光纤与波导器件的联接技术

文中就如何增大耦合效率和工艺容差的问题作了具体的分析，在此基础上，评述了现有的几种能够获得较低插入损耗的光纤和波导的固定联接技术。

钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性

采用一种新方法生长多层InGaN／GaN量子点，研究所生长样品的结构和光学特性。该方法采用了低温生长和钝化工艺，所以称之为钝化低温法。第一层InGaN量子点的尺寸平均宽度40nm，高度15nm，量于点密度为6．3×10^10／cm^2。随着层数的增加，量子点的尺寸也逐渐增大。在样品的PL谱测试中，观察到在In(Ga)As材料系中普遍观察到的量子点发光的温度特性——超长红移现象。它们的光学特性表明

分子束外延生长ZnSe自组织量子点光、电行为研究

分别应用光致发光、电容－电压和深能级瞬态傅里叶谱技术说细研究ZnSe自组织量子点样品的光学和电学行为。光致发光温度关系表明ZnSe量子点的光致发光热猝火过程机理。两步猝火过程的理论较好模拟和解释了相关的实验数据。电容－电压测量表明样品表观载流子积累峰出现的深度（样品表面下约100nm处）大约是ZnSe量子点层的位置。深能级瞬态傅里叶谱获得的ZnSe量子点电子基态能级位置为ZnSe导带下的0.11eV，这与ZnSe量子点光致发光热猝火模型得到的结果一致。

薄二氧化硅MOS电容电离辐射陷阱电荷研究

采用高频C-V曲线方法，研究了50nm及15nm MOS电容电离辐射空穴陷阱及界面态的建立过程。二种样品电离辐射空穴陷阱电荷密度在1×10~3Gy(Si)剂量下近乎相同，而在大于3×10~3Gy(Si)_剂量下，50nm MOS电容的电荷密度约为15nm MOS电容的2倍。利用电离辐射后的隧道退火效应，计算出二种样品电离辐射陷阱电荷在Si-SiO_2界面附近分布的距离均约为4nm。

GSMBE生长的高质量氮化镓材料

使用NH_3作氮源，采用GSMBE方法在(0001)Al_2O_3衬底上生长出了高质量的GaN单晶外延膜。1.2μm厚的GaN外延膜的(0002)X射线双晶衍射峰回摆曲线的半高宽为6'，室温电子迁移率为300cm~2(V·s),背景电子浓度约为3×10~(17)cm~(-3)。

Pt-Ni/p-InP低阻欧姆接触的机理研究

利用X射线衍射和AES(俄歇)方法，深入地研究了RF磁探溅射淀积的Pt-Ni/p-InP(100)非合金膜系在热退火过程中Pt和Ni与衬底InP中的In和P形成稳定化合物的行为，揭示了比接触电阻降低于3×10~(-6)Ω·cm~2的根本原因。

GaAs/AlGaAs多量子阱二维面阵红外探测器

报道10×16元二维面阵GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的研究进展。通过表面光栅耦合,采用垂直入射的工作模式,在T=80K时探测率为2.9×10~(10)cm·Hz~(1/2)/W,电压响应率为1.3×10~4V/W。各测试单元间探测率和电压响应率的偏差小于18％,串音小于0.45％,在最大探测率偏置条件下,器件的暗电流密度为6.2×10~(-6)A/cm~2。

辽西半干旱地区春小麦农田水分循环特征的研究

本文研究分析了辽西半干旱地区春小麦农田水分循环的主要特点，表现在以下几个方面：冬灌对春小麦生长发育和高产具有重要意义，是必不可少的措施，春小麦在拔节抽穗期和灌浆期耗水量最大，在花期日耗水量最大，且耗水量与潜在蒸散量平衡；与气象因子相比较土壤湿度对春小麦耗水量具有决定性影响：在供水条件较好的情况下，春小麦吸收消耗的水分主要来自0-50厘米土层，小麦产量也与0-50厘米土层的耗水量成高度正相关关系，下层水分对增产的有效性相对较低，研究表明300-310毫米可作为该地区春小麦需水耗水量的参考值。研究结果还表明：合理灌水能大大提高水分利用率和产量，三次灌水的处理获得了最高产量569.5斤/亩，和最大的用水生产效率1.83/毫米。