Genome 10K: A Proposal to Obtain Whole-Genome Sequence for 10 000 Vertebrate Species

The human genome project has been recently complemented by whole-genome assessment sequence of 32 mammals and 24 nonmammalian vertebrate species suitable for comparative genomic analyses. Here we anticipate a precipitous drop in costs and increase in sequ

Influence of the Configuration of Obstacles on Premixed Flame Acceleration in a Tube

在一端封闭、一端开口的火焰传播管中均匀布置障碍物,研究了障碍物结构对管道中预混火焰传播的影 响。结果表明,由于障碍物的扰动,火焰不断加速,在阻塞比相同的条件下,最终的火焰稳态速度与障碍物的形状 和间距基本无关,其中障碍物间距仅仅影响火焰的加速速率,在障碍物间距约等于火焰传播管内径( W/ D���1. 0) 时,平均火焰速度达到最大值,火焰到达稳态传播的距离最短。同时,本文用一维简化模型模拟了火焰在障碍物管 道中的加速过程,计算结果与实验测试结果在定性上比较吻合,说明在管内火焰速度较低的情况下,用一维可压缩 流动近似处理能初步揭示管内火焰的加速机制。

障碍物结构对预混火焰压力发展的影响

本文针对不同的可燃气混合物，研究了由于障碍物引起的火焰加速而导致的管内压力上升现象。在实验中，使用了三种不同形状的障碍物，同时改变障碍物的间距W���阻塞比BR。结果表明，障碍物的存在对管内压力的影响是十分巨大的，即使是较小的阻塞面积，也能导致压力大幅度上升。在障碍物阻塞比BR＝0.5、障碍物间距约等于管道内径(W/D���1)阶管内的峰值压力达到最大值。本实验所用的三种障碍物产生的管内峰值压力并不相同，以园环型的障碍物产生的压力最高，这说明，存在某一种最优化的障碍物，在相同的阻塞比条件下，该障碍物能最大地提高管内的峰值压力。

障碍物结构对管道中预混火焰加速的影响

在一端封闭、一端开口的火焰传播管中均匀布置障碍物，研究了障碍物结构对管道中预混火焰传播的影响。结果表明，由于障碍物的扰动，火焰不断加速，在阻塞比相同的条件下，最终的火焰稳态速度与障碍物的形状和间距基本无关，其中障碍物间距仅仅影响火焰的加速速率，在障碍物间距约等于火焰传播管内径（W/D ≈ 1.0）时，平均火焰速度达到最大值，火焰到达稳态传播的距离最短。同时，本文用一维简化模型模拟了火焰在障碍物管道中的加速过程，计算结果与实验测试结果在定性上比较吻合，说明在管内火焰速度较低的情况下，用一维可压缩流动近似处理能初步揭示管内火焰的加速机制。

桦木科植物的系统发育和地理分布

本文对桦木科植物的研究历史作了详细的总结;在钻研文献的基础上，补充了部分系统学资料，使得花序、花、花粉、叶表皮等各类性状能够在属间进行比较，根据外类群比较、和谐性分析等原则确定了性状的演化极性，利用最大同步法和最小平行演化法对桦木科植物进行了分支分析;对各属的现代分布和地史分布作了描述，在此基础上，讨论了桦木科植物的分布中心、起源地、起源的时间和散布的途径;在第四章，作者试图回到遥远的晚白垩纪和早第三纪，从描绘桦木科植物起源和早期分化的古地理和古气候背景入手，分析了在这种背景下桦木科植物所发生的空间辐射以及植物体本身所产生的形态进化，以求得对桦木科植物起源、散布和分化作出比较合理的解释;最后对桦木科组以上的等级作了分类处理。全文包括五个部分，主要的结论如下： 1、分支分析：广泛阅读桦木科、壳斗科和南青冈科的文献，详细研究中国科学院植物研究所标本馆所藏的桦木科植物的标本。首先以壳斗科和南青冈科作为外类群对各类性状进行了分析，得到一个由22个性状组成的数值矩阵;接着又对上述的22个性状作了和谐性分析，结果有7个性状的CN>O,2，其中3个性状在调整性状状态后被保留，有4个性状在颠倒极性和调整性状状态后仍不和谐被去除．最后得到由18个性状组成的矩阵，该矩阵和谐性检验的结果是：所有性状的KN值和CN值均为O，将此矩阵用最大同步法和最小平行演化法进行分支分析，得到一个相同的分支图。分支图用了19个演化步数，与矩阵的最小步数相同，较好地反映了桦木科植物的属间关系。分支图说明：桤木属是从桦木科植物的祖先中最早分出的一个分支，几乎保留了祖先所有的原始性状;桦木属和桤木属近缘，但并非姊妹群;榛届在桦木科中占有特殊的地位，是桦木科植物的原始类群向进化类群演化的中间纽带;虎棒子属是榛属向鹅耳枥属和铁木属进化过程中分化出的一支;铁木属和鹅耳枥属为姊妹群，在桦木科植物中演化水平最高。 2、地理分布：地理分布分析是以经典分类、系统发育和古植物学三方面的资料为基础，根据生物进化的时、序、空相互统一的观点来讨论的。 根据Takhtajan (1978)对世界植物系的分区，认为：东亚区分布6属、13组、77种，占桦木科植物全部种类的59%，为第一分布中心;大西洋一一北美区分布5属。8组、20种，为第二分布中心;环北方区分布5属、8组，35种，是桦木科植物分化的重要地区。在中国，根据吴征镒(1979)对中国植物区系的分区，认为：中国一一日本森林亚区和中国一一喜马拉雅亚区在种数，组数和属数的分布上分别位居第一和第二。四川及其毗邻省区分布6属、52种，占全部中国种类的70, 3%，是中国桦木科植物的分布中心。 桦木科最早的化石记录是具多个角萌发孔并有带状加厚的桤木粉，发现于日本桑托期．随之这类花粉和另外一种花粉类型：副桤木粉（有微弱带状加厚的三孔粉）在欧亚大陆和北美的地层中便开始普遍起来;可能的桤木属植物的叶子发现于白垩纪最晚期，而可辨认的果序的记录则开始于古新世． 8孔的具带状加厚的桦粉最早见于日本的坎佩尼期，而缺少带状加厚的拟桦粉最早发现于中国内蒙古的梅斯特利克蒂期，以上两类花粉均和现代桦木属植物的花粉相似;可归于同一个化石植物Betula leopoldae的叶子、雄花序，果序和果实的化石发现于加拿大大不列颠哥伦比亚的中始新世地层中。基于果实化石的榛属植物的最早记录发生在欧洲和北美古新世;被认为和榛属有亲缘关系的绝灭属——古鹅耳枥属的叶子，果序和雄花序的化石发现于古新世和始新世;开始见于中国梅斯特利克蒂期的拟榇粉和最早发现于苏格兰古新世的米勒三孔粉也均和榛属植物有关。基于可辨认的花粉和果苞的化石，鹅耳枥属和铁木属分别在晚始新世和早渐新世有了最早的化石记录． 最后根据化石证据和现代地理分布特征提出：以四川为中心的中国中部地区是桦木科植物起源和早期分化的中心;最早的桦木科植物生活在晚白垩纪桑托期，桤木属、榇属、桦木属可能在白垩纪最晚期或古新世时就已经出现了，而最迟不晚于中始新世;鹅耳枥属和铁木属的形成均不晚于晚始新世，到渐新世时，除虎榛子属外，桦木科其它各属均广泛分布在北半球。 3、进化分析：桦木科植物起源和早期演化的晚白垩纪和早第三纪在古地理和古环境方面主要有四个特点：(1)地球板块相对稳定;(2)气候相对一致，区带环流是大气环流的基本成份; (3)恐龙绝灭，哺乳动物作为传播媒介变得重要起来; (4)风媒和虫媒植物共荣。桦木科植物就是在上述背景下起源的。桤木属蒙自桤木组和桤木组最早从祖先类群中分化出来，接着一方面较缓慢地向欧洲散布，并在古新世到达欧洲;另一方面，向中国东北地区散布，然后迅速地扩散到了北极地区，通过白令陆桥在白垩纪最晚期到达了北美。从北美西北部和从欧洲通过大西洋北极陆桥散布到北美东部的桦木科植物在始新世时汇合，形成第二个分化中心。虎榛子属、鹅耳枥属和铁木属植物的大量分化很可能是从全球气候恶化的渐新世开始的，并在分化的同时伴随着其它的桦木科植物向南迁移。桤木属在渐新世时就散布到了当时位于中国东南部的加里曼丹岛;桤木属、鹅耳枥属和铁木属中新世时散布到了墨西哥和中美洲;第四纪冰期加速了桦木科植物的南移，桤木属到达非洲北部和南美洲，桤木属和鹅耳枥属到达台湾岛均发生在更新世。 在环境的选择压力下，桦木科植物经历了一系列的形态演化，作者将这些演化归纳成34个进化趋势。为了对桦木科植物可能祖先的大概轮廓有一个认识，我们又从34个进化趋势中总结出桦木科植物的11个原始特征，并且认为这些特征中的大多数应该是它的祖先拥有的。 (1)裸芽有柄。 (2)气孔器为轮列型或无规则型。 (3)木材具管胞，导管有螺旋加厚，为梯状穿孔。 (4)雌、雄花序共生成总状花序，雄花序位于上部。 (5)花序两性。 (6)雄花序有梗、裸露过冬。 (7)小聚伞花序由多个花组成，苞片多数。 (8)花两性，有花被，子房3室。 (9)花药药室木分离，花丝也不分叉。 (10)花粉粒4-5孔;孔具孔室;孔间有带状加厚;外壁较厚，在孔处翘起并加厚。 (11)具翅坚果小型。 本文提出桦术科植物不可能起源于现存的壳斗科植物，而两者有可能共祖，它们共同的祖先和正型粉类复合群有关，可能来源于正型粉类复合群的某些成员，那么‘正型粉类复合群是否就是金缕梅目和壳斗目进行的中间链环呢?’本文仅作为一个问题提出，而未作回答。 4、系统分类：根据分支分析和表征分类的结果，桦木科是非常自然的一个类群，科内表现出从原始到高级的演化次序并具有三条主要的演化路线。因此，将桦木科划分为三个族与科内的三条演化线相一致，比较符合其属间的系统发育关系。按照各属的变异程度，进一步在桦木族和鹅耳枥族之下分别设立两个亚族。此外在桦木科植物属之下共确立了13个组。桦木科组以上的系统排列为： Betulaceae S. F. Gray Trib. 1. Betuleae Subtrib. 1. Alninae Z. D. Chen subtrib. nov. Alnus Mill. Sect. 1. Clethropsis ( Spach ) Endl. Sect. 2. Alnus Sect. 3. Cremastogyne H. Winkl, Sect. 4. Alnobetula W. D. Koch Subtrib. 2. Betulinae Betula L. Sect. 1. Betulaster ( Spach ) Regel Sect. 2. Betula Sect. 3. Costatae Regel Sect. 4. Chinenses ( Nakai ) Z. D. Chen comb. et stat.nov. Sect. 5. Humiles W.D.Koch Trib. 2. Coryleae Aacheraon Corylus L. Sect. 1, Acanthochlamys Spach Sect. 2. Corylus Trib. 3. Carpineae A. DC. Subtrib. 1. Ostryopsinae Z. D. Chen subtrib. nov.Ostryopsis Dence. Subtrib. 2. Carpininae Ostrya Scop. Carpinus L. Sect. 1. Distegocarpus ( Sieb. et Zucc. ) Sarg. Sect. 2. Carpinus

温度对草鱼能量收支的影响

于1992年4月-1992年5月在22，26及3℃下，以莴苣叶为食物，不限量摄食，测定草鱼的能量收支。结果表明，草鱼摄食率及生长率均随温度上升而增加；最大摄食率（Cw���％　W���d���与水温（T：℃）的关系为：CW=0．0405T2.324；温度对食物能分配于能量收支各组分的比例没有显著影响，在3个温度下测定的平均能量收支式为：100C=29.89F＋3．30U＋52．48R十14．34G，式中C为食物能，F为排粪能，U为排泄能，R为代谢能，G为生长能。

Photoluminescence from Er-doped Si-in-SiNx thin films

Photoluminescence from Er3+-implanted Si-in-SiN, films emitting efficiently visible light were investigated. A Stark structure in the Er3+ photoluminescence spectrum was observed at room temperature, which reveals more than one site symmetry for the Er3+-centers in the Si-in-SiN, matrix. The correlation between the visible photoluminescence from the silicon nanoparticles and the 1.54 mu m emission from the Er3+-centers was discussed. (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.

Effect of growth conditions on the GaN thin film by sputtering deposition

The phase transition between thermodynamically stable hexagonal wurtzite (h-WZ) gallium nitride (GaN) and metastable cubic zinc-blende (c-ZB) GaN during growth by radio-frequency planar magnetron sputtering is studied. GaN films grown on substrates with lower mismatches tend to have a h-WZ structure, but when grown on substrates with higher mismatches, a c-ZB structure is preferred. GaN films grown under high nitrogen pressure also tend to have a h-WZ structure, whereas a c-ZB structure is preferred when grown under low nitrogen pressure. In addition, low target-power growth not only helps to improve hexagonal GaN (h-GaN) crystalline quality at high nitrogen pressure on low-mismatch substrates, but also enhances cubic GaN (c-GaN) quality at low nitrogen pressure on high-mismatch substrates. (c) 2007 Elsevier B.V. All rights reserved.

Deep level and photoluminescence studies of Er-implanted GaN films

Deep level transient spectroscopy measurements were performed on the metal organic chemical vapor deposition epitaxially grown GaN before and after the implantation with Er. Only one deep level located at 0.270 eV below the conduction band was found in the as-grown GaN films. But four defect levels located at 0.300, 0.188, 0.600 and 0.410 eV below the conduction band were found in the Er-implanted GaN films after annealing at 900 degrees for 30 min. The origins of the deep defect levels were discussed. The photoluminescence (PL) properties of Er-implanted GaN thin films were also studied. After annealing at 900 degrees for 30 min in a nitrogen flow, Er-related 1.54 mu m luminescence peaks could be observed for the Er-implanted GaN sample. Moreover, the energy-transfer and recombination processes of the Er-implanted GaN film were described. (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.

Local environment of Er3+ in Er-doped Si nanoclusters embedded in SiO2 films

The local environment of Er3+ in heavily Er-doped (Er, 2.5 at. %) Si nanoclusters embedded in SiO2 films annealed at various temperatures was investigated by using the fluorescence-extended x-ray absorption fine structure spectroscopy. The results show that annealing caused a large effect on the local environment of Er3+ surrounded by O atoms and the 1.54 mu m photoluminescence intensity. The correlation between the local environment around Er3+ and the corresponding 1.54 mu m photoluminescence was discussed. (c) 2006 American Institute of Physics.

Effects of ZnO interlayers on thick GaN/Si film prepared by RF magnetron sputtering

We have successfully prepared a high-quality 2 mu m-thick GaN film with three inserted 30 nm-thick ZnO interlayers on Si (111) substrate without cracks by magnetron sputtering. The effects of the thickness and number of ZnO interlayers on the crystal quality of the GaN films were studied. It was found that the GaN crystal quality initially improved with the increase of the thickness of ZnO interlayers, but deteriorated quickly when the thickness exceeded 30 nm. Multiple ZnO interlayers were used as an effective means to further improve the crystal quality of the GaN film. By increasing the number of interlayers up to three, the cracks can be constrained to a certain extent, and the crystal quality of the GaN film greatly improved. (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.

Tunneling magnetoresistance in (Ga,Mn)As/Al-O/CoFeB hybrid structures

Tunneling magnetoresistance (TMR) in Ga(0.9)2Mn(0.08)As/Al-O/Co40Fe40B20 trilayer hybrid structure as a function of temperature from 10 to 50 K with magnetic field vertical bar H vertical bar <= 2000 Oe has been studied. TMR ratio of 1.6% at low fields at 10 K was achieved with the applied current of 1 mu A. The behavior of junction resistance was well explained by the tunneling resistance across the barrier. Strong bias dependences of magnetoresistance and junction resistance were presented. (C) 2009 American Institute of Physics. [DOI: 10.1063/1.3068418]

丙烯酰胺水溶液辐射聚合 Ⅰ聚合过程中聚合物交联反应机制的探讨 Ⅱ聚丙烯酰胺的溶解 Ⅲ合成在水中易溶或速溶的丙烯酰胺聚合物和共聚物

Ⅰ. 聚合过程中聚合物交联反应机制的探讨 聚丙烯酰胺是水溶性聚合物，但一般工业生产的聚丙烯酰胺在水中很难溶解。一个重要因素是由于在聚合过程中聚合物发生了交联。Minsk (1949)认为聚丙烯酰胺大分子上的-CoNH_2的亚胺化，导致聚合物在水中难溶或不溶：Gleason (1959)和Suen (1960)分别指出活性链的链转移和在丙烯酰胺聚合过程中产生末端双键是聚合物交联的起因：AδkuH (1973)认为丙烯酰胺在浓水溶液中聚合是通过水离子作用生成网状聚合物。由于交联是一个伴随聚合的付反应，少量的交联就导致聚合物不溶，加之缺乏有效的分析手段，所以难于定量研究这一过程。一些科学工作者对交联的性质提出了各种设想，但有关交联方面的系统讨论加交联机制问题至今未见报导。本工作估算了聚丙烯酰胺的内聚能和分子间力（主要－CoNH_2间氢键作用力），说明了丙烯酰胺浓度越大，它的聚合产物越易交联；研究了聚合体系PH值对聚合交联的影响，丙烯酰胺在酸性或中性介质中用r射线引发聚合，很快出现凝胶，只有在碱性(PH > 13)介质中r射线幅照可得到水溶性聚丙烯酰胺。用酰胺基的亲核反应能力解释了原子效应，幅照生成聚合物自由基和双键是聚合物交联的潜在因素，在聚合体系加入链转移剂抗坏血酸，可有效地抑制聚合过程中聚合物的迅速交联；从红外光谱观察到交联聚丙烯酰胺的酰胺特征吸收峰从1650 cm~(-1)向亚胺特征吸收峰方向位移，聚丙烯酰胺的含N量低于理论值，交联聚丙烯酰胺含N量偏离理论值更大，以及不溶聚丙烯酰胺的交联键可以羟高温水解完全破坏，由此肯定聚合过程中聚合物交联具有亚胺结构。根据酰胺基结构特点加亲核取代反应原理，提出丙烯酰胺水溶液辐射聚合过程中聚合物的交联机制如下：1.聚合物自由基的生成。2.自由基促使－CoNH_2活化，导致-CoNH_2间亲核取代反应。3.当R_2 = -CH=CH_2即单体参与亚胺化则导致在分子链上产生悬挂双键，将引起聚合物交联。这一反应机制可以阐明丙烯酰胺水溶液辐射聚合过程中聚合交联起因和历程，可以解释键材剂。质子效应和亚胺之间联系，为制备水溶性聚丙烯酰胺提供了线索。Ⅱ. 聚丙烯酰胺的溶解 关于聚合物溶解理论前人曾从两方面进行探讨。一是Hidebrand (1949)提出以内聚能密度的平方根作为溶度参数δ来鉴别两种物互溶的可能性。Burrel (1955)把这一方法来研究聚合物的溶解。内聚能依赖于色散力、极性力和氢／键，它由三部分组成E = E_d + E_p + E_h，对应的溶度参数方程为δ~2 = δ_d~2 + δ_p~2 + δ_h~2，因此只有两种物质的溶度参数的各个分量相近时，才有可能互溶。这一方面的研究仅涉及溶解过程的热力学。另一是Ueberreiter (1968)提出溶解是一个相互扩散过程。聚合物在溶解过程中，溶解速度S和溶胀层厚度δ处于稳态。它们和溶剂在聚合物中平均扩散系数D-bar_s的关系为2S = D-bar_s/δ，比式直接反映了溶解的动力学过程。聚丙烯酰胺有极强的极性和形成氢键的能力，它只溶于水，对溶度参数的研究存在一定困难。采用扩散原理研究聚丙烯酰按的溶解速度和规律比较有利。为此目地，我们设计制作了专门溶解实验装置，借助聚丙烯酰胺存在电离基因，利用电导测定溶解速度S，并借助针入法则定溶胀层厚度δ和溶胀速度W���发现极性聚丙烯酰胺的溶解不同于Ueberreiter所研究的非极性聚合物聚苯乙烯的溶解。它是一个非稳态过程，不存在诱导期，溶解和溶胀同时进行，根据这事实和理论分析得到2S + W = （D-bar）_s/δ这一关系式与实验数据相符。此关系式可还原Ueberreinter的稳态溶解得到的关系式，并适用于交联聚合物的溶胀。聚丙烯酰胺的-CoNH_2强吸水性导致它在溶解时溶胀形成凝胶层是一个快步骤，而-CoNH_2强的形成氢键能A是溶解的主要障碍，因此溶解是一个慢过程。聚丙烯酰胺的溶解活化能E_s和水在聚合物中扩散活化能E_D���是6干卡／克分子左右；处于氢键离解能范围之内，所以聚丙烯酰胺溶解主要克服分子间氢键作用力。研究了影响聚丙烯酰胺的溶解因素：（1）聚丙烯酰胺单位时间溶解量与它们的颗粒直径2.5次方成反比。（2）聚丙烯酰胺溶解速度与分子量0.5 - 0.7次方成反比。（3）聚丙烯酰胺溶解速度对湿度的依赖关系为S = 0.278 exp[-627o/RT]（4）聚丙烯酰胺大分子中引进-CooNa，吸水性增强，溶解过程双电层形成，产生剪切应力和静电斥力，促使键移动，降低了溶解活化能，加速溶解。（5）聚合物中添加亲水性强的表面活活性剂有利于聚丙烯酰胺的溶解。Ⅲ. 合成在水中易溶或速溶丙烯酰胺聚合物和共聚物 本文强调了在丙烯酰胺水溶液辐射聚合过程中，避免聚合物交联是合成水溶性聚合物的先决条件。加NaOH的丙烯酰胺水溶液聚合和加链转移剂抗坏血酸的丙烯酰胺水溶液聚合物都可得到转化率和分子量都较高，而且不交联的丙烯酰胺的聚合物和共聚物。在单体水溶液中添加尿素对聚合物有助溶效果；添加亲水性强的表面活性剂JFC可改善聚合物颗粒的粘结和抱团。提出了两个聚合体系，合成出在水中速溶的聚丙烯酰胺和羰钠基不同含量的阴离子型 聚丙烯酰胺，聚合物颗粒小于40目，可在10分钟内完成溶解。

Ultrafast Kerr rotations and zero-field dephasing time of electron spins in InAs/GaAs quantum disks

Time-resolved Kerr rotation (TRKR) measurements based on pump-probe arrangement were carried out at 5 K on the monolayer fluctuation induced InAs/GaAs quantum disks grown on GaAs substrate without external magnetic field. The lineshape of TRKR signals shows an unusual dependence on the excitation wavelength, especially antisymmetric step-shaped structures appearing when the excitation wavelength was resonantly scanned over the heavy- and light-hole subbands. Moreover, these step structures possess an almost identical decay time of similar to 40 Ps which is believed to be the characteristic spin dephasing time of electrons in the extremely narrow InAs/GaAs quantum disks.