Disseny d'un banc de proves per a poder mesurar les pèrdues de fregament i rodadura [sic] de pneumàtics

Dintre del projecte del cotxe de baix consum “Àliga”, vehicle experimental que participa en la “Eco-Shell Marathon”, una competició internacional que es realitza anualment, el projecte tracta del disseny d’un banc de proves per a poder mesurar les pèrdues de fregament dels pneumàtics provant diferents pressions, càrregues suportades, angles de la direcció, tipus de pneumàtics i diversos components del sistema de direcció

Disseny i implementació d'un sistema per a la simulació de processos d'arranc [sic] de ferritja

L’objecte del projecte és crear una interfície capaç d’obtenir paràmetres dels processos d’escairat i ranurat, tals com l’avanç, la profunditat de passada i el número de passades en funció de la rugositat superficial i tenint en compte tant els diferents factors i restriccions entrats per l’usuari com els que van ser estudiats, al seu moment, pels autors G. Halvei i R.D. Weill. L’aplicació informàtica formarà part d’un programa de dimensions majors que oferirà el càlcul de totes les operacions d’arrencada de ferritja

On the determination of the interface density of states in a-Si:H/a-SiC:H multilayers

This paper deals with the determination of the interface density of states in amorphous silicon-based multilayers. Photothermal deflection spectroscopy is used to characterize two series of aSi:H/aSi1-xCx:H multilayers, and a new approach in the treatment of experimental dada is used in order to obtain accurate results. From this approach, an upper limit of 10^10 cm-2 is determined for the interface density of states.

SiC-Based MIS gas sensor for high water vapor environments

In this work we will prove that SiC-based MIS capacitors can work in environments with extremely high concentrations of water vapor and still be sensitive to hydrogen, CO and hydrocarbons, making these devices suitable for monitoring the exhaust gases of hydrogen or hydrocarbons based fuel cells. Under the harshest conditions (45% of water vapor by volume ratio to nitrogen), Pt/TaOx/SiO2/SiC MIS capacitors are able to detect the presence of 1 ppm of hydrogen, 2 ppm of CO, 100 ppm of ethane or 20 ppm of ethene, concentrations that are far below the legal permissible exposure limits.

Electron tunneling in heavily In-doped polycrystalline CdS films

The electrical properties of heavily In‐doped polycrystalline CdS films have been studied as a function of the doping level. The films were prepared by vacuum coevaporation of CdS and In. Conductivity and Hall measurements were performed over the temperature range 77-400 K. The conductivity decreases weakly with the temperature and shows a tendency towards saturation at low temperatures. A simple relationship σ=σ0(1+βT2) is found in the low‐temperature range. The temperature dependence of the mobility is similar to that of the conductivity since the Hall coefficient is found to be a constant in the whole temperature range. We interpret the experimental results in terms of a modified version of grain‐boundary trapping Seto"s model, taking into account thermionic emission and tunneling of carriers through the potential barriers. The barriers are found to be high and narrow, and tunneling becomes the predominating transport mechanism.

On the Hall effect in polycrystalline semiconductors

Some problems involved in the interpretation of Hall‐effect measurements in polycrystalline semiconductors have not been resolved, especially when the contribution of the boundaries is appreciable. Using the Herring theory of transport properties in inhomogeneous semiconductors, we present an alternative interpretation to that previously proposed. This model permits the calculation of the Hall coefficient under general conditions.

Catalytic gates for gas sensors based on SiC technology

En este trabajo se presenta un estudio químico y estructural de las capas metálicas de Pt y TaSix utilizadas como puerta catalítica en sensores de gas de alta temperatura basados en dispositivos MOS de SiC. Para ello se han depositado capas de diferentes espesores sobre substratos de Si. Los resultados muestran que con la reducción del espesor de Pt y con un recocido se consigue aumentar la rugosidad de las capas de puerta, lo que debería aumentar la sensibilidad y la velocidad de respuesta de los dispositivos que las incorporasen. Otro efecto del recocido es la transformación química del material de la puerta que, para capas delgadas de Pt con TaSix, produce la transformación total Pt en Pt2Ta, lo que podría afectar a las características catalíticas de la puerta. Los primeros resultados eléctricos indican que, a pesar de que las capas de Pt empleadas son gruesas y compactas, los diodos MOS túnel de SiC son sensibles a los gases CO y NO2, aunque presentan una velocidad de respuesta bastante lenta.

Síntesis de capas de SiC en substrato de Si mediante implantación iónica

En este trabajo se investiga la síntesis de estructuras SiC/Si mediante implantación iónica de carbono en Si. Las implantaciones se han realizado a energías entre 25 y 300 keV y las dosis en el rango lO^^ylO^^ cm , manteniendo el substrato a temperatura ambiente o 500°C. Algunas estructuras han sido recocidas a 1150°C. Los resultados indican que implantando a temperatura ambiente se forma una capa de SiC amorfa y de composición gradual, que recristaliza formando precipitados de ß-SiC con orientaciones aleatorias después del recocido. Además se forma un capa superficial rica en carbono, debida a la difusión del carbono hacia la superficie durante la implantación, y que desaparece con el recocido. Implantando a 500°C se forma directamente una capa con una muy alta densidad de precipitados de ß-SiC orientados preferencialmente con la matriz de silicio. Dada la estabilidad térmica y química de dicha capa se han realizado membranas de SiC mediante técnicas fotolitográficas y ataque químico selectivo, cuya rugosidad superficial es inferior a 6 nm. Estas membranas muestran unos gradientes de tensiones residuales, que prácticamente desaparecen después del recocido. Los resultados confirman la potencialidad de la implantación iónica para la formación de estructuras microme-cánicas de SiC sobre Si.