钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性
| Data(s) |
2003
|
|---|---|
| Resumo |
采用一种新方法生长多层InGaN／GaN量子点，研究所生长样品的结构和光学特性。该方法采用了低温生长和钝化工艺，所以称之为钝化低温法。第一层InGaN量子点的尺寸平均宽度40nm，高度15nm，量于点密度为6．3×10^10／cm^2。随着层数的增加，量子点的尺寸也逐渐增大。在样品的PL谱测试中，观察到在In(Ga)As材料系中普遍观察到的量子点发光的温度特性——超长红移现象。它们的光学特性表明 采用一种新方法生长多层InGaN／GaN量子点，研究所生长样品的结构和光学特性。该方法采用了低温生长和钝化工艺，所以称之为钝化低温法。第一层InGaN量子点的尺寸平均宽度40nm，高度15nm，量于点密度为6．3×10^10／cm^2。随着层数的增加，量子点的尺寸也逐渐增大。在样品的PL谱测试中，观察到在In(Ga)As材料系中普遍观察到的量子点发光的温度特性——超长红移现象。它们的光学特性表明 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:07:16导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:16Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4900.pdf: 131224 bytes, checksum: df1ff7431936b92c3d8a6a47c3082e94 (MD5) Previous issue date: 2003 国家自然科学基金(6 86 1;699 6 2),国家重大基础研究项目(G2 683)资助项目 中国科学院半导体研究所;清华大学物理系;中科院半导体所 国家自然科学基金(6 86 1;699 6 2),国家重大基础研究项目(G2 683)资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王晓晖;李昱峰;陆大成;刘祥林;袁海荣;陆沅;黎大兵;王秀凤;朱勤生;王占国;陈振;韩培德.钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性,发光学报,2003,24(2):135-138 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
