Avaliação das alterações morfológicas, anatômicas e fitoquímicas em folhas de Mentha x Villosa (LAMIACEAE) cultivada em solo contaminado com petróleo e potencial de uso na fitorremediação.

A exploração, processamento, transporte, armazenamento e utilização do petróleo e seus derivados têm resultado em acidentes e vazamentos de proporções variadas e existe uma demanda crescente por soluções técnica, ambiental e economicamente viáveis. É nesse contexto que a fitorremediação ganha evidência e se mostra adequada por aliar um custo-benefício atraente. A fitorremediação utiliza espécies vegetais para extrair, conter, imobilizar ou degradar contaminantes do solo e da água. Além disso, a possibilidade de crescer espécies de valor comercial em solos contaminados que, de outra forma, não teriam qualquer uso, torna-se uma alternativa atraente. O presente trabalho tem por objetivo avaliar a capacidade de fitorremediação de Mentha x Villosa e as alterações fisiológicas e morfológicas em decorrência da contaminação dos solos por petróleo em quatro concentrações (0%, 2%, 4% e 6% p/p) com seis repetições. As variáveis analisadas foram: taxa de sobrevivência, biomassa total seca e fresca, dimensão foliar, densidade de estômatos e densidade de tricomas. Foram feitas análises de hidrcarbonetos totais de petróleo - HTPs presntes no solo no início do experimento e após 90 dias de cultivo. As plantas crescidas em solo contaminado tiveram uma taxa de sobrevivência de 100%. Houve uma tendência ao xeromorfismo nas plantas mantidas em solo contaminado. De acordo com a análise one-way ANOVA (Tukey, I.C. 95%), houve redução significativa da biomassa fresca em plantas crescidas na presença de petróleo em qualquer concentração quando compradas ao controle e, também, redução significativa entre as concentrações 2% versus 4% e 2% versus 6%. Entretanto plantas crescidas em 4% e em 6% não diferiam entre si. Como não houve diferença significativa da biomassa seca para nenhum par, conclui-se que as diferenças observadas em biomassa fresca decorrem da menor absorção e/ou retenção de água por plantas crescidas na presença de petróleo. A presença do petróleo em qualquer concentração resultou em aumento significativo da densidade dos estômatos quando comparada ao controle (0%), particularmente aos 90 dias. Entretanto, não houve diferença significativa entre as plantas crescidas em petróleo nas diferentes concentrações. Aos 30 dias observou-se aumento significativo da densidade dos tricomas apenas em plantas na concentração 6%, comparadas ao controle (0%) e às demais concentrações (2% e 4%). Aos 60 dias, um aumento significativo da densidade de tricomas foi observado em plantas crescidas em todas as concentrações de petróleo (2%, 4% e 6%), quando comparadas ao controle e aos 90 dias, tais diferenças foram mantidas. Mentha x Villosa mostrou ser uma planta com potencial para crescer em solo contaminado com petróleo, sendo que aos 90 dias foi observada uma remoção de 99,90% de HTPs no solo contaminado a 2% (p/p) e de 99,98% de remoção de HTPs no solo contaminado a 4% (p/p).

热致NiOx薄膜的结构和光学性质变化

利用直流磁控反应溅射技术制备了氧气和氩气的分压比为5:100的NiOx薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和光谱仪研究了热处理对薄膜的微观结构和光学性质的影响, 并对沉积态薄膜的粉末进行了热分析。沉积态的NiOx薄膜在262 ℃时开始分解, 导致NiOx薄膜的透过率增加和反射率降低。X射线衍射和示差扫描量热曲线(DSC)分析表明, 在热处理过程中并无物相的变化, 光学性质的变化是由于NiOx薄膜热分解引起薄膜表面形貌发生变化而引起的。通过Kissinger公式计算出

Growth and properties of ZnO thin film on beta-Ga2O3(100) substrate by pulsed laser deposition

Zinc oxide (ZnO) thin films were grown on the beta-Ga2O3 (100) substrate by pulsed laser deposition (PLD). X-ray diffraction (XRD) indicated that the ZnO films are c-axis oriented. The optical and electrical properties of the films were investigated. The room temperature Photoluminescence (PL) spectrum showed a near band emission at 3.28 eV with two deep level emissions. Optical absorption indicated a visible exciton absorption at room temperature. The as-grown films had good electrical properties with the resistivities as low as 0.02 Omega cm at room temperature. Thus, beta-Ga2O3 (100) substrate is shown to be a suitable substrate for fabricating ZnO film. (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.

用PLD法在MgO（100）衬底十生长ZnO薄膜的结构和光学特性

用脉冲激光沉积法在MgO（100）衬底上沉积了ZnO薄膜．衬底温度分别为400℃、550℃和700℃．利用X射线衍射（XRD）和光致发光谱（PL）对薄膜的结构和光学性能进行研究．x射线衍射的结果表明，在400℃和550℃下生长的ZnO薄膜具有高度c一轴择优取向．仉足当衬底温度升高到700℃时，薄膜由单一的择优取向变为有两个较强的择优取向．通过光致发光谱可以发现，在550℃下生长的ZnO薄膜具有强的紫外发射和窄的FWHM，并且紫外发光峰的强度与ZnO薄膜的结晶质量密切相关．

Nonpolar m-plane thin film GaN and InGaN/GaN light-emitting diodes on LiAlO2(100) substrates

The nonpolar m-plane (1 (1) over bar 00) thin film GaN and InGaN/GaN light-emitting diodes (LEDs) grown by metal-organic chemical vapor deposition on LiAlO2 (100) substrates are reported. The LEDs emit green light with output power of 80 mu W under a direct current of 20 mA for a 400x400 mu m(2) device. The current versus voltage (I-V) characteristic of the diode shows soft rectifying properties caused by defects and impurities in the p-n junction. The electroluminescence peak wavelength dependence on injection current, for currents in excess of 20 mA, saturates at 515-516 nm. This proves the absence of polarization fields in the active region present in c-plane structures. The light output intensity versus current (L-I) characteristic of the diode exhibits a superlinear relation at low injection current caused by nonradiative centers providing a shunt path and a linear light emission zone at high current level when these centers are saturated. (c) 2007 American Institute of Physics.

Demonstration of GaN/InGaN light emitting diodes on (100) beta-Ga2O3 substrates by metalorganic chemical vapour deposition

The growth and fabrication of GaN/InGaN multiple quantum well (MQW) light emitting diodes ( LEDs) on ( 100) beta-Ga2O3 single crystal substrates by metal-organic chemical vapour deposition (MOCVD) technique are reported. x-ray diffraction (XRD) theta-2 theta. scan spectroscopy is carried out on the GaN buffer layer grown on a ( 100) beta-Ga2O3 substrate. The spectrum presents several sharp peaks corresponding to the ( 100) beta-Ga2O3 and ( 004) GaN. High-quality ( 0002) GaN material is obtained. The emission characteristics of the GaN/InGaN MQW LED are measurement. The first green LED on beta-Ga2O3 with vertical current injection is demonstrated.

Anisotropic crystallographic properties, strain, and their effects on band structure of m -plane GaN on LiAlO2 (100)

The m-plane GaN films grown on LiAlO2(100) by metal-organic chemical vapor deposition exhibit anisotropic crystallographic properties. The Williamson-Hall plots point out they are due to the different tilts and lateral correlation lengths of mosaic blocks parallel and perpendicular to GaN[0001] in the growth plane. The symmetric and asymmetric reciprocal space maps reveal the strain of m-plane GaN to be biaxial in-plane compress epsilon(xx)=-0.79% and epsilon(zz)=-0.14% with an out-of-plane dilatation epsilon(yy)=0.38%. This anisotropic strain further separates the energy levels of top valence band at Gamma point. The energy splitting as 37 meV as well as in-plane polarization anisotropy for transitions are found by the polarized photoluminescence spectra at room temperature. (c) 2008 American Institute of Physics.

Characterization of m-plane ZnO thin film on gamma-LiAlO2 (100) substrate by metal-organic chemical vapor deposition

Non-polar (1 (1) over bar 00)m-plane ZnO thin film has been prepared on gamma-LiAlO2 (100)substrate via the low pressure metal organic chemical vapor deposition. Obvious intensity variation of the E-2 mode in the polarized Raman spectra and the absorption edge shift in the polarized optical transmission spectra indicate that the m-plane film exhibits optical anisotropy, which have applications in certain optical devices, such as the UV modulator and polarization-dependent beam switch. From the atomic force microscopy images, highly-oriented uniform-sized grains of rectangular shape were observed. (c) 2008 Elsevier B.V. All rights reserved.

Análise multielementar em folhas de Nerium oleander L. usando fluorescência de raios X por dispersão em energia

Desde o início do século XX, a poluição do ar nos grandes centros piorou em consequência processo de industrialização e urbanização, juntamente com o rápido crescimento populacional e do transporte motorizado. Algumas espécies de plantas absorvem os poluentes atmosféricos pelas suas folhas e então, fixa-os em sua matriz, tornando-se assim um biomonitor de poluição nessa área. Assim, a análise foliar dessas espécies de vegetal pode ser usado como monitoramento ambiental. Uma das plantas que tem a habilidade de reter certos elementos químicos do ambiente e pode ser usada como biomonitor é a Nerium oleander L.. Neste estudo utilizou-se folhas de Nerium oleander L. para avaliar os níveis de poluição ambiental em uma sub-região da Região Metropolitana do Rio de Janeiro através da Fluorescência de Raios X (EDXRF). O sistema de EDXRF foi desenvolvido no próprio laboratório e consiste de um sistema portátil de XRF formado por um mini tubo raio X de baixa potência (anodo de Ag e operação em 20 kV/50 μA) e um detector de SiPIN. As amostras de Nerium oleander L. foram coletadas de plantas adultas. As amostras foram coletadas durante as quatros estações do ano (verão, outono, inverno e primavera). Todas as folhas foram coletadas a uma distância superior de 1,5 m em relação ao solo. As amostras foram acondicionadas em sacos plásticos e depois da chegada ao laboratório foram colocados sob refrigeração a 5 C. No laboratório, as amostras foram limpas com um pincel com cerdas macias para retirar a poeira. Depois disso, as amostras foram colocadas na estufa a 60 C por 48 h. Em seguida, as amostras foram pulverizadas (44 μm). Depois desse processo, alíquotas de 500 mg de massa foram prensadas a uma pressão de 2.32×108 por cerca de 15 minutos, afim de se obter pastilhas finas com diâmetro de 2,54 cm e densidade superficial de 100 mg/cm2. Foi possível detectar a concentração de 13 elementos: S, Cl, K, Ca, Mn, Fe, Cu, Zn, Br, Rb, Sr, Ba e Pb. A partir da concentração de cada elemento foram obtidos os mapas de distribuição elementar da área de estudo para cada estação. A análise da correlação de Pearson mostrou que existe uma correlação significativa entre os elementos Fe, Zn, Ba e Pb, entre os elementos Ca e Sr e entre os elementos Cl, K, Rb. A análise do PCA (Análise por Componentes Principais) mostrou que existem dois fatores principais da emissão de poluição ambiental: emissão por ressuspensão do solo (Cl, K, Ca, Mn, Rb e Sr) e emissões veiculares e industriais (Fe, Zn, Ba e Pb). O estudo da poluição ambiental através da técnica de EDXRF utilizando folhas de Nerium oleander L. como biomonitor se mostrou uma técnica de baixo custo e eficiência substancial na determinação da concentração elementar dos poluentes atmosféricos.

Investigação de alterações em genes de microRNAs expressos no cérebro como causa de deficiência intelectual ligada ao cromossomo X

A Deficiência Intelectual (DI) é uma condição definida como um funcionamento intelectual significativamente prejudicado, expresso juntamente com limitações em pelo menos duas áreas do comportamento adaptativo que se manifestam antes dos 18 anos de idade. A prevalência estimada da DI na população em geral é de 2-3% e um número expressivo de casos permanece sem um diagnóstico definitivo. Há um consenso geral de que a DI é mais comum em indivíduos do sexo masculino em relação aos do sexo feminino. Entre as explicações para este excesso está a concentração de genes específicos para a habilidade cognitiva no cromossomo X. MicroRNAs (miRNAs) são pequenas moléculas de RNA não codificador que modulam a expressão gênica pós-transcricional de RNAs mensageiros alvo. Recentemente, estudos têm demonstrado a importância essencial dos miRNAs para o desenvolvimento e funcionamento cerebrais e sabe-se que o cromossomo X tem uma alta densidade de genes de miRNAs. Neste contexto, os miRNAs são candidatos potenciais como fatores genéticos envolvidos na Deficiência Intelectual Ligada ao X (DILX). Neste estudo, foram analisadas as regiões genômicas de 17 genes de miRNAs expressos no cérebro localizados no cromossomo X, com o objetivo de investigar o possível envolvimento de variantes na sequência destes miRNAs na DILX. Para este fim, selecionamos amostras de DNA genômico (sangue periférico) de 135 indivíduos do sexo masculino portadores de DI sugestiva de DILX de um grupo de mais de 1.100 pacientes com DI encaminhados ao Serviço de Genética Humana da UERJ. O critério de inclusão para este estudo era de que os probandos apresentassem um ou mais parentes do sexo masculino afetados pela DI que fossem interligados por via materna. As amostras de DNA dos pacientes foram amplificadas utilizando a técnica de reação em cadeia da polimerase, seguida por purificação e sequenciamento direto pelo método de Sanger dos fragmentos amplificados. Para avaliar a conservação dos 17 miRNAs foi realizada uma análise filogenética in silico incluindo sequências dos miRNAs selecionados de humanos e de outras 8 espécies de primatas estreitamente relacionadas. Não foram encontradas alterações nas sequências nos genes de 17 miRNAs analisados, mesmo diante do padrão genético altamente heterogêneo da população brasileira. Adicionalmente, a análise filogenética destes miRNAs revelou uma alta conservação entre as espécies comparadas. Considerando o papel dos miRNAs como reguladores da expressão gênica, a ausência de alterações e a alta conservação entre primatas sugerem uma forte pressão seletiva sobre estas moléculas, reforçando a sua importância funcional para o organismo em geral. Apesar de não termos encontrado variantes de sequência nos miRNAs estudados, o envolvimento de miRNAs na DI não pode ser completamente descartado. Alterações fora da molécula de miRNA precursor, nos fatores de processamento, nos sítios alvo e variações no número de cópias de genes de miRNAs podem implicar em alteração na expressão dos miRNAs e, consequentemente, na funcionalidade do miRNA maduro. Sendo assim, uma análise sistemática da expressão de miRNAs em pacientes com DILX é urgentemente necessária, a fim de desvendar novos genes/mecanismos moleculares relacionados a esta condição.

Measurement of residual stresses in ferroelectric Pb(Zr 0.3Ti0.7)O3 thin films by X-ray diffraction

The residual stresses in Pb(Zr0.3Ti0.7)O3 thin films were measured by the sin2 Ψ method using the normal X-ray incidence. The spacing of different planes (hkl) parallel to the film surface were converted to the spacing of a set of inclined planes (100). The angles between (100) and (hkl) were equivalent to the tilting angles of (100) from the normal of film surface. The residual stresses were extracted from the linear slope of the strain difference between the equivalent inclined direction and normal direction with respect to the sin2 Ψ. The results were in consistency with that derived from the conventional sin2 Ψ method. © 2013 The Japan Society of Applied Physics.

100 Gb/s uncooled DWDM using orthogonal coding for low-cost datacommunication links

We demonstrate a 10 x 10 Gb/s uncooled DWDM system using orthogonal coding on adjacent carriers, assuming the use of a monolithically integrated sources. A power saving of 72% is expected over traditional WDM. © 2014 OSA.

Microstructure and strain analysis of GaN epitaxial films using in-plane grazing incidence x-ray diffraction

This paper investigates the major structural parameters, such as crystal quality and strain state of (001)-oriented GaN thin films grown on sapphire substrates by metalorganic chemical vapour deposition, using an in-plane grazing incidence x-ray diffraction technique. The results are analysed and compared with a complementary out-of-plane x-ray diffraction technique. The twist of the GaN mosaic structure is determined through the direct grazing incidence measurement of (100) reflection which agrees well with the result obtained by extrapolation method. The method for directly determining the in-plane lattice parameters of the GaN layers is also presented. Combined with the biaxial strain model, it derives the lattice parameters corresponding to fully relaxed GaN films. The GaN epilayers show an increasing residual compressive stress with increasing layer thickness when the two dimensional growth stage is established, reaching to a maximum level of -0.89 GPa.

Promoting strain relaxation of Si0.72Ge0.28 film on Si (100) substrate by inserting a low-temperature Ge islands layer in UHVCVD

A flat, fully strain-relaxed Si0.72Ge0.28 thin film was grown on Si (1 0 0) substrate with a combination of thin low-temperature (LT) Ge and LT-Si0.72Ge0.28 buffer layers by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition. The strain relaxation ratio in the Si0.72Ge0.28 film was enhanced up to 99% with the assistance of three-dimensional Ge islands and point defects introduced in the layers, which furthermore facilitated an ultra-low threading dislocation density of 5 x 10(4) cm (2) for the top SiGe film. More interestingly, no cross-hatch pattern was observed on the SiGe surface and the surface root-mean-square roughness was less than 2 nm. The temperature for the growth of LT-Ge layer was optimized to be 300 degrees C. (C) 2008 Elsevier B.V. All rights reserved.