾一平.水平冷壁CVD生长4H-SiC同质外延膜,半导体学报,2005,26(5):936-940 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
